C04B 35/462 — на основе титанатов

Номер патента: 88939

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Валеев, Кретова, Степанов

МПК: C04B 35/462, H01B 3/00

Метки: керамический, материал, полупроводящий

...входящих компонецтов можно получить полупроводники с сопротивлением от 10" до 10 о,в.с.м.Способ изготовления материалов сводится к следующему.Производят обжиратуре 1300". Затем е г при темпе при разогрев Х, С. Валеев, 1.1КЕРАМИЧЕСКИЙ П Заявлено 23 феврали о 50 г, Опубликовано и Гюалет получают неполныц расплав окиси железа в баритовом кронглассе, после чего путем охлаждения полученный расплав переводится в стеклообразное состояние. При совместном помоле в пгаровой мельнице смеси железотцтаната ц охлажденного расплава получают тонкий порошок. Формовацие изделий осуществляют по одной из схем формования непластичцых минеральных порошков.При обжиге до определенной для данной конкретной композиции температуры, осуществляемом в...

Номер патента: 183812

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: C04B 35/462, C04B 35/465, C04B 35/472 ...

Метки: 183812

...п температуре 80 суют изделия пературс 1260 -п тел пры в ошка шок орош 0 - 1 и спе -1280 Предм Известны способы получения пьезокерамического материала посредством обжига смесисоединения бария, свинца, кальция и титана.Описываемый способ позволяет снизитьтемпературу спекания материала с 1360 до 51260 - 1280 С, Это достигается использованием указанных соединений в виде раствораазотнокислых бария, свинца, кальция, титана,который распыляют в противотоке воздуха,имеющего температуру 400 - 500 С, после чего порошок подвергают обжигу при температуре 800 в 10 С,Сущность способа поясняется чертежом,Раствор азотнокислых бария, свинца, кальция и титана подают в сушильную камеру 1, 15где раствор распыляется форсункой 2 в противотоке воздуха,...

Номер патента: 474861

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Лимарь, Мудролюбова, Ротенберг, Чередниченко

МПК: C04B 35/01, C04B 35/462, H01G 4/12 ...

Метки: керамический, материал

...2,0 - 3,0Окттсь металла, взятогоиз грулпы никель, хром, 0,06 - 2,0;а также компоненты, взятые в следутощем соотношении, вес, %:Окись лантана 14,5 - 40,5Окись алюминия 4,7 - 12,7 Окп "ь кальцияДвуокись титанаГл;на, напр:тмерЧа:ов-ЯракаяОкись никеляи,компоненты, взятые в снтп, вес. %;Окись лантанаОкись алюминияОкись кальцияДвуокись титанаГлина, напримерЧасов-ЯрскаяОкись хромаПовышение термостотем, что прп получении(Са, 1.а) (Т, А 1) О, вводвпкеля (Х 10) в количестразующая со структуройРедактор А, Зииьковский Корректор И, Симкииа Подписное Заказ 999/1421 Изд.850 Тираж 760 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская иаб., д. 4/5Тпп. Харьк. фил. пред. Патеит где о -...

Номер патента: 497267

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Вусевкер, Гурвич, Епремян, Крамаров, Морданов, Файнридер

МПК: C04B 35/462, H01L 41/187

Метки: керамический, материал

...и пьезоэлектрических характеристик. Обратимые и необратимые изменения пьезочувствительности при воздействии одноосного механического сжатия, приложенного вдоль оси поляризапии, становятся очень большими и материал полностью теряет пьезоактивность.Цель изобретения - повышение стабильности значений пьезоэлектрического коэффициента Й, при повышенных температурах и механических нагрузках,(53) УДК 666,655(088,8)100 11 11 0,029 0,022 0,025 0,250,450,7 20 Предмет изобретения Составитель Н. Соболева Техред 3. ТараненкоРедактор А. Купрвкова Корректор М. Лейзерман Заказ 62 1, 8 Изд.1077 Тираж 648 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д,...

Номер патента: 585139

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Балашова, Колчин, Михайлова, Ушаков

МПК: C04B 35/462, C04B 35/491, H01G 4/12 ...

