Патенты с меткой «теллуридов»
Припой для пайки термоэлементов на основе теллуридов и селенидов висмута и сурьмы
Номер патента: 133739
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Воронин
МПК: B23K 35/26, C22C 12/00
Метки: висмута, основе, пайки, припой, селенидов, сурьмы, теллуридов, термоэлементов
...апреля 1960 г. за664354/25 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРОпубликовано в Бюллетене изобретений22 за 1960 г. Припои для па.йки термоэлементов из теллуридов и селенидов висмутя и сурьмы, в состав которых входят висмут и сурьма, известны, Однако они не обеспечивают достаточной механической прочности сная, а технология производства спайки довсльно сложна, Кроме того непроизводительно расходуется дорогостоящий висмут, что удорожает тех нологию изготовления припоя.В предлагаемом припое указанные недостатки устоанены, благодаря применению оптимального состава, содержащего 20/о сурьмы и 80 %,висмута. Предмет изобретения Припой для пайки термоэлементов на основе теллуридов и селенидов висмута и сурьмы,...
Способ получения теллуридов тяжелых металлов, в частности свинца или олова
Номер патента: 462442
Опубликовано: 25.09.1975
Авторы: Грищенко, Делимарский, Луценко
МПК: C01B 19/00, C25B 1/00
Метки: металлов, олова, свинца, теллуридов, тяжелых, частности
...хлорида свинца металлический свинец, осаждаясь на теллуровом жидком катоде, взаимодействует с последним с образованием теллурида свинца. Минимальная температура процесса определяется точкой плавления металлического теллурао и составляет примерно 455-500 С. Увеоличение, температуры выше 500 С нецелесообразно, так как может привести к ухудшению качества образующегося телумидПри плотностях тока, 0,01-0,04 а/см.; образуются плотные мелкокристаллические осадки теллурида свинца. Повышение катодной плотности тока более 0,04 а/см2 приводит к образованию губчатого продукта. Элдктролиз можно осуществлять в открытых электролизерах в воздушной , атмосфере илч в закрытых - в атмосфереСоставитель В,Белин Редактор В дибобес . Техред Т,Курилко...
Шихта для синтеза селенидов и теллуридов цинка и кадмия
Номер патента: 1057413
Опубликовано: 30.11.1983
Авторы: Горбатова, Желнина, Пономарев, Прон, Рыжкин, Шапошникова
МПК: C01B 19/00
Метки: кадмия, селенидов, синтеза, теллуридов, цинка, шихта
...теллурида цинкаОКСИд цЛНКаТеллурНгаг ЕЛЕ Ваткислота ОстальноеДля теллурида кадмияОксидкадмия 27-34Теллур 4ггавелевслякислота Оста.тп ное1 ИХТУ ГотОВЯГ МОКРЬМ ИЛИ СУХИМ способом, При приготовлении шихты качество получаемых селенидов и тел.уридов цинка и кадмия зависит от тшатЕЛЬНОСТИ ГОМОГЕНИЗаЦИИ СМЕСИ компонентов, которая достигается растиранием ее в шарсвой мельнице в течение определенного времени с последующим прокаливанием этой шихты при температурах 400-1100 цС по одно-, или двух-, или трех- и тд. стадийному режиму.Прокаливание шихты проводят под слоем угля илиуглеграфитовой ткани. ц36"38 П р и м е р. 1. Для приготовленияцихты, состоящей из смеси компоненгсзл взятых в следующем соотношении,с.г егс, сОксид цинка 28,41...
Способ изготовления спеченных теллуридов хрома
Номер патента: 1061935
Опубликовано: 23.12.1983
Авторы: Гражданкина, Зайнуллина
МПК: B22F 3/16
Метки: спеченных, теллуридов, хрома
...температуре в течение суток сплав закаливают в воде. Полученный сплав размельчают, спрессовывают при давлении 3,7 т/см и после отжига 1 при 1000 С 48 ч, охлаждают со скоростью б град/ч до 400 С, выдерживая при этой температуре 48 ч с последующим охлаждением в отключенной печи Г 33Недостатком известного способа является низкий уровень инварных свойств из-за узкого температурного интервала с минимальным значением коэффициента термического расширения.Целью изобретения является расширение температурного интервала с минимальным значением коэффициента термического расширения.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления спеченных .теллуридов хрома,включающему прессование смеси порошков хрома и теллура, спекание,...
Способ получения светочувствительных структур на основе теллуридов кадмия и цинка
Номер патента: 1825431
Опубликовано: 30.06.1993
Авторы: Беляев, Калинкин, Рубец
МПК: H01L 21/203
Метки: кадмия, основе, светочувствительных, структур, теллуридов, цинка
...напыления линейно возрастала, Линейный нагрев испарителя обеспечивался с помощью модифицированного терморегулятора, До достижения испа1825431 Формула изобретения Составитель А,БеляевТехред М,Моргентал рректор В,Петраш ор при ГКНТ СС Тираж Подписное дарственного комитета по изобретениям и открыти 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Заказ 2235 ВНИИПИ Го роиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 1 рителем температуры 450 С поток к напыляемым структурам перекрывался специальной задвижкой. В испаритель закладывалась навеска твердого раствора (2 по,7 СОо,зТе)ол (1 п 20 з)о,о 1. Масса навески выбиралась такой, чтобы было все вещество израсходовано в процессе напыления. Заранее определенная масса навески...