Способ формирования защитного рельефного изображения

Союз Советскин Социал истицеских РеспубликОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДИИДЬСТВУ(22) Заявлено 25,04 с присоединением з 1) М 60 Н О 5/ОО 21/7 исударстееннын номнтетовета Мнннстров СССРпо делам нзобретеннйн отнрытнй 3) Приорите 06,77 Бюлле 43) Опубликован 3) УДК 621,396,6 181 Л (088.8) ь04,08. 7(45) Дата опубликования описа Авторыизобретения Ю. А. Кулагин. П, Калошкин, В, Н. Катун 73) Заявитель СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАЩИТНОГО РЕЛЬЕФНОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ сло лен Феднаэначен для орезистовых изоспособность его пределом у ЧТО 15 льзовать позитив щающая способолекулярномуровко этот способ пр я негативных 1 фот и езрещающая на дифракционным возможности испо резисть 1 д, разрежитнамна ПОЛУЧЕНИ бражений ограниче не дает ные фото ность которых лене.Цель изобретещей способностиПредлагаемыйрельефного изобрние на подложку псодержащего пле ия - повь роцесса. способ ф ажения, в озитивно нкообраэо ние разрешаюормирования ключающий нанесе- ГО фоторезиста,ВаГсльф его экспо д 5 Изобретение относится к фотолитографии, широко применяемой в электронной промышленности.Известен способ формирования рельефного изображения, включающий нанесение на подложку позитивного фоторезиста, его селектианое экспонирование, Обработку водным раствором,конденсирующего пленкообраэователь агента, засвечиваниея фоторезиста с последующим прояввирэвание через фотошаблон, обработку водным раствором коиденсирующего цленкообразователь агента, равномерное эа свечивание слоя фоторезиста и . проявление рельефного изображения, соответствующего рисунку фотошаблона, отличается тем, что рельефное иэображе ние, соответствующее рисунку фотошаблона, проявляют перед обработкой слоя фоторезиста водным раствором конденсирующего пленкообразователь агента, а пос" ле равномерного засвечивания слоя фото резиста проводят дополнительное прояв . ление.В результате выполнения укаэанных операций получают кольцеобраэные элементы субмикронной ширины, которых нет на используемом фотошаблоне, где предусмат- . риваются элементы только с одним краем, за счет которого формируется один из краев предусмотренных элементов: внут ренний - сли элементы фотошаблона выполнены в виде окон" или внешний - если элементы фотошаблона непрозрачны.Если на фотОшаблоне предусмотреныкольцеообраэные элементы субмикроннойширины, этот рисунок перенести на подложку общепринятым способом не удается иэ-аа интерференции световых лучей,дифрагированных на близлежащих краях5элемента, Предлагаемый способ интерференцию принципиально исключает поскольку близлежащий второй край формируется неоптическим путем, что и обусловливает повышение разрешающей способности опроцесса,Формирование второго края кольцеобраэных элементов возможно вследствие того,что боковые стенки рельефного рисункапосле первого проявления получаютсягидрофильными в противоположность верхнейповерхности фоторезистового слоя, Этопозволяет селективно замедлить растворение в проявителе (по сравнению с полностьюзаэкспонированным фоторезистом) частифотореэиста, непосредственно примыкающей к боковым стенкам рисунка, при помощи подходящего реактива в водном растворе. Последующая общая засветка переводит остальную чсь фоторезистовогослоя в растворимую в проявителе форму,которая легко удаляется дополнительнымпроявлением после чего остается фотореэистовое изображение в виде ксаьцеобраэных элементов субмикронной ширины, соот- зоветствующих контурам иэображения испопьзованного фотошаблона,Чтокасается реактива для уменьшения растворимости в проявителе, то для данного случая применимы реагенты, способные связывать активные группы и фоторезисте ответственные за растворимость фотореэистав щелочных средах (фенольные гидроксилы),или вызывающие увеличение молекулярноговеса пленкообраэователя, В последнем слу- дчае удобны водорастворимые кондейсирующие пленкообразоватсль агенты, не требую-щие нагревания выше температуры термолиза хинондиазидов (115-120 С), наприомер, для наиболее употребительного пленко образователя в позитивных фоторезистах фенольной смолы, хорошо подходят гидроокиси щелочноэемельных металлов или некоторые соли тяжелых металлов.Данный способ может быть пояснен на следующем примере.При помощи обычного фотолитографического процесса создают рельефное изображение в слое фоторезиста ФП-РН 7 (формируют одинкрайкопьцеобразных элементов), Псарченное изобразение обрабатывают 10 У ным водным раствором хлористого цинка, споласкивают водой и сушат, Весь фотореэистовый слой равномерно засвечивают до достижения максимальной скорости растворения в проявителе и проявляют в 0,3%-ном водном растворе едкого калия. Сформированное изображение, соответствующее контуру изображения, осторожно промывают и высушиваютСпособ может быть применен для создания СВЧ-приборов в электронной промышленности, а также дифракционных решеток в оптической промышленности,Формула изобретения Способ формирования защитного рельефного изображения, включающий нанесение на надлому позитивного фотореэиста, с одерлащего ппейкообраэователь, его экспонирование через фотошаблон, обработку водным раствором конденсирующего пленкообразователь агента, равномерное засвечивание сеа фоторезиста и проявление рельефного изображения, соответствующего рисунку фотошабло на, о т л и ч а ю щ и й с я тем, чтЬ, с целью повышения разрешающей способности процесса, рельефное изображение, соответствующее рисунку фотошаблона, проявляют перед обработкой слоя фоторезиста водным раствором конденсирующего пленкообразователь агента, а после равномерного засвечивания слоя фоторезиста проводят дополнительное проявление.Заказ 1570/151 Тираж 574 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Л(-35, Раушская набд, 4/5 филиал ПЛП Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4