Устройство для измерения времени рассасывания транзисторов

Номер патента: 586858

Опубликовано: 30.12.1977

Автор: Адель

МПК: H03F 3/34

Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора

...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...

Номер патента: 1002989

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Константинов, Рабодзей

МПК: G01R 31/26

Метки: интервалов, мощных, однородности, сохранения, токораспределения, транзисторах

...на основе предварительных исследований партиитранзисторов данного типа, включающих снятие характеристик зависи мости статического коэффициента усиления В от тока эмиттера и напря"жения коллектора, а также контрольоднородности токораспределения низбранном измерительном режиме осу щестнляемый, например, при исследовании распределения температуры поплощади транзисторной структуры спомощью инфракрасной техники илижидкокристаллических индикаторов, 15 либо косвенно путем снятия зависи-мостей напряжения база-.эмиттер отнапряжения коллектора при данномтоке эмиттера.Параметры измерительного режимавыбираются в области сохраненияоднородности токораспределения так,чтобы производная коэффициента уси"ления по току коллектора имела отрицательное...

Номер патента: 1636954

Опубликовано: 23.03.1991

Автор: Болдырев

МПК: H02M 1/08

Метки: импульсов, регулятора, силового, транзистора, управляющих, формирователь

...3 управляющих сигналовпротекает ток, Транзистор типа и-р-ив усилителе 1 мощности открываетсяи силовой транзистор 2 входит в режим насыщения По окончании импульсауправления компаратор 5 включается,при этом по цепи: общий вывод биполярного источника 4 питания, переходэмиттер-база силового транзистора 2,переход эмиттер-база и-р-и-транзистора усилителя 1 мощности, первый резистор 7, компаратор 5, отрицательный вывод биполярного источника 4протекает ток, Транзистор типа п-р-ифорсированно закрывается,; а типар-и-р открывается, что приводит кформированному запиранию силовоготранзистора:2При этом компаратор 5проводит ток не постоянно, а кратковременно, только на время рассасывания неосновных носителей базы силового транзистора 2, и...

Номер патента: 599319

Опубликовано: 25.03.1978

Автор: Зайцевский

МПК: H02M 1/08

Метки: преобразователя, силовым, транзистором

...силовой ненасьпааюшийся трансформатор 6, к вторичной ф обмотке которогоподключен выходной выпрямитель 7, Междубазой и эмиттером каждого из транзисторов преобразователя подключены соответственно эмиттером и коллектором дополнительные транзисторы 8 и 9 противоположного типа проводимости, соединенные базами через дополнительные резисторы 10 и11 с обшей точкой соответствующей обмотки коммутирующего трансформатора и баэовых резисторов 2 и 3,Процесс выключения каждого из транзисторов 4 и 5 начинается когда сердечниккоммутирующего трансформатора насьпцается.Напряжение на обмотках коммутирующего 20трансформатора становится практически равным нулю, В насьпценном транзисторе начинается процесс, разряда избыточного зарядав базе. В процессе...