Устройство для измерения кривой эффекта электромагнитного поля на поверхности полупроводников
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51) М. Кл. 6 01 г 31,2 сударственный номитевета Министров СССР 3) УДК 621,382,3) Авторы изобретени С, Левитас и А. В. Рагауск 171) Заявители Каунасский политехнический институт и Институт физик полупроводников АН Литовской ССР4) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ К ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ НА П ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭФФЕКТАЕРХНОСТИ Изобретеизмерительнпользованоявлений полИзвестноэффекта поков, содержженный вбвого образцстоянного т ние относится к об ой техники. Оно при исследовании упроводников. устройство для полученияля на поверхности полупр ащее полевой электрод, рлизи поверхности полупров а, генератор сигнала, источока и двухмерный выходи ласти электро- может быть ис- поверхностных кривои водни- споло- дникоик пой принесколько единиц д Ог Г Р) (з в) Ч С,С +йт е где Ят)ированного за висимость пол нду да бор.Такое устройство не обеспечивает непосредственного измерения сигнала эффекта поля в зависимости от текущего значения поверхностного электростатического потенциала.Для получения такой зависимости экспериментальная кривая эффекта поля сравнивается с теоретической, При этом из-за неопределенности характера поверхностного рассеяния и неточности измерения объемных параметров образца вводится погрешность, достигающая Цель изобретения - обеспечить непосредственное измерение сигнала эффекта поля в зависимости от текущего значения поверхностного электростатического потенциала и уменьшить погрешность измерения.Это достигается тем, что устройство содержит отрицательную емкость, соединенную последовательно с выходом генератора сигнала и полевым электродом.На чертеже изображена функциональнаясхема устройства.5 Предлагаемое устройство состоит из полевого электрода 1, расположенного вблизи поверхности полупроводникового образца 2, который подключен к источнику постоянного тока 3 и одному входу двухмерного выходного О прибора 4, и генератора сигнала 5, соединенного последовательно с отрицательной емкостью б и полевым электродом 1, а также со вторым входом выходного прибора 4.Предлагаемое устройство действует следу ющим образом.При подаче сигнала генератора 5 на полевой электрод 1 через поверхность образца 2 протекает ток сигнала, Падения напряжения на отрицательной емкости б и на емкости за зора между полевым электродом 1 и поверхностью образца, выдаваемые током сигнала, противофазны, т. е. зависимость поверхностного электростатического потенциала У, от напряжения У сигнала генератора 5 имеет457941 ставитель В, Авдонин Редактор О. Стенина Техред Т. Миронова Корректор О, Тюри Тираж 902 Подписноеовета Министров СССРткрытий аказ 948/7ЦНИИ Изд. Мо 463Государственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, Раушская б., д. Типография, пр. Сапунова,Сз - емкость зазора между полевым электродом 1 и поверхностью образца 2;Са - абсолютная величина отрицательной емкости 6;д - заряд электрода;й - постоянная Больцмана;Т - абсолютная температура.В предлагаемом устройстве абсолютная величина отрицательной емкости 6 установлена равной емкости зазора между полевым электродом 1 и поверхностью образца, т. е.- с,) =с Этим достигнуто уменьшение погрешности измерения, так как обеспечена зависимость т. е. сигнал эффекта поля измеряется непосредственно в зависимости от текущего значения поверхностного потенциала. Предмет изобретенияУстройство для измерения кривой эффектаэлектромагнитного поля на поверхности полупроводников, содержащее полевой электрол,генератор сигнала, источник тока и двухмер 10 ный выходной прибор, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью обеспечения непосредственногоизмерения сигнала эффекта поля в зависимости от текущего значения поверхностногоэлектростатического потенциала и уменьшения15 погрешности измерения, оно содержит отрицательную емкость, соединенную последовательно с выходом генератора сигнала и полевымэлектродом,
СмотретьЗаявка
1900993, 03.04.1973
КАУНАССКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ, ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АН ЛИТОВСКОЙ ССР
ЛЕВИТАС ИЛЬЯ САУЛОВИЧ, РАГАУСКАС АРМИНАС ВАЛЕРИОНО
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: кривой, поверхности, полупроводников, поля, электромагнитного, эффекта
Опубликовано: 25.01.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-457941-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-krivojj-ehffekta-ehlektromagnitnogo-polya-na-poverkhnosti-poluprovodnikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения кривой эффекта электромагнитного поля на поверхности полупроводников</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения коэфициента шума четырехполюсников
Следующий патент: Способ возбуждения феррозондов
Случайный патент: Устройство для задраивания секций судового люкового закрытия