Способ измерения концентрации примеси в полупроводниках

Номер патента: 240853

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Волхов, Лукь, Пантуев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводника, примеси, распределения, толщине

...Лг.От генератора 1 смещения к контактам исследуемого образца через резистор приложены импульсы линейно нарастающего напряжения смещения, повторяющиеся с частотой 1 кггг. Кроме того, к образцу подводится переменное напряжение от генератора 2 высокой (радио) частоты Ь,з 1 по 1 через конденсатор, величина которого выбрана существенно меньшей любого возможного значения емкости исследуемого образца. Вследствие этого амплитуда с 1 напряжения высокой частоты на образце обратно пропорциональна его емкости: Контур резонансного фильтра 5, подключенный к образцу через небольшую емкость, служит фильтром для отделения сигнала высокой частоты от импульсов генератора смещения. Осциллограмма напряжения (У 61 пьг) на контуре представляет собой...

Номер патента: 1368747

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Алексеев, Запорожченко, Коломейцев

МПК: G01N 23/227

Метки: анализа, количественного, металлах, полупроводниках, примесей

...от Ях, не содержащего примесей, при настройке спектрометра надлину волны Аз-К слибо как число импульсов от исследуемого образца принастройке спектрометра относительноЗ 5 линии Аз-К. Первый способ коррекциифона является предпочтительным, поскольку в этом случае нет необходимости в перестройке спектрометра идостигается более высокая точность,40 Предлагаемый способ позволяет исключить ошибку приопределении, связанную с неопределенностью дозы атомов примеси в анализируемом слое исследуемого образца, внедренных мето 45 дом ионной имплантации. Зто делаетвозможным проводить аттестацию образцов с неоднородным распределениемпримеси на глубину и использовать ихв качестве стандартных для градуи 50 ровки приборов технологического контроля изделий...

Номер патента: 1823035

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводника, физико-химических, характеристик

...квантов и эмиссии возбужденных электронов в вакуум.40 Если монохроматический пучок рентгеновского излучения с интенсивностью А=НОВ м, где Мо - число ежесекундно падающих квантов, а Ьэнергия кванта, падает под углом р к поверхности полупроводни ка, то на глубине 2 от поверхности в слое б 2возникнет Н(2) собственно рентгеновских первичных электронов, 8 еличина Н(2) будет складываться;во-первых иэ рентгеновских фото- и 50 Оже-электронов, возникающих в слое б 2при поглощении в нем падающего рентгеновского излучения. Полная энергия этой группы электронов 9/1(2):м и;55 ф,(4.Р(.е Р(- Ь ч)Х(Ь 4-Х Р;МЧ;) 1% Рдг где р - линейный коэффициент поглощения рентгеновского излучения с энергией кван- тОВ Ь Рл ПОЛУПРОВОДНИКОМ, Р 1 ЧаСтИЧНЫй линейный...

Номер патента: 415479

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: G01B 5/06

Метки: 415479

...причем разностенность измеряют путем прямых линейных измерений.Но известный способ трудоемок и требует большой затраты времени в процессе его использования.Цель изобретения состоит в снижении трудоемкости и сокращении времени измерений и достигается тем, что в процессе прессования стаканов измеряют усилия не менее чем в трех точках по периметру опорного пуансона и по соотношению измеренных усилий судят о величине разностенности.Предлагаемый способ определения разностенности осуществляют с помощью трех датчиков усилий, закрепленных на опорном пуансоне, например, ца равных расстояниях друг от друга по его периметру, и измеряющих в сумме равнодействующую силу реакций опор, равную усилию прессования, При смещении линии действия этой...

Номер патента: 958987

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Овчаренко, Панасюк, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примеси, профиля

...собой одну из одинаковых МДП-структур, сформированныхв едином технологическом процессе,й служит только для определения понему экспериментальным путем пара"метров импульсов формовки (амплитудыи их количества), измеряют неравновесную вольт-фарадную характеристи.-".,ку. По ней определяют величину обедняющего напряжения, соответствующегоминимальной емкости структуры, постоянную величину эмйссии неосновныхносителей с ловушек диэлектрика ь.,время жизни неосновиых носителей внеравновесной области пространственного заряда полупроводника , толщину неравновеснойобласти пространственного заряда при ее пробое И и .скорость насыщения дрейфа носителей Ч .Используя полученные параметрызадают амплитуду импульса формовки,которая должна...