Метки: керамический, материал

...окислов 1 внсмута, самария, магния н марганца. Из полученного материала методом полусухого прессования изготавливаются образцы и изделия (заготовки конденсаторов). Обжиг образцов и изделий в зависимости от их размерОв производят при 1350-1430 С.Предлагаемы материал имеет при 25 С диэлектрическую проницаемость (С) не менее,4500, сглаженную зависимость диэлектрической проницаемости от температуры С.(Т) (изменение в интервале температур от +5 до +85 С не превышает 15-10), тангенс угла диэлектрических потерь ИцВ) не более 0,01, диэлектрическая прочность материала при постоянном напряжении электрического поля ( Е ) не менее 7 кв/мм.585139 Составитель М.Кузнецова Текред Н.Бабура Корректор П,Макаревич. Редактор Л.Гребенникова Заказ 4954/14...

Номер патента: 591434

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Андреева, Евзович, Журавлева

МПК: C04B 35/462, H01G 4/12

Метки: диэлектрический, материал, стеклокерамический

...Заказ 523/18 Тираж 751 Подписное Филиал 11 П 1 Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Свинцовоборосиликатное стекло, входящее в состав стеклокерамического диэлектрика, состоит из следующих компонентов, вес.Ъ:РЬО 84,0-84,5;з 90,-9,5Д 3 2,0-3,0гь2,0-3,0СоО 1,0-2,0стеклокерамический диэлектричес- р кий материал представляет смесь тонкодисперсных порошков керамики (наполнителя) и неорганического стекла (связующего). Стекло обволакивает частицы керамики и цементирует их в монолитный блок путем прессования пакета конденсатора при температуре,обуслов" ленной температурой плавления стеклаи температурой плавления, материала электрода. При заданном содержании стекла в стеклокерамическом диэлектрике значение температурного коэффициента...

Номер патента: 596557

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Борщ, Доброгорская, Лимарь, Мудролюбова, Ротенберг

МПК: C04B 35/462, H01B 3/12, H01G 4/12 ...

Метки: керамический, материал

...солей готовят следующим образомк 1,97 л 2,47 М раствора титана четыреххлористого приливают 2 л дистиллированнойводы, 1,28 л 1,042 М раствора бария хлорнотого.1,97 л 1,024 М раствора неодимахлористого и 0,24 л 1084 М растворависмута хлористого.Диэлектрическая проницаемость данногосостава 95 при ТКС .60 10 град, 1 Д 6==(2-3)10, 8, при 1 155 СЗ 10 ом см,П р и м е р 3. (по среднему),Для получения 1. кг материала, содержащего, весЛ:ГО55ВаО щ о 34,6Б О 6,45поступают аналогично примеру 1,Смесь хлористых солей готовят следующим образом: к 2,32 л 2,08 М растворатитана четыреххлористого приливв 1 от 2 лдистиллированной воды, 1,35 л 0,984 Мраствора бария хлористого, 1,94 л 1,040 Мраствора неодима хлористого и 0,24 л1,084 М раствора висмута...

Номер патента: 620461

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Кузьмина, Лискер, Мудролюбова, Поломошнова

МПК: C04B 35/01, C04B 35/462, C04B 35/468 ...

Метки: керамики, конденсаторной, шихта

...содсь бария,га, двуокиы кальция ест го мате ма, ок висму окисл г ана,окись цирк оння,ронция ил оло сме высокочастотных керамичеторов в радноэлекгроннВ настоящее времяразличных типов высоксаторов термосгабильшироко применяют кералы на основе твердых(са,) а)(т 1,АЮОИВеличина дизлекгричесмости ( 6 ) таких херамириалов с ТКЕ щО - 75,превыщаег 40-55.Известны керамическиетеми же значениями ТКсстемы Са)сТ МЪО СсТтНо величина диэлекгрицаем ости таких материалет 55 7(21) 244247 Э/2 ЭМудролюбова, К, Е. Лискер, Н, и Л. Е. Кузьмина МатериалнзготовлеищМ ив ат ой щихгы, имеет диэлектрическую л Е =66 при ПСЕ+ЗМ 20)и 1 б рад 1, Я а 69 при ТКИ-(76+201 к 10 рад, к 78 при ТКс фф -(47120)х 10 гради ба 87 при ТКбО. При относительно высоком значении...

Номер патента: 628134

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Борщ, Кузьмина, Лимарь, Лискер, Мудролюбова, Третьякова, Федорова, Фирсова

МПК: C04B 35/462, H01G 4/12

Метки: высокочастотных, керамический, конденсаторов, материал

Номер патента: 667526

Опубликовано: 15.06.1979

Авторы: Прокопало, Раевский, Резниченко, Фесенко

МПК: C04B 35/462, C04B 35/495, H01G 4/12 ...

