Зонд для измерения емкостных характеристик диэлектрических и полупроводниковых структур
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е пц 458062ИЗОБРЕТЕНИЯ Союэ Советских Сациалнстнческнх Республик(23) ПриоритетОпубликовано 25.01.75, Бю Государственный комнте авета Министров ССС по делам иэобретеннй н открытий) У летеньа опубликования описания 12.03.7 2) Авторыизобретения1) Заявители Л, Н. Морозов и В. А. Петров есоюзная ордена Ленина академия сельскохозяйственных нау им. В, И. Ленина и Агрофизический научно-исследовательский институтОСТНЬХ ХАРАКТЕРИСТИКОВОДН ИКОВЫХ СТРУКТУР 54) ЗОНД ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЕИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУ поверхность образ начинает оказычасть. Если плосьна плоскости граего полусферичеачиваться относиор, пока плоская рхности образца 4.3 несколько дефорПри опускании ца 4 прижимающ вать давление на кость образца не ни зонда (см. че ская часть начин тельно втулки 2 грань не прижме При этом гибкий мируется.зонда на ая втулка нижнюю пар аллел ртеж), то ает повор до тех п тся к пове элемент ение еривых Зонд дстик диэструктургибкий эи втулкуЗонд р ля измеренлектрическисодержит лемент 3, с 2. аботает сл я емкостных харак х и полупроводник полусферу 1, втулк оединяющий полусф м образом,Изобретение относится к электронике и может использоваться для исследования полупроводниковых и диэлектрических структур.В настоящее время С(Р) -характеристики снимаются при помощи контактных металлических пленок, напыленных или осажденных на поверхность структуры полупроводник-диэлектрик.Однако использование известных контактных пленок не обеспечивает контроля пара метров образца до напыления в процессе обработки и невозможность снятия С-характеристик в любой точке образца. Помимо этого, сам процесс напыления пленочного контакта может изменять свойства структуры, что 1 затрудняет процесс исследования.Целью изобретения является повышнадежности контактирования.Для этого зонд выполнен из двух частей - втулки и полусферы с гибким элементом, шар нирно крепящим ее относительно нижнего торца втулки.На чертеже приведена схема конструкции зонда. После проведения измерений зонд поднимают и передвигают на другое место. Посколь. ку элемент 3 сделан из пластичного материала, то нижняя часть зонда при передвижении остается в положении, которое придано ей давлением втулки 2. Это свойство системы позволяет определять расстояние перемещения плоской грани зонда с большой точностью.Предложенная конструкция зонда имеег преимущества перед известной, в которой используется жидкая поверхность, контактирую. щая с образцом. Устранено влияние вибраций на емкость. Передвижение зонда можно проводить с значительно большей точностью. Используя различные материалы для изготовления зонда можно проводить исследования С(У)-характеристик и других параметров образца практически при любых температурах.
СмотретьЗаявка
1874986, 23.01.1973
ВСЕСОЮЗНАЯ ОРДЕНА ЛЕНИНА АКАДЕМИЯ СЕЛЬСКОХОЗЯЙСТВЕННЫХ НАУК ИМ. В. И. ЛЕНИНА, АГРОФИЗИЧЕСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ
МОРОЗОВ ЛЕОНИД НИКОЛАЕВИЧ, ПЕТРОВ ВАЛЕНТИН АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 1/067, G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: диэлектрических, емкостных, зонд, полупроводниковых, структур, характеристик
Опубликовано: 25.01.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-458062-zond-dlya-izmereniya-emkostnykh-kharakteristik-diehlektricheskikh-i-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Зонд для измерения емкостных характеристик диэлектрических и полупроводниковых структур</a>
Предыдущий патент: Способ получения многослойных защитных покрытий
Следующий патент: Способ изготовления окисносеребрянного электрода химического источника тока
Случайный патент: Устройство защиты стабилизатора от перегрузок по току и перенапряжений