Управляемый выпрямитель на полупроводниковом триоде

Номер патента: 127485

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Додик

МПК: G05B 5/01, G05D 23/24

Метки: датчика, качестве, кремниевым, полупроводниковый, стабилитроном, температуры, терморегулятор

...триода из двух или нескольких триодов 3. В коллекторную цепь выходного каскада включено сопротивление подогревателя 4. Питание датчика температуры стабилизируется специальной схемой, собранной на сопротивлениях 5 и б, кремниевом стабилитроне 7 и германиевых или кремниевых плоскостных диодах 8, включенных в прямом направлении. Сопротивление 5 выполнено переменным и служит для установки заданной температуры,В камере термостата находится только стабилитрон 1 и подогреватель 4, величина тока в котором устанавливается сопротивлением 5. По мере нагрева камеры термостата напряжение на входе усилителя будет уменьшаться, что вызовет соответствующее уменьшение тока, проходящего через подогреватель. В результате этого процесса в камере термоде...

Номер патента: 332141

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Войцехов, Черн

МПК: G01N 21/17

Метки: качества, металлических, покрытий, полупроводниковых, прибор

...резистора (рабочий температурный интервал резистора определяется рассеиваемой на нем мощностью) их показатели преломления совпадали для единственной длины волны спектра белого света, однозначно изменяющейся с температурой.В качестве жидкости может быть использована органическая, либо неорганическая прозрачная для белого света жидкость, характеризуемая высокими изоляционными свойствами,Материалом для сосуда 1 может служить органическое стекло, полимерный материал и т. д.Деталь, качество поверхностного проводящего покрытия которой контролируется, например резистор 3, нагревается протекающим по покрытию током при подключении источника э.д.с, б и нагревает тонкий слой жидкости. Картина температурного поля жидкости практически...

Номер патента: 172374

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Вайварс, Карп, Францис, Якубайтис

МПК: G01R 31/26

Метки: блок, диодов, диодовв, известных, мощных, полупроводниковых, пробивного, регулировки, содержащих, ступенчатой, устройствах

...напряжении. г пзоор едм тенпя 20 Устройство для определения пробивного напряжения полупроводниковых диодов, содержащее подключенные к диоду блок ступенчатой регулировки подаваемого на диод напряже нпя, снабкенный набором коммутируемыхсопротивлений, и блок измерений величины производной обратного тока, от,ггчаощееся тем, что, с целью предотвращения выхода диода из строя в процессе измерений, последовательно 30 с каждым из сопротивлений блока ступенчатой регулировки напряжения включен стабил п трон. дпасная грпаа Л" 89 В известных устройствах для определенияпробивного напряжения мощных полупроводниковых диодов, содержащих олок ступенчатой регулироьки подаваемого на диод напряжения и блок измерения величины производной обратного тока, при...

Номер патента: 1168022

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Ковалев, Левитин, Фридман

МПК: H01L 25/03

Метки: блок, полупроводниковый, преобразовательный

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ БЛОК, содержащий полупроводниковые приборы и предохранители, установленные каждый на своей снабженной токоподводом с одной стороны токопроводящей шине переменного и постоянного токов, одна из которых выполнена П-образной, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и уменьшения расхода цветного металла путем улучшения токораспределения между полупроводниковыми приборами и компенсации электромагнитных полей, вторая шина выполнена также П-образной, а полупроводниковые приборы и предохранители расположены на обоих плечах соответствующих П-образных шин и соединены так, что n-й полупроводниковый прибор одного плеча одной шины соединен с n-м предохранителем противоположного плеча другой шины.

Номер патента: 1448313

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Антюхин, Лаужа, Узарс, Феоктистов, Храмцов, Чаусов

МПК: G01R 31/04, G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: качества, модуля, полупроводниковым, прибором, сборки, силовым

...генерируется в моментзапуская счетно-решающий блок 9, который вычисляет величину2Эта величина является показателем качества сборки модуля 1, Ее сравнивают с допусковым значением ЭА при Э З,модуль бракуют, а при Э ЭА,и, считают прошедшим испытания.Для обоснования представительности величины Э на Фиг. 3 рассмотрен процесс нагрева структуры импульсом тока 1 и ее последующее остывание, На Фиг.3 с показан импульс Е длительностью , а на Фиг. 3 - процесс изменения температуры О структуры при действии этого импульса и после него для "хорошего" и "плохого"модулей, В хорошем модуле полупроводник имеет низкое тепловое сопротивление "корпус-охладитель" и хорошие тепловые контакты внутри полупроводникового прибора. Поэтому из-за хорошей отдачи...