Тиристор

ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(43) Опубликовано 05.07.77. Государственный кометеСовете Министров СССРоо делам изооретеиийи открытий ллетень25(45) Дата опубликования описания 12117(54) ТИРИСТОР олупро вым зонтальной структурь к каждой области,типом проводимостиазы соединены пере областями типа прозможь х в есиечение вьсокого перемычке выполнен10 контактом,ожет быть исмычке область. 15 ости, а также ннъй на поверх. управления рукции ти тельные воэможности предоставляются в к перемычке, где истор затвором пе мыч полевым контакт омическиизатвора про ре ке окружен ого типа проводи ластью ости, аиэоли. тивополо тиристора, в колекгрод обхвать нструкци полевой также в к рованный ает часть Изобретение относится криборам,Известны тиристоры гориомическими контактамиОторьх обладающие однимрайняя область и область бмычкой одного с названнымиодимости.Цель изобретения - обходного сопротивления.Это достигается тем, что волевой затвор и она снабжена В качестве полевого затвора пользована изготовленная в пе противоположного типа проводи изолированный электрод, размеш ности перемычки. Ено 15,12.71 (21) 1723326(2 перемычки с созданным в неи ох чческим ко тактом. Н чертеже показан один из воа. риантов предложенного тиристора.Тиристор содержит пластину 1 полуровод. пикового материала, аноную область 2 р-типа проводимости, управляющую область 3 р- типа проводимости, катодную область 4 л- типа проводимости, катодную область 4 и-типа проводнмостт перемычку 5 р-шпа проводимосги, область 6 эатво. ра я-типа. проводимости, контакт 7 к области 6, контакт 8 к области 2, контакт 9 к области 3 и контакт 10 к области 4,Тирнстор представляет собой пластину 1 монокристаллического кремния л-типа проводимости, концентрация электрически активных примесей в соторой составляет 3 10 см, В этой пластине образованы методом локальной диффузии акцеп. горной примеси, например бора, анодная 2 н управ ляющая 3 области л.ппа проводимости, причем концентрация электрически активньх примесей в каждой области составляет 5 10см , Области 2 и 3 имеют толщину 3 мкм, ширину 100 мкм к длину 200 мкм. Последуюшей локальной диффу. эней фосфора в управляющей области 3 созданакатодная область 4 л.типа проводимости толщиной1 мкм, шириной 20 мкм и длиной 20 мкм. Концентра.ция электрически активньх примесей в катодной области 4 составляет 1 10 см . Кроме того, в пластине 1 создана п.образная перемычка 5, соединяющаяанодную 2 и управляющую 3 области, О 1 рина)перемычки составляет 46 мкм, а длина 600 мкм, Вперемычке 5 создана область о затвора и-тиа провдимости шириной 40 мкм и длой 400 мкм.Области 2,3,4 и б снабжены омическимн контак.тами 7,8,9 и 1 О, представляющими собой напыленные и вплавленные в кремний полоски аломиниятолщиной 1 мкм, Края контактов отстоят от границобластей на 2 мкм с каждой стороны.Тиристор по второму варианту иэготовливаоткак по первому. В перемычке 5 выполняют область 6 затвора в виде кольца с внутренним диаметром 30 мкм и наружным диаметром 40 мкм, Вцентре органиченной областью затвора частпере.мычки размещают омический контакт к перемычке, представляющий собой окружность диаметром 20 мкм, выполненный из напыленного алюминия толщиной 1 мкм, Размеры остальных областей и омических контактов соответствуют дан.ным на чертеже.В тиристоре по третьему варианту омическийконтакт к области 6 затвора, представляющийсобой пал ыле иную полоску алюминия шириной 36 мкм и длиной 136 мкм, выходит эа крайобласти. б затвора на 100 мкм на перемычку 5 ианодную область 2. Укаэанный контакт на всемсвоем протяжении за пределами области 6 эакорочен с областями 5 и 2. Аналогияо омическийконтакт 10 к катодной области 4 выходит эа крайобласти 4 на 5 мкм и закорочен на этом протяжениис областью 3, благодаря чему осуществляется шун.