Сверхпроводящее коммутирующее устройство

Номер патента: 135230

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Гликман, Горчаков, Панкратов

МПК: C21D 9/00, C22F 1/08, F27D 3/00

Метки: атмосфере, водяных, меди, металлов, например, отжига, паров, светлого, сплавов, электропечь

...воздуха и быстрого охлаждения садки после отжига, корпус печи 1 располагается над водяным баком 2, при этом щиты кожуха печи по периметру опушены в воду, Контейнер 3 для загрузки полос, с целью лучшего их нагрева, выполнен в видс елочного стеллажа из жароупорной стали. Конструкция контейнера позволяет производить его загрузку и вь 1 грузку на любом участке.Автоматический цикл работы печи происходит следующим образом. Загруженный контейнер устанавливается на раму 4 печи. Гама прп помощи механизма 5 вертикального и горизонтального перемещения опускается в водяной бак и затем, под водой, передвигается под псчь. Механизм привода б раскрывает дверцы печи 7, заменяющие под, и контейнер входит в печь. В рабочее пространство печи...

Номер патента: 860625

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Белецкий, Гольденберг, Клименко, Пан, Флис, Шендерович

МПК: H01B 12/00, H01B 13/004

Метки: интерметаллического, основе, покрытия, сверхпроводящего, соединения

...в чем и состоит основной недостаток известного способа,Пель изобретения - устранение укаэанного недостатка известного способа,а именно в повышении качества покрытия.Поставленная цель достигаетсятем, чта в известном способе получения сверхпроводящего покрытия на основе интерметаллического соединенияна трубчатых проводниках, каждый иэкатарьгх имеет слой тугоплавкого компонента, размещенный между слоямимеди, заключающийся в там, что трубчатый проводник меньшего диаметраустанавливают в проводнике большегодиаметра, создают в зазоре междуними жидкую ваннулегкоплавкимкомпонентом указанного соединения, контактирующую с поверхностями проводников на части периметра каждо го из них, и вращением указанных проводников осуществляют операции...

Номер патента: 1095863

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Евдокимова, Козинцев, Новокшонов, Хлыбов

МПК: H01L 39/24

Метки: основе, сверхпроводящего

...за его сверхпроводящие свойства Р -Фаза состава КЬз(А, М) сосуществует с а -Фазой - твердым раствором на основе ниобия, о-фазой - соединением ВЬЮГА, М) и соединением МЬ(А, М)з.Использование давлений меньших ЗО кбар приводит к понижению температуры сверхпроводящего перехода материала; верхний предел давления обусловлен возможностями аппаратуры высокого давления, Синтез при температурах меньших 1600 С дает материал с низкими сверхпроводящими характеристиками; синтез при температурах, превышающих 1750 С, приводит к охрупчиванию материала, Экспериментально показано, что выбранные пределы зернистости исходных компонентов обеспечивают однородность смесей по всему обьему,Временные пределы синтеза обусловлены тем, что использование...

Номер патента: 1738757

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Башмаков, Бойко, Капуцкий, Матвеев, Новиков, Соловьева, Тихонова

МПК: C01F 17/00, C01G 3/00, C04B 35/00

Метки: бария, волокна, иттрия, куприта, основе, сверхпроводящего

...загружаютв кварцевую пробирку, снабженную клапаном Бюнзена, препятствующим попаданиюв пробирку воздуха и обеспечивающим выход газообразных продуктов пиролиза, и нагревают до 450 С со скоростью 3 град/мин,Затем клапан отсоединяют и продолжаютТ, С, нагрева в парогазовой смеси ММ п.п с, А/см 77 КТс,К Ва Вс см 0,082 0,082 0,082 0,082 0,082 0,115 0,120 0,120 0,130 0,135 500 500 500 500 500 0,063 0,063 0,063 0,063 0,063 70 92 92 92 88 1,0 0,3 0,2 0,2 0,2 7 101,0 103,8 10 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,063 0,063 0,063 0,063 0,055 0,060 0,065 0,063 0,063 0,063 0,063 85 92 92 70 85 92 92 88 92 92 90 92 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 Прототип 500 500 500 500 500 500 500 400 450 600 650 0,075 0,080 0,085 0,090...

Номер патента: 1823932

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Инкин, Князев, Кулик, Махов, Павлов, Самсонов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературной, иттрия, основе, пленки, сверхпроводящей, тонкой, формирования

...с энергией менее 1 эВ; потоком тяжелых части плазмы с энергией 0,1 эВ и потоком электромагнитного излучения10 эВ). Эти воздействия обеспечивают низко- температурную нетепловую модификацию пленок буферного слоя эа время воздействия менее одной секунды. Отсутствие высокоэнергетических частиц обеспечивает формирование совершенной кристаллической структуры на поверхности и в приповерхностном слое буферной пленки, что позволяет приблизить свойства буферных слоев к свойствам монокристаллических пластин соответствующих материалов. Обеспечивается согласование кристаллических структур ВТСП пленки и буферного слоя. В сочетании с очисткой поверхности от адсорбированных слоев это создает условия для формирования вышележащих ВТСП пленок...