Способ изготовления полупроводниковых структур

(51) 5 Н О 1 1, 21/82 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ ":-К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1 И СТРУКТУР(57) Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может бытьиспользовано при изготовлении полу"проводниковых приборов и интеграль-ных схем. 11 ель изобретения - повышеИзобретение относится к технологиимикроэлектроники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем.Целью изобретения является повышение эффективности защиты структурэа счет исключения коррозии алюминиевой разводки.П р и м е р. На полупроводниковойподложке из кремния формируют слонтермического оксида кремния. Затемвскрывают окна и последовательноформируют области эмиттера, базы,резистора и подлегированных контактов к коллектору, также покрытыхслоем оксида кремния толщиной 0,30,8 мкм. Вскрывают контактные окнак указанным областям и напьияют магнетронннм способом на установке 32-89 ЯО 1 505358 А 1 ние эффективности защиты приборным структур за счет исключения коррозии алюминиевой разводки. В кремниевой подложке, покрытой слоем оксида кремния, формируют области структур со вскрытыми контактными окнами, формируют алюминиевую разводку, осаждают слой фосфорносиликатиого стекла соокислеиием моносилана и фосфина толщиной не более 0,7 мкм с концентрацией фосфора от 2,5 до 4 мас.й, после чего проводят термообработку структур при. температуре от 500 доо550 С, а затем формируют слой оксида кремния толщиной от 0,35 до 0,45 мкм ниэкотемпературным окислением моносилана. Оратория" слой алюминия толщиной1-1,2 мкм, фотолитографией формируют иэ этого слоя токопроводящуюразводку и (без вжигания алюминия)осаждают слой фосфорно-силикатногостекла (ФСС) с концентрацией фосфора 2,5-4 мас.2 на установкеОксин-ЗИ" методом пиролитического соокисления моносилана и фосфина при атмосферном давлении и температурео450 С Толщина слоя ФСС составляет 0,610,1 мкм. При концентрации Фосфора более 4 мас.7 наблюдается коррозия алюминиевой металлизвпии иэ-за взаимодействия атмосферной влаги с фосфором и образования фосфорной кислоты, При концентрации фосфора менее 25 мас,Е наблюдается растрескивание слоя ФСС от послепуиекго отжигв.Данный способ позволяет повысить эхЬектцнцость зашиты полупроводниконых структур от воздействия повьппен" ной влажности,Ф о р м у л в и э о б р е т е н и я Составитель В.ГришинРедактор Л.Народная Техред Л.Олийнык Корректор Л,Бескид Подписное Тираж.Заказ 2835 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5Г 1 рсиэнодственио-иэдательскцй комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 3 150535 Увеличение толщины ФСС более 0,7 мкм цецелесообраэно, так как увеличивается вероятность растрескивания иээа повьппеиия внутренних рвстягиввющих 5 напряжений в стенке после отжига и вжнгания алюминия. Термическую обработку стекла проводят в азоте при температуре 510 С, что превышает температуру его осаждения. При такой термообработке одновременно происходит отжиг ФСС и вжигание алюминия. Длительность термообработки определяется временем нагрева партии структур н количестне до,100 пластин диаметром 60-100 мм до укаэанной темпервтуры и составляет 6-8 мин, Затем иа структуры осаждают слой оксида кремния толщиной 0,35-0,45 мкм на установке типа иОксин-ЭИ" окислением 20 моиосилана при атмосферном давленииои температуре 440 С. Толщина меньшая чем 0,35 мкм, ие эффективна для защиты слоя ФСС от воздействия внешних условий. При толщине более 0,45 мкм понышается вероятность рвстрескинания.После вскрытия Фотолитографией контактных площадок н некоторых слу" чаях проводят дополнительную терми ческую обработку полученного двухслойного покрытия при температуре 450 С в течение 15 мин, которая обусловлена необходимостью сформировать менее напряженную структуру с мини мальцой плотностью поверхностных состояний. Способ изготовления полупронодниковых структур, включающий формирование в кремниевой подложке, покрытой слоем оксида кремния, областей структур со нскрытыми контактными окнами, формирование алюминиевой разводки, осаждение слоя фосфорносиликатиого стекла соокислением моносилана и Фосфина, Формирование слоя оксида кремния, термообработку структур при температуре, превьппающей температуру осаждения слоя Фосфорносиликатного стекла, но не более температуры нжигания алюминиевой разводки, вскрытие контактных площадок, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повьппения эФфективности защиты структур эа счет исключения коррозии алюминиевой разнодки, слой фосфорносиликатного стекла осаждают толщиной не более 0,7 мкм с концентрацией фосфора от 2,5 до 4 мас.Х после чего проводят термообработку структур при температуре от 500 до 550 С, а затем формируют слой оксида кремния толщиной от 0,35 до 0,45 мкм низкотемпературным окислением моносиланв.