Способ получения р перехода в кремний

(57) Использование: микроэлектроника. технология изготовления высоковольтных приборов. Сущность изобретения: при изготовлении высоковольтных р-и-переходов в кремнии на кремниевую пластину наносят диффузант, содержащий алюминий и олово в соотношении, мас,ч; 0.006Зп 02/А 12(МОз)з0,04, проводят загонку примеси, наносят диффузант. содержащий бор, и затем проводят совместную диффузию. Способ позволяет уменьшить эрозию поверхности кремния. 2 ил,создать запасыПри выходе заингредиентов игается,Технология. изготовления диодныхструктур с высоким пробивным напряжением на кремний и-типа проводимости и р ==4,5 Ом ф см предусматривала двухстадийный режим диффузии. На первой стадии напластины наносили диффузант состава,мас,ч,: 1-5 А 12(МОз)з: 1/2 углерод: 4-5 этиловый спирт, например; А 12(ИОЗ)з - 7-30 гС- 3-4 г, этиловый спирт - 30 г.Нанесение диффуэанта производилосьсмоченным тампоном по всей поверхностипластины либо центрифугированием капли,нанесенной в центр пластины,Затем следовал отжиг пластины при 750-50 С в течение 2 ч на воздухе. После этогона пластины наносили 30 ф-ный растворборной кислоты для создания р контакта и ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Патент ЯпонииМ 47 - 35231, кл, 99(5), 1972.Авторское свидетельство СССРМ 1190853, кл. Н 01 1 21/225, 1984. Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения и может быть использовано для получения высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров с однородными по площади перехода электрическими свойствами.Целью изобретения является увеличение однородности распределения пробивного напряжения по площади пластины при использовании концентрированных источников алюминия на стадии загонки за счет уменьшения эрозии поверхности кремния,Поставленная цель достигается использованием диффузанта, содержащего А 12(ОЗ)з и соединения олова - Яп 02 в соотно-. шении,мас.ч.:0,006А 1 0,04, наЯп 02А 12 ОЭпример состава: 28 г А 12(ОЗ)з, 2-4 г углерода, 0,2-,1 г Зп 02, 30 г этилового спирта.Применение предлагаемого способа позволит повысить выход годных приборов,по обратному напряжению. рамки данных соотношений оставленная цель не дости 1825432проводили диффузию при Т=1250 ф.5 С в течение 80 ч. Вышеуказанная технология позволяет получать р-и-переход на глубине 100 км,На фиг. 1 представлена зависимость отношения эрозированной поверхности пластин после диффузии к общей площади в процентах от величины отношенияЯп 02А - М -для различных содержаний А 2(МОз)з, мас.7, в диффуэанте состава: "х" - А 2(МОз)з, 2-4 г С, "у" - Яп 02 и 30 г этилового спирта ("х" и "у" - варьируются)- отсчет осуществляется по левой оси ординат.Одновременно график отражает собой процент значений Вэ - поверхностного со+противления с р -стороны, превосходящихОмуровень в 1 . принятый в технологии за критерий годностиот величины отношения Яп 02/А 2(мОз)з - отсчет по правой оси ординат.На фиг. 2 представлены гистограммы распределения кристаллов диаметром б мм по напряжению пробоя. Кристаллы вырезались из пластин, р-п-переход в которых получен с применением диффуэантов различного состава, Под М 1 представлена гистограмма распределения приборов из пластин с диффузантом состава; А 2(МОз)з - 7 г, С - 3 г, этиловый спирт - 30 г.Распределение характериэуЮтся значительной неоднородностью - раэмытие около 150 В, Вод М 2 представлена гистограмма для кристаллов из пластин с диффузантом состава: А 2(МОз)з - 28 г, С - 3 г, этиловый спирт - 30 г,Этот случай согласно фиг. 1 характеризуется сильной эрозией поверхности; распределение смещено в область низких напряжений пробоя. Случаи с содержанием А 2(МОз)з - 28 г, Яп 02 - 0,2 г (0,007), С - 3 г, Зтилавый Спирт - 30 г и А 2(МОЗ)З - 28 г, Яп 02 - 0,7 г(0,025), С - 3 г,этиловый спирт - 30 г представлены гистограммамии ЪЧ соответственно и характеризуются наиболее предпочтительным распределение приборов по напряжению пробоя. Согласнофиг. 1 им соответствует минимальная эрозия поверхчости.Таким образом, из данных фиг. 1 и 2можно заключить, что добавка Яп 02 в состав 5 диффузанта в соотношении, мас.ч.:Яп 02О 006А ЙО Б 0,04позволяет использовать насыщенные алюминием источники. Благодаря этому выравнивается распределение параметров по площади пластины.Применение предлагаемого способа впроизводстве кремниевых диодов позволя ет увеличить выход годных на 3-5. создатьзапасы по напряжению, увеличить устойчивость приборов к электрическим перегрузкам. ф о Рмул а изобретен и я проводят термообработку, наносят источник диффузии бора и затем проводят совме стную диффузию.2. Способ поп.1, отличаю щи йс ятем, что в качестве источника диффузии алюминия и олова используют смесь состава, мас,ч.:45А 2(МОз)зСЯп 02Этиловый спирт 28 3-4 0,2-130 1. Способ получения р-и-перехода вкремнии, включающий нанесение на кремниевую пластину источников диффузии алю 25 миния, олова и бора и последующуюсовместную диффузию в окисл яющей среде,.о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с цельюувеличения однородности распределенияпробивного напряжения по площаДи за счет30 уменьшения эрозии поверхности кремния,вначале на поверхность пластины наносятисточник диффузии алюминия и олова, содержащий;А 2(ВОз)з и Яп 02 в соотношении,мас.ч.:0,0060,04,А 2 МОз1825432 ОЫ 0,0075 ЮЮ ОЮГ 0 ЮО,ОБ 008Соотношение Рю чостедуф и А /Щ,дросlтВРВмиг.ирода авитель И.Алымед М.Моргентал коварректор актор Закаэ 2235 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и откры 113035, Москва. Ж, Раушская наб., 4/5при ГКНТ ательский комбинат "Патент", г. У ул, Гагарина изводствен Ъ 1 ф с ф Ья 0 г 5гд