Патенты с меткой «легированном»
Способ микроволнового измерения эффективной массы носителей тока в легированном полупроводнике
Номер патента: 498576
Опубликовано: 05.01.1976
Автор: Браташевский
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: легированном, массы, микроволнового, носителей, полупроводнике, эффективной
...- упрощение и повышение точности измерения.Цель изобретения достигается благодаря тому, что исследуемый полупроводник помещают в электрическое циркулярно поляризованное микроволновое поле и направленное перпендикулярно плоскости поляризации постоянное магнитное поле, изменяют напряженцость постоянного магнитного поля до тех пор, пока включение и выключецце модуляции концентрации носителей тока не будет вызывать изменения действительной части диэлектрической постоянной полупроводника, и прц данной величине напряженности определяют эффективную массу.Заказ 229/698 Изд.201 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытийТип. Харьк. фпл. пред. сПатент После подстановки выражения...
Способ рега записи оптической информации в щелочногалоидном кристалле, легированном активатором
Номер патента: 1084892
Опубликовано: 07.04.1984
Авторы: Воронова, Калнынь, Объедков, Плявинь, Рапопорт, Тале, Тарновский
МПК: G11C 13/04
Метки: активатором, записи, информации, кристалле, легированном, оптической, рега, щелочногалоидном
...Лис ю в гва этапа. сначала светом кристалла.,Поставленная цель достигается тем, что согласно способу записи оптической информации в щелочногалоидном кристалле, легированном активатором, заключающемуся в последовательном облучении всего кристалла светом из первой и второй областей поглощения и последующем локальном облучении кристалла информационным световым потоком изспектральной области поглощенияаквтиватора, причем облучение кристалла из второй области поглощенияпроизводят светом из спектральнойобласти поглощения Г-центров, а облучение кристалла из первой областипоглощения производят светом из области длинноволнового спада полосы поглощения триплетных анионных экситОНОВПри этом на первом этапе в результате облучения активной среды...
Способ записи оптической информации в щелочно-галоидном кристалле, легированном активатором
Номер патента: 1411825
Опубликовано: 23.07.1988
Авторы: Брацлавец, Калнин, Плявинь, Рапопорт, Тале, Тарновский
МПК: G11C 13/04
Метки: активатором, записи, информации, кристалле, легированном, оптической, щелочно-галоидном
...анионных экситонов (фундаментальнойобласти поглощения кристалла), Привоздействии квантов света из этойспектральной области при комнатнойтемпературе создаются подвижные автокатализующиеся экситоны, которыепреимущественно распадаются на Р, НФФпары вблизи А - типа центров, Нцентры являются подвижными возбужденными состояниями и уходят с местараспада; на месте распада остаетсяР-центр и близлежащии А -типа центр,т,е, образуется пара Р, А - типацентров, Распределение концентрациипар этих центров по кристаллу (активной среде) представляет собойскрытую форму записанной информации.В принципе эта скрытая форма позволяет осуществить в дальнейшем как когерентную, так и некогерентную формуобработки информации, При когерентной форме используется...