Интегральная схема

еО и и св щФИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советскии Социалиатическин Республик(61) Дополнительное к авт, свид-ву(22) Заявлено 24.08,73 (21) 1955264/26-25 Кл,01 Ь 0 Государственный номитет Совета Министров СССР во делам изооретений и открытий(45) Дата опубликования описания 24,08(71) Заявител 4) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА к полупроводниосхемам, в част- электрической подложкой из пооводникового мас ок микросхе ржаший подкого кремни м соединением заявкиИзобретение относится ковым интегральным микр ности к микросхемам с д изоляцией компонентов и ликрпсталлического полуп териала. Известны полупроводниковые микросхемь межсоединения в которых содержат, по меньшей мере, одно пересечение, представляюшее собой легированную примесями область полупроводникового материала, На поверхности этой области размещены два омических контакта, к которым присоединены концы одного межсоединения, а другое межсоединение размещено на диэлектрическом покрытии между омическими контактами. В известных микросхемах с подложкой иэ поликристаллического кремния и диэлектрической изоляцией компонентов область пересечения размещается в углублении подложки, заполненном моно- кристаллическим кремнием и изолированном диэлектриком, вслетк:твие чего плотность размещения активных элементов невысока,Цель изобретения - повышение плотноти расположения элементов интегральной схемы,Поставленная цель достигается тем, чт пересечения межсоединений размещены не посредственно в подложке из поликристаллического полупроводникового материала, причем область пересечения представляет собой легированную, например, фосфором область поликристаллического кремния по д ложки.Удовлетворительные характеристики области пересечения достигаются в случае, если размеры зерен лоликристаллического кремния в атой области не превышают 2,0 мкм, Высокая воспроизводимость электрофиэических характеристик области пересечения достигается при размере зерен поликристаллического кремния в ней от 100 до 10000 АНа чертеже показан участмы с разрезом по А-А, соделожку 1 из поликрпсталличес Я с удельным сопротивлением около 2,10 омсм, размером зерен до 1 мки преимушественной ориентацией зерен в кристаллографической плоскости ( 1 10);углубления 2 в подложке 1, заполненные монокристаллическим кремйием с удельным сопротивлением 1 омсм и ориентацией в кристаллографической плоскости (111), изолированные слоем двуокиси кремния 3 толшиной 2 мкм; область 4 П -типа про водимости, созданной методом локальной диффузии примесей в поликристаллическом 10 кремнии подложки 1, и обладающей концентраВОцией примесей (фосфора) около 1 1 о см с геометрическими размерами 50 х 50 х 3 мкм; диэ лектрическое покрытие 5 из двуокиси кремния толшиной 0,5 мкм на поверхности области 1 4; омические контакты 6 и 7 к области 4, представляюшие собой слой алюминия толшиной 1 мкм; межсоединения 8 и 9, выполненные также из алюминия толшиной 1 мкм, шириной 10 мкм, 20 Концы межсоединения 8 подсоединены к омическим контактам 6 и 7, а межсоединение 9 размещено на диэлектрическом покрытии 5 области 4, Описанная конструк ция обеспечивает изолированное пересечение межсоединений 8 и 9 в микросхеме, размещенных в одной плоскости, В рабочем состоянии микросхемы достигается независимая передача информации по межсоедине ниям благодаря изоляции, обеспечиваемой диэлектрическим, покрытием 5.Размещение пересечения межсоединений 8 и 9 микросхемы в области подложки из поликристаллического кремния позволяет повысить плотность размешения компонентов микросхемы на единицу плошади подложки, так как в незанятых областями пересечения межсоединений углублениях подложки могут быть размещены дополнительные активные элементы, например диоды и транзисторы,Формула изобретенияИнтегральная схема, включающая поликристаллическую подложку, активные и пассивные элементы, размещенные в изолированных диэлектриком участках монокристаллического полупроводника, системуметаллизированных межсоединений с пересечениями, о т л и ч а ю щ а я с я тем,что, с целью повьпнения плотности размещения элементов на кристалле, пересечения межсоединений выполнены в виде расположенных непосредственно в подложкевысоколегированных участков с размерамизерен поликристалла, не превышаюшими2 мкм,, Левицкая Корректор Н, Ко ев каз 2191/224 Тираж 976" Ш 1 ИИПИ Государственного комитета Совет по делам изобретений и открыти 113035, Москва, Ж, Раушская н