Кокориш

Номер патента: 902238

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Агаханян, Кокориш, Михеев, Рогаткин, Стенин, Цеплис

МПК: H03K 5/24

Метки: компаратор, напряжений

...при этом напряжение на коллекторно-базовом переходе выходного транзистора каскада 8 близко к нулю, т.е. этот транзистор не входит в глубокое насыщение, что способствует более быстрому обратному переключению компаратора, так как не затрачивается время на рассасывание избыточных носителей заряда, накопленных в выходном транзисторе каскада. Непосредственно в момент переключения оказывается открытым лишь первый эмиттерный переход 3 90223 щения транзистора ключевого каскада заведомо большей величины, что при" водит к снижению быстродействия известнсио устройства. Снижение быст" родействия обусловливается также и значительным временем нарастания фронта сыходного сигнала.Таким образом, недостатками устройства являются малое быстродействие и...

Номер патента: 813753

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Вартинь, Кокориш, Коломбет, Михеев, Осокин, Цеплис

МПК: H03K 5/22

Метки: компаратор

...с выходной клеммой 14,анод иода 12 подключен к кол.ек.ору кастранзистора 9, дооительноденный резистор 15 соединен с эмиттерами30транзисторов 1 и 2 и базами каскадныхранзнсторов 8 и 9, которые соединены сэмиттером введенного транзистора 16, база которого соединена с коллектором транзнстора 9, а коллектор -- с шиной 12 пи И 5.Устройство работает следующим образом.Если в начальный момент протекает ток с входной клеммы 3, а с входной клеммы 4 ток равен нулю, то ток, протекающий через резисторы 10 и 11 и диод 13, втекает в трап зистор 8, а затем в транзистор 2 и резистор 6. В резисторе 7 и транзисторах 1 и 9ока нет. На выходе дио,ом 13 устанавливается уровень логическогь нуля, равный напряжению базы транзстора 8, т. е. ни один из...

Номер патента: 538639

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Бузынин, Клыков, Кокориш, Смородина, Шефталь

МПК: H01L 21/20

Метки: монокристаллических, наращивания, неорентирующей, подложке, слоев, эпитаксиального

...вдОль Баправдении1 ХОуСогдасно предложенному способукристаллическуО пдастипу кремния Ортадни1 Х 1, толщиной ЗОООт до 13.кдасса чистоты поверхнтеь. химически снимают нарушенокисляют пластину в атмосфере кипри 98 ООС и течение ЗО мин, Засят. Ба слой Окисда фОтОрезпст и прдйт экспонирование узора, ориентировдоль направлении О.ХО пластиныде проявления и задубдивания фоторпроизводят седектнвное травдениев травнтеле состава НГ:БИО,СНСоставитель В. АникииРедактор Т. Орловская Техред А, Богдан Корректор Д, Мельничэщо Заказ 174 ОО 64 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/8Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 водят вакуумное...

Номер патента: 509548

Опубликовано: 05.04.1976

Авторы: Витола, Кобзарь, Кокориш, Седмале, Седмалис, Цимдинь

МПК: C03C 3/12

Метки: стекло

...1-10 содержит хими ЧЭ (вве14,2-35,6;10,2;Сы,О 0,5-3 0,5-3 0,5-5 О, 1-3 РЬО 250 0,2 С 30 9,1 ФОМоОМьо2 5 Сост ав и те л ь Г,С едмашРедактор И.Квачадзе Техред И.Карандашова Корректор Н.Аук ФПодписное Тираж 576 Заказ 519 З П 111 П 4 Ш 1 Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, П 3035, Раушская наб., 4 Филиал ППГ "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3порошка стекла с размером зерен менее60 мк в интервале температуо 300-600 Св течение 4 час) не кристаллизуетсяоТемпература размягчения, С 280-320Температура оплавленияпорошка стекла с размеромзерен порядка 0,1 мк впленку, оС 400-450 Коэффициент линейного терми- Оческого рйсуирения (КТР) винтервале 20 уООС г а, 1 (70-85) 10Диэлектрическая...

Номер патента: 454284

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Клыков, Кокориш

МПК: C23C 13/12

Метки: испаритель, паро-газовых, прямоточный, смесей

...испаритель.Испаритель содержит цилиндрический сосуд 1, например, из кварца, разделенный на две части перегородкой 2. Нижняя часть испарителя представляет емкость 3 для испаряемого вещества, снабженную трубкой 4 для наполнения этой смкостц испаряющимся веществом (лигатурой). Верхняя часть испарителя (камера 5 насыщения) снабжена трубками ввода б и вывода 7 газа-носителя, Йс 5 паритель с установленным в нем капилляром8 помещен в термостат 9, внутри которогоциркулирует термостатирующая жидкость.Испаритель работает следующим образом,Газ-носитель проходит через камеру 5 насы 10 щения, где захватывает пары легцрующегокомпонента с поверхности капилляра 8. Диаметр капилляра определяется в зависимостиот требуемого диапазона концентрации лигатуры...

Номер патента: 306593

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ечбл, Калнач, Кокориш, Кундзинь, Рижский

МПК: H05K 3/00

Метки: rj-erif-j, всггсоюзнаяfi

...рассчитанную на соответствующее число плат, затем присоединяют выводы ц проводники к контактным площадкам микросхемы на платах, каждую плату отдельно герметизируют в пластмассу, отсекают выводы от рамки и технологические перемычки от выводов и проводников, изгибают проводники между платамц таким образом, чтобы платы распалась ались одна цад другой, и скрепляют цх в однц блок, Таким образом получают конструкцию микросхемы, у которой все выводы расположены с одной стороны, благодаря чему можно устанавливать ее плоскими сторонами перпендикулярно к печатной плате и рационально использовать ее площадь, следовательно увеличить плотность монтажа аппаратуры.Кроме того, в случае необходимости можно получить дополнительные выводы, частьдиктор...

Номер патента: 107450

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Кокориш, Красилов, Шефталь

МПК: C30B 25/02, C30B 29/06

Метки: германия, заданным, кремния, монокристаллов, примесей, содержанием

...еще далеко це совершенны ввиду трудностей регулировки концентрации и распределения примесей.13 этом гаправлеции описываемый спосоо полусци 5 аОцористаялических пленок германия ц крстпия является перспективным,С пинось способа за я в меется возможность гдллическую плсцспределением прибыл получен мо- слоИ германия с иостьо толнной гике чистого гернесколько десятых цокрцстд, иическиидыро иой проводло 40 ,иг ца пластаация толщиной вмиллиметра.Такие пласгиць)леция в гих индиядов типа Р Р игодцы для вила получения три Грсдтст цзобретени овле- соедисокоИФподя ил фазу те га- И, ко- водосте с следующем.Пленки германия и кремния,зующцеся в результатс восставцця волоролом цх хлорисаыхцсций зеС 1 и 51 С 1) при вьтемпературе, кристаллизуются...