Габсал

Номер патента: 291626

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Габсал, Токарев

МПК: H01L 29/786

Метки: всесоюзная, пдтекгко-1хшгка1библиотека

...термически осажденную пленку теллура, в сочетании с окисью алюминия в качестве диэлектрика с концентрацией свободныхионов не более 10"смпри тангенсе угла потерь не более 0,01.10 Предлагаемое изобретение поясняется чертежом, где 1 - подложка из изолирующегоматериала (ситалл, стекло, органическая пленка и т, д.); 2 - электроды исток - сток, обычно из золота; 8 - затвор из алюминия; 4 -15 слой окиси алюминия, полученный анодированием затвора в плазме тлеющего разряда вкислороде; 5 - слой узкозонного полупровод.ника (в наших образцах - теллура). Толщинао20окиси алюминия составляет 400 - 500 А, тол.щина слоя теллура 200 - 350 А. Относительная нестабильность негерметизированных полевых транзисторов предлагаемой конструкции не превышает 0,02 -...