Амурбеков

Номер патента: 468198

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Алиев, Амурбеков, Крылов, Митрофанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: неоднородности, полупроводников

...попадает на третью ПТК 12,При наложении на образец импульсного магнитного поля с частотой 50 гц в каждой точке исследуемого полупроводника происходит поворот плоскости поляризации 15 проходящего излучения. Угол поворота плоскости поляризации пропорционален локальным концентрациям свободных носителей в зондируемом объеме. В результате на третью ПТК 12 попадает излучение, моду- р) лированное в плоскости, перпендикулярной оптической оси, по интенсивности, несущее информацию о координатном распределении свободных носителей в образце. На первую ПТК 7 попадает излучение, несущее информацию об отражении, а на вторую ПТК 8- о поглощении в исследуемом образце.При включении трехконтактнцио включателя 18 сигналы с выходов ПТК подаются на...