Способ изготовления транзисторных структур

(5) ГОСУДАРСТВЕННО ВЕДОМСТВО ССС (ГОСПАТЕНТ ССС ПАТЕНТНО ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН 1) 2818145/25 Ра диффузионной области эми сти пассивной базы, ограничив таксильный эммитер, о т л и ч а тем, что, с целью повышения вы и уменьшения напряжения Осе,д полупроводниковую по руют примесью до удельного ния, по крайней мере, в 10 сопротивления базовой облас рование ограничения самой ба сти проводят на последн изготовления транзисторной с травливанием меза-областей.(54)(57) СПО ЗИСТОРНЫ мирование полупроводн коллектором и ее огранич чение самой базовой области проводят на последней стадии формирования транзисторной структуры путем оттравливания меза-областей,Сущность предлагаемого способа схематически поясняется чертежами, где на фиг. 1 показана высоколегированная кремниевая подложка 1, на которую эпитаксиальным способом нанесен слой кремния 2. . противоположного типа проводимости с концентрацией примеси ниже, чем в подложке 1. На эпитаксиальный слой 2 нанесен эпитаксиальный слой 3 кремния того же ти. па проводимости, что и подложка 1. На фиг.2 изображена подложка 1 со слоями 2 и 3. На слое 3 выращена окисная пленка 4, в которой вскрыты окна 5, через которые сформирована разделительная область 6, ограничивающая область эмиттера 7 и замыкающаяся с базовой областью 2, На фиг.3 изображена подложка 1 со слоями 2, 6, 7 АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Дэнси Дзайра, 1974, гв 9, с, 21-26Патент ЯпонииЬВ 46 - 31164, кл. 99(5)Е 2,. 1971. СОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАН- Х СТРУКТУР, включающий форна легированной примесью иковой подложке, служащей эпитаксиальной области базы ения, эпитаксиального эмиттеИзобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано, в частности, при изготовлении дискретных транзисторов.Целью изобретения является повышение выхода годных структур и уменьшение напряжения насыщения ОсезаПоставленная цель достигается тем, что в способе изготовления транзисторных структур, включающем формирование на легированной примесью полупроводниковой подложке, служащей коллектором, эпитаксиальной области базы и ее ограничения, эпитаксиального эмиттера, диффузионной области эмиттера и областей пассивной базы, ограничивающей эпитаксиальный эмиттер, полупроводниковую подложку легируют примесью до удельного сопротивления, по крайней мере, в 10 раз меньше сопротивления базовой области, а ограниттера и облаающий эпиющийся хода годйых насыщения дложку леги- сопротивлераз меньше ти, а формизовой облаей стадии труктуры от. и сформированной сильнолегированной областью эмиттера 8 и ограниченной Областью 7, На фиг. 4 изображена сформированная транзисторная структура с изготовленной змиперной 9 и базовой 10 металлизацией и оттравленными канавками 11, ограничивающими базовую область 2.В качестве конкретного примера исполнения приведена технология изготовления мощного кремниевого транзистора типа КТ 805,Исходным материалом является кремний электронного типа проводимости с удельным сопротивлением 0;01 Ом/см. На подложку 1 и толщиной 200 мкм из вышеуказанного материала наносят эпитаксиальный слой 2, с удельным сопротивлением 2,5 Ом/см и толщиной 15 мкм, Слой 2 имеет проводимость р-типа. На этот слой 2, также методом эпитаксии наносят слой кремния 3 электронной проводимости, удельным сопротивлением 1 Ом/см и толщиной 5 мкм, Затем кремниевую подложку 1 с выращенными слоями 2, 3 окисляют при температуре 1150 С в течение 3-х ч в атмосфере кислорода. При этом. на эпитаксиальном слое вырастает слой окиси кремния 4, толщиной 0,5-0,6 мкм. После этого в слое 4, методом фотолитографии вскрывают окна 5 под диффузию бора, Диффузию бора проводят при температуре 1150 С в течение 3-4 часов в атмосфере кислорода,После создания изолированных областей эмиттера 7, в окисной пленке 4 вытравливают окна под диффузию эмиттерной примеси. Диффузию эмиттерной примеси осуществляют при ТС в течение 30-40 мин из паров РСз. В результате диффузии 5 фосфора получили диффузионную областьэмипера 8.Далее фотолитографическим методомвскрывают окна под контакты, напыляют слой алюминия толщиной 2-2,5 мкм и опять 10 с помощью фотолитографии создают контакты 3, 10 к областям 6 и, 8. После этого структура защищается фоторезистором и оттравливается мезе область 11. Глубина травления 25-30 мкм. Травитель состоит из 15 плавиковой, уксусной и азотной кислоты ссоотношением 1:1:6. Далее кремниевую пластину разделяют на кристаллы и кристаллы напаивают к ножке на эвтектику АцЯ или Ац-бе.20 Описанный способ позволяет упроститьтехнологию создания транзисторов с низкой концентрацией примеси в эмиттере и значительно повысить выход годных, а также снизить напряжение насыщения транзи сторов Осе. Из-зд Возможности использовать более высоколегированной подложки с удельным сопротивлением по крайней мере в 10 раз меньше сопротивления базовой области.30Использование в производстве описанного способа позволит улучшить параметры существующих транзисторов и упростить технологию их изготовления..Андрушенко . аказ 2833 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4(5роизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 10