Способ получения рельефов на поверхности полупроводника
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 165837
Авторы: Гельтищева, Догадкин, Королев, Марков, Туто
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельств Заявлено 02.И 1.1963 ( 845048/26-9с присоединением заявкил. 211 У, 112 Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССРПК Н 011 орите Опубликовано 26,Х.1964. Бю Дата опубликования описани Авторыизобретения оролев, К, И. Гельтищева, В, В. Марков, И. А. Тут и Б. А. Догадкинаявител ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФОВ НА ПОВЕРХНОСТ ПОЛУПРОВОДНИКА СП являют его в холодном бензине, задубливают облучением под ультрафиолетовой лампой ПРКв течение 15 мин. Глубокий рельеф вытравливают в смеси плавиковой и азотной кислот в соотношении 1:4. Задубленный циклокаучук, после вытравливания рельефа, снимают растворителем Р,Фотогравировка с помощью циклокаучука может найти применение не только в полупроводниковой промышленности, но и в других областях техники (полиграфии точной механике и т. д). е- о- Г Предлагаемый фо риал позволяет пол 0,1 лиг) рельеф на по увствительныи матеть глубокий (более 15 хности полупроводниредмет изобретени Способ получения рел полупроводника путем стоящий в нанесении слоя на поверхность по нировании его через тра сунком и последующем отличающийся тем ния глубокого рельефа ствительного кислотоза псльзуют полимерный х чук. их рельефов пригот циклокаучука в бен па поверхность пол фуге (толщина сл 2 й подсушки в те рхность полупрово локаучука, через к пируют рисунок. оир- г дписная группаСпособ фотогравировки на полупроводниках известен. Он заключается в нанесении фоточувствительного слоя на поверхность полупроводника, экспонировании его через трафарет с заданным рисунком и последующем проявлении рисунка.В полиграфической промышленности изв с 1 ен циклокаучук как составная часть тип графских красок. Использование циклокауч ка для получения глубоких рельефов на поверхности полупроводника неизвестно и не описано в патентной и технической литературе. Для получения глубо ляют 10%-ный раствор не, который наносится проводника на центр 1 лк).После десятиминутно стате при 60 С на пове ка, покрытую слоем цик цевый трафарет экспо ьефов на поверхностифотогравировки, софоточувствительного лупроводника, экспофарет с заданным рипроявлении рисунка, что, с целью получев качестве фоточувщитного материала исатериал - циклокау
СмотретьЗаявка
845048
М. А. Королев, К. И. Гельтищева, В. В. Марков, И. Туто, Б. А. Догадкин
МПК / Метки
МПК: H01L 21/027
Метки: поверхности, полупроводника, рельефов
Опубликовано: 01.01.1964
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-165837-sposob-polucheniya-relefov-na-poverkhnosti-poluprovodnika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения рельефов на поверхности полупроводника</a>
Предыдущий патент: Устройство для взаимного сопряжения деталейпри сборке
Следующий патент: Состав для покрытия оксидных катодов
Случайный патент: Способ ухода за пчелами в многокорпусных ульях