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...сегнетоэлектрический керамический материал, преимущественно для изготовления конденсаторов, включающий Т 10 з, НаО, НЪгОз дополнительно содержит В 1 гОз и К 40 при следующем соотношении компонентов, мол.Ъ:Тз.Оа 30,4-36,4Наг 0 30,4-36,4Иь,оз 18,2-26,1В 1 г Оз 4,5-6,55КгО 4,5-6,55На чертеже приведена температурная зависимость диэлектрической проницаемости с /Е, (цифры соответствуют составам в таблице).Сегнетокерамический конденсаторный материал представляет собой твердый Раствор итем БаЪ)ЪО - , К/а В 1 гуг Т 1066752 Физические характеристики твердых ра+22 0,016 0,014 0,018 225 32 8,5 0,016 0,015 0,019 110 17 2 251075 4,3 30 1070 4,35 1450 65 1400 Примеч при величине изм Использовались о с вожженными при н и е. Электричес рительного поля...

Номер патента: 692810

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Илющенко, Кишева, Костомаров, Харламова

МПК: C04B 35/462

Метки: керамический, материал

...ЬпО спекЪейю О-т)%ат 1 о,вс использованием двукратного синтеза при температурах 1100 вС и 13201+50 фС. Затем синтезируют борат цинкаиз МО нНзЪОз при температуре692810 конденсаторов, которые обжигают вокислительной среде при температуре1020-1080 С. При этом достигаетсявысокая воспроизводимость температурного коэффициента емкости ТКЕ)конденсаторов, а в качестве их электродов используется сплав (30 и 70)серебра с палладием взамен платины,В таблице приведены составы исвойства предложенного керамическо го материала. 2-3 16 6 1020- 80110801020- 851080 емый 4 0 8712 2 3 1 7 0208 0 80 1200 50100110 Известный 9 ния, он дополнительцинка при следующем ных компонентов,температуры спе но содержит бор соотношении исх вес.%:Керамический Борат цинка...

Номер патента: 927785

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Балашова, Колчин, Михайлова, Сазонова

МПК: C04B 35/462

Метки: керамический, конденсаторов, материал

...готовят следующим образом.Шихту готовят путем смешения и помола окислов стронция и бария или углекислых солей данных материалов с окислами висмута и титана, взятых в требуемом соотношении. Синтез шихты осуществляют при 1200 в течео ние 2 ч. Полученную в результате синтеза крупку смешивают и размалывают с добавками двуокиси марганца и фторида щелочноземельного металла. Оформление образцов и заготовок конденсаторов производят методом полу" сухого прессования. Обжиг образцов и изделий осуществляют при 1340- 13800 С.Составы и диэлектрические характеристики материалов при различных напряженностях электрического поля представлены в табл. 1 и 2 соответственно,Э Таблица39 1 392 39 О ВаО 16,2 16 3 16 3 5 гО 36,6 36 7 ТО 7,2 72 0,3 0,3...

Номер патента: 939426

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Данцигер, Дудкина, Разумовская, Фесенко, Филипьев, Цихоцкий

МПК: C04B 35/462

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...составов предлагаемогбпьезокерамического материала осу 4ществлялся по обычной керамическойтехнологии, Температура синтеза750 ОС и с = 800 ОС, продолжительность - 4 и 5 ч соответственно.5 Спекание образцов проводят методомгорячего прессования по следующемурежиму: температура 1045-1170 С,давление 19,6 МПа) время выдержки40 мин. Поляризацию образцов прово дят в полиэтиленсилоксановой жидкости ПЭСпри 140 С в течение 25 минв поле напряженностью 3,6-4,4 МВм "с последующим охлаждением под полем до 90 С в течение 20 мин. ИзмеО15 рение электрофизических параметровпроводят через 24 ч после поляризации. Ре зульта ты измерения Я /Яо тангенса угла диэлектрических потерь г 9 с) удельного объемного сопротивления РЧ, Рр, д 1) ц , механической...

