Полевой транзистор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
1221690 Изобретение относится к микроэлектронике и направлено на создание полевых транзисторов.Целью изобретения является уменьшение мощности отпирающего сигнала, повышение коэффициента усиления и быстродействия полевого транзистора с управляющим Р-в -переходом.На фиг.1 и 2 представлен полевой .транзистор, соответственно в закрытом Ю и открытом состояниях, разрез.На схемах обозначено; полупровод" никовая подложка 1 первого типа про- . водимости, полупроводниковый слой 2 второго типа проводимости, высоколе гированные области стока 3 и истока 4 второго типа проводимости, область затвора 5 первого типа проводимости с омическим контактом к ней и электродом, приповерхностная высоколеги рованная область 6 второго типа проводимости .с омическим контактом к ней и электродом.Характерные структурные и геометрические параметры полевого транзистора следующие: концентрация примеси в подложке й- 10 -10 см-, конрцентрация примеси в полупроводниковом слое 2 и -типа проводимости й 10 -10 см , а его толщина 0,1 Ч Б2 мкм, концентрация примеси в области затвора 5-типа проводимости Йд " 10 -10 см , а его толщина 0,1-1,0 мкм, концентрация примеси в приповерхностной области 6 п -типа проводимости 1 о ф 10 см .На чертежах пунктирными линиями отмечены границы областей пространственного заряда (ОПЗ).и -переходо штриховой - сами ОПЗ.Для работы предлагаемого транзистора необходимо выполнение следующих условий на расстояние 1, от подложки до области затвора и расстояние от области затвора до приповерхност ной высоколегированной области: отко Условия (1) и (2) означают, чтов предлагаемом устройстве при низком 25 уровне напряжения на области 6, непревышающем /Оо/ ОПЗ 3, и д в слоесмыкаются, а ОПЗ 4, и / в областизатвора 5 не смыкаются, так что полевой транзистор закрыт и между об 3 р ластями стока и истока отсутствуетканал в слое 2 для протекания тока.Когда напряжение на области б, равноили превышает величину 10 отх, то ОПЗ3, и 0 не смыкаются, а ОПЗ Зо исмыкаются. При этом в слое 2существует канал и полевой транзистор открыт.При указанных параметрах слоев ви областей полевого транзистора на" 40пряжение 0 составляет величину 0,1 т0,5 В, напряжение Ц" 1-3 В, а на",пряжение Оо0,2-0,5 В. Наличиедополнительного омического контактас электродом к области затвора 5455 йозволяет в открытом состоянии транзистора в результате подачи напряжения на область затвора увеличить напряжение обратного смещения на Р-и- ) переходе между областями 5 и 6, что50 увеличивает входное сопротивление иуменьшает входной ток. Зто позволяетуправлять устройством с помощью.маломощных входных сигналов. Причемтолько при наличии омического контак.55 та с электродом выводом к области 5обеспечивается достижение условий(1) и (2), необходимых для нормальной работы. где о и к - области пространственного заряда в слое полупроводника противоположного подложке типа проводимости соответственно со стороны подложки и области затвора. области пространственного заряда в областизатвора соответственно со стороны слоя полупроводника противоположного подложке типа проводимости и состороны приповерхностной высоколегированнойобласти;напряження смещенияобласти затвора;напряжения смещения,приложенные между приповерхностной высоколегированной областьюи подложкой соответственно в открытом изакрытом состоянияхполевого транзистора,причем / О, / ъ /О,/,1221690 оставитель В. Хайновский ехред В.Кадар Корректор Л. Пилипенко ктор К. Волощук Заказ 1616/5 1130 тент", г. Ужгород, ул. Проектная ППП Фи Тираж 643 ВНИИПИ Государственногпо делам изобретени 35, Москва, Ж, Ра Подписноекомитета СССРи открытийская наб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
3805495, 26.10.1984
МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
КРЕМЛЕВ ВЯЧЕСЛАВ ЯКОВЛЕВИЧ, МУРАШЕВ ВИКТОР НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 29/80
Метки: полевой, транзистор
Опубликовано: 30.03.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1221690-polevojj-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полевой транзистор</a>
Триггер с эмиттерной связью на транзисторах разного типа проводимости
Номер патента: 748812
Опубликовано: 15.07.1980
МПК: H03K 3/2893
Метки: проводимости, разного, связью, типа, транзисторах, триггер, эмиттерной
...в пряго транзистора, ре- мом направлении, то цепь положительной обгрузки, включенный ратной связи замкнута, и при выходе транпитания и коллекто зистора 1 из насыщения в схеме развиваетсястора, резистор свя 25 лавинообразный процесс обратного опрокиго подюцоченк ами дывания. Этот процесс продолжается доистора, введеньс до- момента запирания диода 4, после чегор и разделительный цепь положительной обратной связи окадополннгельного зывается разорванной, и схема возврак шине источника 50 щается в исходное состояние.ектору выходного Поскольку эмиттер транзистора 3 соетор - к точке сое- динен с шиной источника питания непосреда резистора связи с ственно, а рабочая точка атого транзисторазделительного диода перемещается в процессе работы...
Мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости
Номер патента: 653735
Опубликовано: 25.03.1979
Автор: Спиричев
МПК: H03K 3/28
Метки: двух, мультивибратор, проводимости, разного, типа, транзисторах
...разного типа провэдимости по авт. св; М 400006, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения скважности и периода формируемых импульсов, в него введены транзистор, конденсатор, резистор и диод, причем коллектор транзистора, включенного по схеме с общей базой, соединен с источником тока через базо-эмиттерный переход дополнительного транзистора, коллектор которого через дополнительные резистор и диод соединен с базой транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и через дополнительный конденсатор со своим эмиттером и с кэнденсатором время- задающей цепи. 07/42 Тираж 1059 Подпис ЦНИИПИ За лиал П 1 П фПатент г, Ужгород, ул, Проектная, 4 На чертеже приведена принципиальная схема мультивибратора,Мультивибратор содержит...
Компаратор на транзисторах разного типа проводимости
Номер патента: 725220
Опубликовано: 30.03.1980
МПК: H03K 5/20
Метки: компаратор, проводимости, разного, типа, транзисторах
...помехоустбйчивость к воздействию разнообразных помех. В процессе работы сравниваемое напряжение П изменяется в направлении сближения. с опорным уровнем Бор . На конденсаторе 6 напряжение П возрастает, достигая в мо 15 20 25 мент 1 опорного уровня ППри этом траиэистор 1 переходит в активный режим работы и отпирается диод 3; транзистор 2 и диод 4 все еще остаются в запертом состоянии, При выборе .достаточно малым сопротивления резистора 7 и большим сопротивления 5 источник . смещения Е в принципе может и отсутствовать. После отпирания транзистора 1 и диода 3 помехоустойчивость компаратора к изменениям электрического режима работы транзисторов остается на достаточно высоком уровне. Так изменения напряжения источника 40 питания Еп меняют...
Способ измерения напряжения пробоя при анодном окислении арсенида галлия n-типа проводимости и устройство для его осуществления
Номер патента: 1042531
Опубликовано: 23.08.1989
МПК: H01L 21/66
Метки: n-типа, анодном, арсенида, галлия, окислении, пробоя, проводимости
...галлия и-и -типа с концентрацией носи% 6 телей тока в а-слое 2 10, 1,5 10 5 ,10425лелепипеда, В ячейке установлены ка"тод 4 и образец 5, являющийся анодом, Ячейка снабжена фторопластовойкрышкой 6, стальными зажимами 7,8 изаполнена электролитом. Внешняя электрическая цепь состоит из источника9 белого света, источника тока 10"прибора 11 для регистрации напряже"ния на электродах электрохимической 10ячейки, Устройство содержит также,массивное основание 12, линзу 13,источник 14 стабилизированного напряжения, ключ 15, магнитную мешалку 16. 15На фиг,2 приведена зависимость напряжения пробоя от времени предвари"тельного (темнового) анодирования,где кривая 17 соответствует условиям:Н= 610, плотность тока 1=3 мА/см, 20время выхода на насыщение...
Считывающее устройство прибора с зарядовой связью
Номер патента: 1009249
Опубликовано: 30.03.1994
Автор: Фетисов
МПК: H01L 27/04
Метки: зарядовой, прибора, связью, считывающее
СЧИТЫВАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ПРИБОРА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ , включающее полевой полупpоводниковый электpод, pасположенный над участком канала пеpеноса заpяда и полевой тpанзистоp, отличающееся тем, что, с целью упpощения констpукции и увеличения эффективности считывания, последний выполнен в полевом полупpоводниковом электpоде и оpиентиpован pабочей повеpхностью к участку канала пеpеноса заpяда.
Предыдущий патент: Способ изучения распространения искусственных аэрозолей в воздухе
Следующий патент: Зажимное соединение электроаппарата
Случайный патент: Приспособление для съемки верхнего ярма трансформатора с разъемным сердечником для нагрева бандажей