Полупроводниковое устройство с полевым управлением

(11) 434871 Республик ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДВТВДЬСТВУ. Кл.011. 2 Гаоуаоротвенный ноинтоВоавта Инннотров СССРно делан нзобретеннйн открытая(72) Автор изобретения оляко 11 71) Заявитель ОЛЕВЫМображено предпаможных вариантов На чертемое устрой Изобрете ементам па остоянных ройствах элекано уст. базы лчт Устройство содержит область 1проводимс,;ти; область анода р типа про оди мости; слой 3 титзната бария толщиной 5 размещенный над р-д.переходом; контакт 4; к такты 5 и 6 соответственно к областям 1 и 2.Работает устройство следующим образом.Если между контактами 5 и 6 приложено напряжение отрицательной полярности относительно контакта 5 по величине меньшее напряжения пробоя р-л-перехода на границе областей 1 и 2, то устройство находится в выклточеииом состоянии, В этом режиме ток через устройство определяется обратным током указанного р-л .перехода, Если к контакту 4 приложено напряжение положительнойотносительно контакта 5 полярности, то происходит поляризация слоя 3, вследствие иаконления заряда в котором прииоверхностная часть области 1 обо. гащается основными носителями, Модуляция проводимости 1 ведет к уменыценив напряжения пробоя р.,л-нерехода, При заданном между контак. тами 5 и 6 напряжении шпания р-л-переход пробивается, н ток через устройство отпределиещ 1 тва с евым мкм,онеатвором, . естные устройствааданное по входной цепи повторной подач Однако сохранять з отклтече пни питания. снос обны щ пристояки апр ого томкасо 9ня,23) Приоритет43) Опубликовано 05.07.7 ние относится к полупроводник мяти и может быть использов и оперативных запоминакицих тронных вычислительных машин полупроводниковые устрой с барочны м переходом и понапример полевой транзис Цель изобретения . сохранение установленнпо входной цепи режима работы устройстваотключении и повторной подаче напр яжпитания.Цель достигается размещением лод контахполевого электрода слоя сегнетозлектрнка, вчестве которого можно использовать материалыструктурой перовскита, например титанат батолщиной 1100 мкм. Наибольшая чувствитеность устройства к сигналу управления при вкой температурной стабильности достигаетсятолпвпте слоя сегнетоэлектрита 5-10 мкм,летень25 (53) УДК621382323 (088.8 ння 12 11.77Редактор И, Орлова Корректор М, демчук Заказ 2 36/223 Тираж 976 Повислое ЩМИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретений и открьгпФ 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 нагрузкой к выходной цепи, При отключении иповторной подаче напряжения питания устройствоостается во включенном состоящщ благодаря оста.очной поляризации слоя 3 и сохранению свяэаьщого с ней обогащения приповерхностной части об.ласти 1 основными носителями.Перевод устройства в выключенное состояниеосуществляется подачей на контакт 4 опюсительноконтакта 5 сипила отрицательной полярности. Вэтом случай происходит обратная поляризация слоя3, и появление связанного с ней отрицательногозаряда приводит к обедненщо приповерхноспгогослоя области 1 основнымн носителяьщ. Вследствиеэтого напряжение пробоя р.л. перехода возрастает, ипри задахиом напряжении питания устройствоостается в выключевгом состоянии. Очереднаяперезапись состояния устройства осуществляетсяйутем подачи на контакт 4 относительно контакта 5сигнала положительной полярности,Практически предлагаемое устройство можетбыть вьптолнено на основе современных техноло.гических приемов: планарной и элионной технологии, распыления взрывом в вакууме и др, Вкачестве сегнетоэлектрика могут быть использованыы монокристаллические слои титанатов барияили свинца, феррита висмута, получаемые методомраспыления взрывом в вакууме, и поликристаллические слои укаэанных материалов с размеромзерна 110 мкм,Предлагаемое устройство может быть исполь. зовано в многослойных полупроводниковых приборах, например тиристорах и др.Предлагаемое полупроводниковое устройство с полевым управлением может быть использовано в качестве исходного элемента памяти при построешш постоянных н операпгвных запоминающих устройств с произвольной выборкой и нераэру. щаюпуми считыванием и перезаписью информащти, сохраняемой при отключении и повторной подаче напряжения питания,Формула и зоб ре тени я 1. Полупроводшковое устройство с полевым управлением, например МОП - транзистор на основе структуры Р п (л-Р) - типа с изолированным полевым электродом, отличающееся тем, что, с целью сохранения установленного по входной цепи режима работы устройства при отключении и повторной подаче напряжения питания, в качестве изолятора полевого электрода использован сегне. тоэлектрик, например титанат бария.2. Устройство по п. 1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что толщина сегнетоэлектрика составляет 11 ОО ьм,