Номер патента: 1021676

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Варфоломеев, Илющенко, Костомаров, Самойлов

МПК: C04B 35/462, C04B 35/468

Метки: керамический, материал

...ННЫЙ НОМИТЕТ СССР РЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) 1, Авторское. свидетельствоИ" 832668, кл. Н 01 9 Ю 12, 1979.2 Авторское свидетельство ССУ 692610, кл. С 04 В 35/46, 1978. 0ВаОВ 1 О2 пОА 12.0 личающийся ью снижения диэлектр поецаения сопротиепри 155 ОС и удеаееле он дополнительно сои следующем соотно" ов, мас,Ь34,97-36,29 30,27-31,01 15 13"16 32 11,84-1 3,342,46-3.43 1 Д,89 0,28-0 58+155 С еБорат цинка Керамический спек Ва йа В 1 Т 1 А 1 а 695 О,Ф 5 39 Г О,ОО 5 12 1 95 5+2 О+1 0 385+2 5 ИО 3-4 Об 80+2 15+ айдба 81 Т 10 ПрототипЗаказ 3982/17 ВНИИПИ Госу по делам 113035, МосПатент", г. Ужгород, ул. Проектная,филиал Т 10 Ид Оа 3 В 1 О2 3 А 1 0 Состав, материала, мас.3 Мимическая формула Ва йд. В 1 Т 1 6,9266 О,176 Ъ 9 Ю 2 Вао Мс 1В 1 Т 1 А 1 О 09...

Номер патента: 1138395

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Петров, Поротников, Сидорова

МПК: C04B 35/462, C04B 35/48, C04B 35/49 ...

Метки: керамический, материал

...соединений, отно С в течение 2 - 20 ч. сЯщихсЯ к известномУ классУ сложныхСвойства,керамвойства,керамики предлагаемого оксидов со структурой пирохлора, и известного состаного составов с учетом выхос общей формулой Еп 1.п ТО или да за граничные пределы предлагаемой Еп 1.пЕг Об (1.й=8 ш Еи СЙ ТЬ Вуобласти приведены в таблице, Но, Ег, ЪЪ 1,и 1,а, Рг, Ид) и оксид- Из приведенных бз приведенных в таблице данных ные композиции на их основе.Наблюдаемые эффекты у соединений кониевые составыи вые составы, включающие различсо структурой пирохлора типа СЙТд 20110 ные лантаноиды имсиды, имеют примерно одина- и Сй Ег Ообусловлены тем, что 2 пвнедряется в структуру пирохлора Это можно объясниж о о ъяснить тем, что актив- имеющую кубическую...

Номер патента: 1155574

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Евдокимова, Ильинов, Корякова, Репникова, Сорокина, Хрящева

МПК: C04B 35/462

Метки: керамический, материал

...содержащий титанат магния МяТ 101,оксид лантана БаО, оксид алюминия А 1 О , оксид стронция ЗгО, Материал обладает следующими диэлек- Титанат трическими характеристиками в5 магния 49,545 СВЧ-диапазоне: диэлектрическая проницаемость 16,5, тангенс угла диэлек Оксид трических потерь 1,4 х 10 , темпе- титана 49,5ратурный коэффициент диэлектрической проницаемости +100 х 10 градД 50 Полирит 1,0Недостатками указанного материала являются повышенное значение температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, снижающее ста бильность работы элементов радиоэлектронной аппаратуры в условиях повышенных температур, и низкая миВведение полирита в количестве менее 0,8 мас.7 не оказывает влияния на структуру материала и, как следствие, на...

Номер патента: 1191442

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Бертош, Варфоломеев, Голубцова, Илющенко, Костомаров, Ларичева, Матвеева, Самойлов

МПК: C04B 35/462

Метки: диэлектрический, керамический, материал

...следующем соотношении компойенто мас.7.:Т 1.0 .ВаОф 1 Ф 9Отклонение ТКЕ в партиях, 10 1/ С Состав 31,6 17,2 13 87 16,4 85 31,6 т 3 31,6 17,1 82 Составитель В.СоколоваТехред З.Палий Корректор Г.Ретешник Редактор Т.Колб Заказ 7080/22 Тираж 604 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий. 113035, Москва, Ж Раушская наб., д. 4/5) 1191Изобретение относится к электрон-ной технике, в частности к составамкерамических диэлектриков, и можетбыть использовано для изготовлениявысокочастотных термостабильных 5керамических конденсаторов,Цель изобретения - снижение трудозатрат при изготовлении материала,повышение его электрической прочности и стабильности температурного . 1 Окоэффициента диэлектрической...

