Способ изготовления германиевых планарных р_„_р транзисторов

,и Й 1 СА 4 о й ЕИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскиз Социалистическиз Республикисоединением заяв Комитет по делам аооретений и открытий;иковано 08.1.10 оллетсць,"о та опубликования описания 17.1.1973 Авторыизобрететвит Е, А, Белановский, В. Н, Данилин, Ю. П. Клюев, А, Л. Филати А. А. Чернявский аяви гель СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕРМАНИЕВЫХ ПЛАНАРНЫХ р - л - р-ТРА НЗ И СТО Р О В2 Изобретение относится к области электронной техники и может найти применение прц изготовлении сверхвысокочастотных транзчсторов.Известны способы изготовления германиевых транзисторов, заключающиеся в следующем,На пластину германия с одной стороны наносят слой защитной плеши ЯО. В выгравированное отверстие проводят диффузию при меси для создания базового слоя. На пластину напыляют и затем гравируют экранирующий металлический слой. Пластину вторично защищают слоем пленки ЯО ц гравируют отверстия для эмиттерного электрода. Наны ляют и вплавляют материал эмиттерного электрода. Выделяют отверстия для базового электрода. На пыл яют изолирующие площадки ЯОе (третье покрытие пленкой). Напыляют и гравируют токоведущие дорожки для присое дцнецця контактов к эмиттерцому и базовому электродам.Однако существующий способ изготовления обладает рядом недостатков при производстве сверхвысокочастотных приборов с малыми 25 размерами электродов. Так, для создания контактных площадок необходимо проводить фотогравцровку размерами меньшими, чем сами электроды, что ограничивает получение структур с малыми размерами и, следователь но, созда 1 ше транзисторов для схем с АРУ с большой глубиной регулировки, Кроме того, имеются дополнительные операции нанесен;и третьего слоя ЯОа, металлического экранчрующего слоя для стабилизации обратных токог, р - п-переходов.Таким образом, целью изобретения являются упрощение способа изготовления германиевых планарных транзисторов, улучшенце цх высокочастотных ц регулирующих свойств.Сущность изобретения заключается в упразднении операции создания экраццрунццего металлического слоя, операции нанесения изолирующих площадок для размещения токовелущик дорожек, в совмещении операции создания электрода эмцттера с контактной 1 тло 1 цадКОц К ПЕМу, а тацжЕ В цЗКсцЕццц ПОрядКа ОПС- рации, а именно: после создан 1 гя базового слоя проводят вторичную дцффузшо в отьерстце для базового контакта перед создаццсм эмцттерцого перехода, причем тсрмц:1 ескце режимы выбраны таким образом, что, с целью снятия механических напряжений ц лецьцтенця обратных токов, подьем ц сццжеццс температуры проводят со скоростью, це превышающей по крайней мере 5 град(лшн.Последовательность операций следующая.На пластш 1 у германия наносят слой зац 1 цтной пленки с двух сторон. В выгравировашгое отверстие проводят диффузию для гоздацц,1(1)11 П 1 ОВ 1 ТСТВ ПО ЛОГ 3)1 НЗСОСТО:111:1 ОТН)В 11 Н 0 Н СОВСТС .(1 НН.1 С Г)ОВ (сб.). т 11. 1(ост)О)(сеОГО С 11)1)В 1 с)1 нн )1)датс.1 ьстВ, ОО)1 )11(1)нн и 1(1111)1(1 Г)Г( тО)1 Овлн базового слоя. Пластину вторично защищаот слоем пленки н гравируют отверстие для базового электрода. Проводят вторично диффузи)о с целью создания в базовом окне области с проводимостью, близкой к металлической.Проведение дополнительной диффузии вызвано необходимостью снизить посгоянцу(о времени го С. в части уменьшения сопротивления пассивной работы базы и, которое составляет величину70 ом без проведения дополнительной диффузии и не дает возможности получать приборы с малой величиной бСк 1 порядка нескольких единиц пико-секунд), тем самым значительно снижает максимальную рабочую частоту. Проведение дополнительной диффузии позволило снизить сопротивление до 2 О - 30 ом. Введение дополнительной диффузии также позволяет снижать требования к точности расположения электродов, облегчить фотолитографические операции совмещения 1 расстояние между электродамц 15+.5 мкм) . В окно для базового контакта напылгцот сплав для присоединения выводов. Гравиру:от отверстия для эмиттерного электрода с последующим напылением, гравировкой ц вплавлением, причем электродный материал гравцруется размерами большими, чем окно для эмиттерного перехода, что позволяет одновременно получить контактную площадку к эмиттерному переходу и уменьшить требования к точности совмещения фотолитографического оборудовацця, Во всех термических операциях подъем и спуск температуры проводятся со скоростью не более 5 град/лаин,Проведенце термических операций со скоростью, не превышающей 5 град/мин, цск,)цочает возможность появления термических напряжений В системе германий - пленка .)10 в, а также обеспечивает равномерное распределение жид кого фронта алюминия на поверхности германия и, вследствие этого, равномерное вплавление электрода эмиттера. Предмет изобрстенця1. Способ изготовления германиевых планарных р-и-р-транзисторов путем нанесения защитной окцсной пленки, фотогравцровкц коллекторного окна, создания базового слоя диффузией в освобожденный участок, вторцч ного нанесения защитной пленки, гравировкиотверстия для эмиттерного перехода, создаццц напылением и вплавлением эмцттерцого перехода, выделения отверстия для базового электрода, напыления базовых электродов ц токове дущих дорожек для присоединения оцтактовк эмиттерному и базовому электродам, отл(1- чаюиийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления транзисторов и улучшения их высокочастотных и регулирующих свойств, 25 после создания базового слоя проводят вт,)- ричиую диффузшо, создают любым известным способом, например напылением, базовый контакт, а затем напыляот и гравир 1)от ко 1 таегные площадки с последующим вп:Гаг)сенцеа цх 30 части до получения эмиттерного перехода.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, сцелью снятия механического напряжения и уменьшения обратных токов, термические операции 1 диффузию, напыление, осаждецие плен;)5 ки, вплавление электрода эмцттера) ведут соскоростью, це превышающей по крайней мере 5 гчад/л(пн.