Вакуев

Номер патента: 1407353

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Ашмонтас, Вакуев, Мармур, Оксман, Ширмулис

МПК: H01L 31/103

Метки: фототранзистор

...барьерперехода эмиттер"база равным энергиикванта регистрируемого излучениячто достигается,приложением настоян"наго напряжения и смещения эмиттеря,удовлетворяющего условию где Ц " контактная разность патеццц- ЯЛОВ эмиттерцого перехода; 1постоянная Планка,Сскорость светязаряд злРктроцяЪ - длина волны регистрируемогоизлучения,Перешедшие в базу носителя попадают в коллекторный р-и"переход,смещенный в обратном направлении.Как ц ц Ооычцом биполярном трЯцзистаре ицжекция цеосновцьх па Отцашецию к базе) носителей обегпечиваетусиление мощности электрических сигналов.Толщина эмиттеря 1 це превышаетдлины Остывация Фотоцосителей " рас.стояния, ця котором фотоносители тряют приобретенную от света энергию,т, ей " 1 ., где д - толщиназьцг:тара...