Способ изготовления фотошаблонов

(19) (1 1215081 А 01 1 21/00 504 С 03 С 11/ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ / ТОРСКОМ Е В ованным в нем ри устройства функоники. Для устипа "прокол" по м из свет атериэксТОШАБЛО -СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН лусозОВ 57 ичноокаль -г е -для м пионал ат выш сти лас ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) Патент США У 3804623,кл. 96-47, опублик. 1974. зобретение относится к технизготовления фотошаблоновкросборок, устройств функьной электроники и печатныхЦелью изобретения являетсяние качества и износостойфотошаблона. На стекляннуюну наносят первый маскирующий слой с форм сунком топологи циональной элек ранения дефекта второму нанесен чувствительного негативного м ала производят избирательное понирование в зонах дефектов контуру рамки сформированным чением. При этом над дефектам даются непрозрачные для актин го излучения области в виде л ных маскирующих покрытий. В к стве светочувствительного сло можно использовать негативно раб тающие диазосоединения с различными механизмами образования изо ражения, 1 з,п, ф-лы, 6 ил.Изобретение относится к технологии изготовления фотошаблоновдля микросборок, устройств Функциональной электроники (УФЭ),включая ИС, и печатных плат.В производстве микросборок,УФЭ и печатных плат широко применяется фотолитография, главным инструментом которой является фотошаблон. От качества и износостойкости Фотошаблонов зависит производительность труда и качество готовой продукции.Цель изобретения - повышениекачества и износостойкости фотошаблона.На фиг, 1-6 условно показанапоследовательность формированияизображения на фотошаблоне предлагаемым способом.На стеклянную пластину 1 (Фиг.1)наносится известным способом первый маскирующий слой 2 (хром,окись хрома+хром, окись железа),в котором сформирован рисунок топологии 3 УФЭ, В виде узких прозрачных окон в слое 2 показаны местадефектов 4 типа "прокол", Далеенаносится фиг. 2) второй слой 5из светочувствительного негативного материала, По этому слою производят (Фиг. 3 избирательное экспонирование в зонах дефектов 6 и по контуру рамки 7 сформированным излучением, например излучением ультрафиолетового лазера. Облучение можетпроизводиться как со стороны подложки, так и со стороны светочувствительного слоя. После облучения исоответствующей обработки (проявления) второго светочувствительногослоя над дефектами создаются непрозрачные для актиничного излученияобласти в виде локальных маскирующих покрытий 6 (фиг. 4, 5), причемфиг. 4 относится к случаю применениясветочувствительных материалов собразованием вымывного рельефа, афиг. 5 - к случаю образования локального маскирующего слоя внутриполимерного слоя.Локальное экспонирование зон дефектов может осуществляеться на операции контроля дефектов топологии рисунка фотошаблона или после нее с использованием установки ретуши фотошаблонов.1215081 5 10 15 20 25 3035 40 45 50 55 Общий вид фотошаблона с условным изображением топологии устройства показан на фиг. 6. Толщина второго Светочувствительного покрытия не превышает нескольких микрон. Образуемый вторым слоем гарантированный зазор между фотошаблоном и подложкой УФЭ не приведет к искажениям изображения при последующих фотолитографических операциях.В качестве светочувствительного слоя можно использовать негативно работающие диазосоединения с различными механизмами образования изображения. Например, такие диазосоединения, которые, разрушаясь под действием Уф света, образуют продукты взаимодействия с оставшимися диазосоединениями с образованием красителя.В качестве негативно работающих материалов можно предложить материалы, дающие везикулярное изображение. Диазосоединения являются светочувствительной составной частью этих материалов.При экспонировании слоя светочувствительное вещество под действием лучистой энергии разлагается с выделением некоторого количества газа, который при нагревании слоя собирается в микроскопические пузырьки, рассеивающие свет. Получение изображения на везикулярных материалах состоит из трех операций: экспонирование, проявление, фиксирование. Таким образом, процесс обработки достаточно прост.Высокой разрешающей способностью обладают металдиазониевые материалы, а также материалы на основе диазосульфонатов и диазосульфидов.Металлдиазониевые фотографические материалы содержат в светочувствительном слое диазониевую соль и соль какого-либо металла, способную легко восстанавливаться до металлического состояния. При достаточной дозе лучистой энергии и достаточном количестве в слое диазониевой соли и соли металла можно непосредственно получать видимое изображение, но возложен процесс с образованием скрытого изображения и последующим Физическим проявлением.Диазосульфонаты (и диазосульфиды) под действием Уф облученияг.1 Уиг.г 3 1 переходят в активную форму.При экспонировании в слое образуется скрытое изображение, состоящее из металлических зародышей серебра или ртути. Это изображение становится видимым в результате физического проявления.Помимо диазосоединений простотой использования отличаются фотохромные соединения. При получении изображений на фотохромных слоях используется явление фотохроизма. Сущность фотохроизма заключается в том, что при воздействии лучистой энергии фотохромное вещество мгновенно меняет свой цвет без дополнительной обработки. К достоинствам этих материалов относятся высокая скорость получения изображения, высокая разрешающая способность, возможность многократного использования фотохромного материала. Локальное маскирующее покрытие второго слоя обеспечивает устранение дефектов типа "прокол" и защиту рабочей поверхности фотошабло 215081 4на в процессе его эксплуатации за счет гарантированного зазора между фотошаблоном и подложкой изготавливаемого УФЭ. Локальные покрытия 5легко снимаются в случае их износа и восстанавливаются, что позволяет реставрировать фотошаблоны. Формула изобретения 1 О1. Способ изготовления фотошаблонов, включающий формированиеизображения в маскирующем слое,экспонирование и проявление с последующей локальной ретушью фотошаблона с помощью кроющего материала, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения качества и износостойкости фотошаблона,в качестве кроющего материала используют светочувствительный негативный материал, а локальную ретушьосуществляют путем избирательногоэкспонирования в зонах дефектов.2. Способ по п. 1, о т л и ч аю щ и й с я тем, что экспонирование кроющего материала осуществляют по контуру рамки фотошаблона.1215081 Составитель А. ДобрыдневРедактор О.Колесникова Техред А,Бабинец Корректор М.Демчик Заказ 906/55 Тираж 437 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5