Параметрический усилитель

Номер патента: 1161881

Опубликовано: 15.06.1985

Автор: Сырмолотнов

МПК: G01P 15/08

Метки: акселерометр, волн, поверхностно-акустических, преобразователем

...видспереди (разрез А-А на фиг. 2); нафиг. 2 - то же, вид сверху со снятойкрышкой; на фиг. 3 - разрез Б-Б нафиг. 2.Акселерометр с тензопреобразователем ПАВ содержит две пьезокварцевыепластины 1 и 2, имеющие повернутыйу-х-срез и жестко закрепленные посередине в держателе 3, 4. Держатель3,4 изготовлен из материала, модульЮнга и модуль сдвига которого превышают соответствующие модули для пластин. Нижняя часть 3 держателя соединена с корпусом 5 твердым припоем 6.С помощью верхней части 4 держателяи слоя стеклоцемента 7 пластины 1 и 2неподвижно фиксируются в держателе.Срез кристалла, из которого изготов- .лены пластины, обладает минимальнымтемпературным коэффициентом модуляупругости и максимальным коэффициентом тензочувствительности скорости...

Номер патента: 620011

Опубликовано: 15.08.1978

Автор: Кундин

МПК: H03H 7/02

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...является Фильтр на поверхностных акустических волнах, которыЯтакже содержит пьезоэлектрическую Юподложку с расположенными на ней преобразователями, выполненными в видесистемы встречно-штыревых электродов 2,Известная конструкция Фильтра наповерхностных акустических волнах(ФПВ) не устраняет полосу пропусканияна основной частоте Фильтра, т.е, неулучшает его характеристики избирательностиПель изобретения - повышение избирательности Фильтра.620011 Формула изобретения Составитель Г.Сачковаедактор Л.Жаворонкова Тех ед О.Попович Ко е Д.Мельниченко каз 4522/49 ЦНИИПИ ГосУДарс по д 113035 М1086комитетаретений35 Ра Подписовета Мноткрытийая наб. естров СС венногелам из сква П Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,лиал Геометрия выходного...

Номер патента: 655067

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Кондратьев, Речицкий

МПК: H01L 41/047, H03H 9/02

Метки: акустических, волн, поверхностных

...показанным на фиг. 1, вектора электрического поля направлены, какпоказано на фиг. 1; в верхней части - к неподключенному электроду, в нижней - от него. Таким образом, результирующий сигнал, который можно принять любым расположенным в акустическом потоке аподизованного преобразователя широкополосным встречно-штыревым преобразователем с апертурой 1;=а;+б;, равен разности двух противофазных сигналов и пропорционален 40 45 50 На фиг. 1 схематически изображен преобразователь; на фиг, 2 - векторные диаграммы, поясняющие работу преобразователя.Преобразователь содержит встречно-шты ревую структуру 1 и 2 с изменяющимся перекрытием штырей. Изменение перекрытия штырей осуществляется в пределах 100 - 25/, максимального перекрытия (а;+ +о;). К...

Номер патента: 726652

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Пирогов, Чалабян

МПК: H03H 9/02

Метки: акустических, волн, поверхностных

...при этом контактные площадкина нижней части резисторного участка 4расположены с шагом, равными, а контактные площадки (а - а) в верхней части резисторного участка расположены и точкахсоответствующих максимумам импульсногоотклика преобразователя. Злектроды 2 второй фазы преобразователя заземлены в точках (в - в), соответствующих минимумамимпульсного отклика преобразователя, Центральный электрод преобразователя подсоединен к его входу с помощью навесного проводника.Предлагаемое устройство работает следуюцьим образом.При подаче на вход электрического сигнала 1.3 вх электроды 2 возбуждают поверхностную акустическую волну. Вклад 1-го электрода 2 будет пропорционален величине напряжения 13 п 1, действующего ца нем. Величина 31 обратно...

Номер патента: 919051

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Гвоздев, Джонсон, Зибров, Петров

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, амплитудно-частотной, волнах, поверхностных, устройств, формирования, характеристики

...длины акустической волны взвукопроводе 3. Преобразователи 2 покрыты зацитной диэлектрической пленкой 5. Злектропроводяшая пленка (металлический экран) 6 с отверстием 7,контуры которого имеют форму кривойаподизацци, расположена параллельнопреобразователям 2 на рассгоянци отцих, меньшем длины ПАВ. Для уменьшения статической емкости между электродами поеобразователя и металлическимэкраном 8 последний выполнен в видесетки с размерами ячеек, меньшимидлины акустической волны в звукопроводе. При подведении электрического сигнала к встречнс-штыревому преобразователю 2 между электродами возникаетэлектрическое поле фцг. 3), Час тьсиновых линий поля проникает в пьезоэлектрический звукопровод, вызывая внем упругие деформации с пространственным...