тирование катода, Размеры остальных областей иомических контактов не отличаются от деталейтиристора, приведенного на чертежеВ тиристоре по четвертому вариа к пласти.не 1 создан омический контакт размером 40 х 40мкм. Указанньш омпческий контакт соединен черезнапыпенную полоску алюминия с омическим контактом 7 к област 6 затвора, Полоска имеет шири.ну 20 мкм и длину 100 ьцсм, Она отделена отобласти 5 слоем двуокиси кремния толщиной 05ьасм, Размеры остальных областей и омнческихконтактов не отличаются от деталей тиристора,приведенного на чертеже.В тиристоре. по пятому варианту в аноднойобласти 2 создаа вторая эь)лттерьэя область раз.мерам 20 х 20 мкм, Указапая змиттерная областьзакорочена с анодной областью 2 омическим контактом 8, выходящим за край области на 5 мкм.. Катодная область 4 и омический контакт 10 к ней выполнены аналогично третьему варианту. Оми. ческий контакт к пластине 1 эакорочен с оми. ческим контактом 7 к области б затвора по чет вертому варианту. Размеры остальных областей и омических контактов не отличаются от приведенных на чертеже.Тиристор по шестому варианту изготавливают аналогично тиристору, изображенному на чертеже. Изолированный полевой электрод размещают на окисной пленке над перемычкой 5 и пластиной 1, Полевой электрод представляет собой полоску алюминия шириной 50 мкм, длиной 50 мкм и толщиной 1 мкм, расположенную над перемычкой 5 и пластиной 1. Окисная пленка выполнена из 1двуокиси кремния толщиной 0,1 мкм, Размеры, остальных областей и омических контактов не отличаются от приведепых на чертеже,Тиристор, изображенный на чертеже, работает)следующим образом. Если между контактами 8 и 10 подано напряжение положительной относительно контакта 10 полярности и к контакту 7 приложен положительный потенциал, то область пространст. венного заряда р-д-перехода на границе областей 5 и 6 перекрывает перемычку по всему сечению и повышает ее сопротивление, а тиристор находится в запертом состоянии. Если при подаче сигнала управления потенциал затвора снижается, тиристср вклочается за счет увеличения тока между об. ластями 2 и 3.Настоящее изобретение может найти поиме нение в функциональных интегральных микросхемах с тристора):.)-и другьямногослойными переключающими устройствами.Формула из обре гения1, Тиристор горизонтальной. структуры с оми. ческими контактами к каждой из областей, в котором обладающие одним типом проводимости крайняя область и область базы соединены пере. мычкой одного с наэвапыми . областями типа проводимости, о тли ча ю щий ся тем, что, с целью повышения входного сопротивлещя, в указанной перемьчке выполнен полевой затвор, и перемычка снабжена омическим контактом,2. Тиристор по п,1, отличающийся тем, что полевой затвор представляет собой разме 1 ен. гю в перемычке область противоположного типа проводимости,3. Тиристор по п. 1, о т л и ч а ю щ и й с я, тем, что .полевой затвор представляет собой разме. щенный на перемычке изолированный электрод.4. Тиристор по пн, 1 - 3, о т л и ч й ю щ и йс ятем, что полевой затвор окружает омический контакт к перемьгчке.40274 3 9 1 Р 4 0 3 Ю оставитель О. Феао еред И Клнико орректор С. Мианее ор Т. Рыбалов э 2136)22 лиал ППП "Патент", г. Уза ород, ул. Проектнаа, 4 1 ирва 9ИПИ Государственн по делам иэоб3035, Москва, Ж оиитета Совета Министровретений в открытий5, Раушскаа наб., д. 4/5