Номер патента: 1268546

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Иокста, Корзунова, Новикова, Фрейденфельд

МПК: C04B 35/462, C04B 35/475

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...состав которого отвечаетобщей формуле (Ва,РЬ )В 4 Ть.40Керамика на основе титаната бария-свинца-висмута получена из оксидов свинца, висмута и титана и. карбоната бария марки ч,д.а.Смешивание и измельчение компонентов осуществляют в яшмовом барабане в среде изопропилового спирта,время помола 20 ч. Шликер высушивают при 150 С, прессуют в брикетыпо удельным давлением 800 кг/см исинтезируют при 850 С 2 ч, Послеизмельчения в течение 24 ч в средеизопропилового спирта высушенныйшликер прессуют в диски диаметром12 мм и толщиной 2 мм. В качествесвязки используют 3%-ный водный раст 20 ВаОВОТОРЬО 3,17 - 9,7864, 10 - 66,0021,98 - 22,64 1,58 - 10,75 Таблица 1 на 100 г шихтыВ Оз Материал ВаО РЬГ 9,78 1,58 7,53 4,70 22,64 22,41 21,98 66,0...

Номер патента: 1318576

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Кутузова, Новикова, Фрейденфельд, Шитца

МПК: C04B 35/462

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...- снижение темпе 10ратур синтеза и спекания керамики.Пьезокерамический материал получен по следующей технологии: помолсмеси оксидов марки ч,д.а. проводятв яшмовом барабане в течение 20 ч вводной среде.Соединения СаВ 1 Т 10 и В 1,40готовят и синтезируют отдельно,СаВ 1 Т 10 при 780 С 2 ч, В 1,Ю 6 при700 С 2 ч. Затем полученные соединения измельчают и смешивают с добавлением Сг Оэ. Иэмельчение смеси проводят в агатовой мельнице в течение4 Ч в среде иэопропилового спирта.Полученную смесь синтезируют при 25820 С в течение 2 ч и измельчают.Высушенный материал прессуют в диски 0,20-0,30 3,86-5,60 Остальное Сг,О,В 1 ЮСай 1 Т 1.,0,Таблица 1 Соде ржание к Омп он енто в, ма с. Х, по примеру Компонент 2 СаВ 1,Т 14 О 5В 1,ЧОСг Оз 94,10 94,79 95,94...

Номер патента: 1539189

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Аболтиня, Иокста, Кутузова, Фрейденфельд

МПК: C04B 35/462, C04B 35/50

Метки: керамический, материал

...проводят при 1220-2260 С 1 ч. На сошлифованные диски наносят платиновую пасту и вжигают при 750 С, получая термостабильные электроды толщиной 1 мкиэлект ыть иснике преимукочастотенсато т сниже териала.е титаната ланата титаната вис ния под чес вод а щов л марки рки Р д.а -48 ые части (1,и а Т. От отдение ко СоставВ 1 Т 1 ИЬОСмешивани о интезиру из медья оненто ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ 1(56) Авторское свид9 413535, кл. Н 011974.Заявк 10 Изобретение относится ческим материалам и може пользовано в радиоэлектр щественно в качестве выс ного термостабильного ко ного материала. Цель изобретения пературы спекания ма Керамику на основ тана с добавкой ниобмута получают из окс...

Номер патента: 1565825

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Вусевкер, Корзунова, Милберг, Новикова, Полонская

МПК: C04B 35/462, C04B 35/495

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...Т 111 ЬО добавляют предоварительно синтезированный при 650 Св течение 2 ч В 1 СгО, Компоненты смешивают в среде изопропилового спиртв течение 24 ч, затем высушивают,прессуют в брикеты и синтезируют при750 С в течение 3 24 ч помола и высуниван я суют в1565825 10600 С. На сошлифованные домм диски наносят платино-палладиевую пасту,которую вжигают при 700"С в течение15 мин. Образцы поляризуют в полисио,5локсановой жидкости при 150 С в течение 1 ч в постоянном поле напряженностью 50 кВ/см я к с 1 - й10%,игде с 1 - начальные значения с домвоздействия давления;с 1. - значение сээ при максимально заданном давлении;кс 1 - значение сэ после снятиядавления,Измерения пьезоэлектрических параметров проводят для каждого составана 10 образцах,Состав...