Способ изготовления полевого транзистора с затвором в виде барьера шоттки

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТ ИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 1)5 Н 01 38 Нрок поле и моае ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯТРАНЗИСТОРА С ЗАТВОРОМ ВРА ШОТТКИ(57) Изобретение относитводниковой микроэлектрон быть использовано нри изготовленииолевых транзисторов с затвором в виде барьера Шоттки, Целью изобретенияявляется повышение быстродействия засчет уменьшения длины затвора, Способ изготовления полевого транзистора включает формирование многослойного затвора, состоящего из слоя титана, ванадия и, например, золота, Толщина слоя титана составляет , 0,010,03 мкм, а толщина слоя ванадия составляет 0,1-0,3 мкм, Конфигурацию.элентрода получают путем последовательного формирования конфигурациизатвора в слоях, В слое ванадия соответствующую конфигурацию получаютплазмо"химическим травлением. 1 табл,13350Изобретение относится к полупроводннкбвой микроэлектронике и можетбыть использовано. при изготовленииполевых транзисторов с затвором в ви 5де барьера Шоттки,Пелью изобретения является повышение быстродействия за счет уменьшения длины затвора.Полевой транзистор с барьером Шоттки согласно изобретению представля"ет собой полуизолирующую: СаАв подложку толщиной 100"150 мкм, на поверхности которой имеется проводящийслой того же материала толщиной 0,2 мкм 15с концентрацией электронов 210"см .На поверхности проводящего слоя сфор"мированы омические контакты истока истока, представляющие собой двухслой"ную систему ЛцСе (127) 0,05 мкм и 20Ац - 0,4 мкм, Иежду электродами истока и стока на поверхности СаАв сфор"мирован электрод затвора со структурой Та-Ч-Ац. Толщины слоев равны соответственно 0,03 мкм 0,2 мкм и 250,5 мкм. Ширина Ац металлизации равна1 мкм, а Тд и Ч - 0,6 мкм,Данная конструкция может быть изготовлена следующим образом. Ва поверхности эпитаксиальной СаАя струк- ЗОтуры на йолуизолирующей подложкеметодом вакуумного напыления наносят слой АцСе (127) и Ац толщиной соответственно 0,05 мкм и 0,4 мкм, Затем методом Фотолитографии с применением ионно-химического и химического способов травления формируютэлектроды истока.и стока которые за 9отем вжигают при температуре 480 С втечение 30 с с целью получения омических контактов, имеющих низкое переходное сопротивление. После этогона всю поверхность подложки последовательно напыляют слои Т 1, Ч соответствующей толйины и слой Ац толщиной0,5 мкм. Затем методом Фотолитографиина поверхности слоя Ац Формировали 47 2Фоторезистивную маску, через которую производили ионное травление Ац. Затем последовательно удаляли не защищенную Ац часть слоев Ч и Т 1, Травление слоя Ч осуществляли в плазме СР+ 0 в течение 3,5 мин, что обеспечивало боковое подтравлнвание 0,2 мкм на сторону, Т травили химически в смеси НР:БИО ;П 0 щ 1:1:98,При ширине фоторезистивного отпечатка, например, 1 мкм ширину полоска Тх получали равной 0,5-0,6 мкм, Принципиально описанная технология позволяет получать полоски шириной 0,3 - 0,4 мкм. Другие примеры выполнения приборов при различных толщинах слоя Т и. Ч представлены в таблице,Формула изобретения Способ изготовления полевого транзистора с затвором в виде барьера Шоттки, включающий формирование истока, стока и соответствующих электродов к ним, а также формирование многослойного электрода затвора путем последовательного нанесения слоя титана, промежуточного слоя и слоя высокопроводящего металла, о т л и ч а" ю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия за счет уменьше" ния длины затвора, промежуточный слой выполняют из ванадия толщиной д , коч торая определена следующим соотноше нием: д" 0,1 " 0,3 мкм, а слой титана выполняется толщиной Й;, которая определена следующим соотношением (1 О, 0 1 - О, 03 мкм; ко фигурац электрода получают путем последовательного Формирования конфигурации затвора в слоях, при этом соответствующую конфигурацию в слое ванадия получают плазмо-химическим травлением.335047 Свойства полевых транзисторов Минимальная Пример 0,6 300 0,6 360 0,6 450 4 0,05 0,2 Хорошая 0,6 450 5 0,06 0,2 Отслой 6 0,03 450 0,08 Хорошая 450 0,8 0,6 450 9 0,03 0,3 Хорошая 0,4 450 10 0,03 0,4 Отслой метал,1,0 250 11 0,1 Хорошая Составитель Т, ВоронеацеваТехред И.Дидык Корректор М. Лемчик Редактор Н. Коляда Заказ 2828 Тиры ВНИИПИ Государственного комитета .С";СР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г, Уагород, ул. Проектная, 4 Толщина Толщина Оценкаслоя слоя 7, адгеТ мкм мкм зии ширина затвора приширине отпечатка 1 мкм 1 0,008 0,2 Хорошая 2 0,01 0,2 Хорошая Э 0,03 0,2 Хорошая 7 .0,03 О,1 Хорошая 8 0,03 0,2 Хорошая Температура начала деградации барьео ра Шоттки, С