Патенты с меткой «свч-планарного»

Номер патента: 598468

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Асессоров, Булгаков, Горохов

МПК: H01L 29/70

Метки: мощного, свч-планарного, транзистора, транзисторная, ячейка

...транзисторов при высоких КСВН), посколькупри этом неизбежно уменьшение выходной мощности насыщения и КПД из-завозрастания последовательного интегрального сопротивления слоя коллектора.Таким образом вариант прототипапри суммарной толщине двух слоев вмкм не может обеспечить надежную(безотказную работу) транзисторов вусловиях рассогласования при большихКСВН. Лучшее, что может обеспечитьтакая структура - это устойчивуюработу при КСВН=1,5-3.Целью изобретения является обеспечение полной устойчивости транзистора ко вторичному прибою.Укаэанная цель достигается тем,что верхний эпитаксиальный коллекторный слой, прилегающий к базовой598468 4 мер,йд= 2,0 0 см З, что соответствует-2,5 Ом см) . При этомоказывается, что транзистор неспособен...