288522

Номер патента: 632010

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Афанасов, Кислицын, Мусин, Петров, Россошинский, Утробин, Шамыгин

МПК: H01L 21/77

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов

...целиток через паяемый прибор с приложением напряжения пропускают дважды,при этом полярность напряжения изменяют относительно р-и-переходакристалла диода.Дпя пайки неориентированных,кристаллов диодов. каждый диод в нриспо соблении подключают к источнику питания, затем меняют полярность подключения источника питания относительно (Р-п-перехода полупроводниковогокристалла диода и повторно подключают источник питания. Некоторое сни"жение производительности при этомкомпенсируется ликвидацией операцииориентирования,П р и м е р. Б кассету, укладываютвырубленную из медной фольги толщиной 0,3 мм гребенку с облуженнымиокунанием в припой ПОСконтактными йлощадками. На контактные площадки укладывают полупроводниковыекристаллы диодов...

Номер патента: 289680

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Альперович, Кислицын, Корнилов, Лебига, Рассошинский

МПК: B23K 1/00

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов

...присоединение неско оских металлических проводнцковых выводов к полупроводниковым кристаллам германия, кремния, карбида, арсенида таллия ц др.Предварительно собранные в приспособлении 1 в необходимой последовательности элементы прцбо)ра 2 нагреваются со скоростью нагрева 10 С,.ттин до температуры на 40 - 70 С ниже температуры плавления припоя цли образовання (плавления) эвтектической прослойки на отдельном нагревателе 3 или струей горячего газа (1 стадия), затем все элементы прибора сжимают с определенным усилием Р, нанример, электродом наконечником тльтразвуковой головки 4 (11 стадия) и собранные эле 1 о менты 1 подвергают воздействию механических колебаний ультразвуковой частоты (111 стадия). При этом происходит увеличение...

Номер патента: 537770

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Бабак, Балакин, Близнюк, Нижегородов, Палабугин, Россошинский

МПК: B23K 3/00

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов

...корпуса. 5Полюса магнитопровода установленытаким образом, чтобы проекция крышки,совмещенной с основанием корпуса интегральной схемы, или ферромагнитного элемента, зафиксированного на неферромагнитной крышке, на плоскость полюсов быларасположена симметрично между полюсами,а короткие стороны крышки или элементаобращены к полюсам, причем ширина полю. -сов равна или больше ширины крышки изферромагнитного материала,или ферромагнитного элемента, а расстояние между полюсами равно или больше длины крышкиили элемента.При изменении величины постоянноготока, проходящего через катушку электромагнита, изменяется магнитный поток вмагнитопроводе, что ведет к изменениюусилия прижима крышки к основанию корпуса интегральной схемы,Периодическое...

Номер патента: 306929

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Биы, Всеоо, Патент, Радашевич, Рюмшин

МПК: B23K 35/26

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов

...О: - 2, кадмий 31 - 33, олово остальДля повышения качества паяного соединения при холодной пайке изделий в состав припоя вместо кадмия введена сурьма в ко личестве 0,5 - О,босо, а остальные компоненты взяты в следующем соотношении, %: германий 0,3 - 0,5, олово остальное.Данные прочностных свойств и металлографические исследования сплавов системы оло во-германий позволили установить, что оптимальное содержание германия в припое должно быть в пределах 0,3 - 0,5 со. При содержании германия в припое менее 0,3 с 1 эффективность его как добавки проявляется сла бо, а при содержании более 0,5 огсо возможны выделения его в припое в виде самостоятельной фазы - отдельных кристаллов, которые при термоциклическом воздействии на прибор могут...

Номер патента: 1013155

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Зверев, Кузнецов, Мурашов, Петрова, Цывин

МПК: B23K 1/20

Метки: корпусами, кристаллов, пайки, полупроводниковых, приборов

...толщине слой стекла, который вдальнейшем выполняет роль припояпри соединении кристалла с основанием корпуса.. Процесс изготовления слоя стеклав этом случае прост, технологичен,универсален, исключает отходы, егопродолжительность не превышает 1020 с и определяется толщиной слоя,концентрацией суспензии и напряжением на электродах,На чертеже показана электро-химическая ячейка для нанесения слоястекла на пластине полупроводника,снабженного сильнолегированным слоем р+ или и+ типа./П р и м е р. В процессе изготовления. структур на пластине 1 из кремния и+ типа с р =7,5 Ом см на обРатной стороне одним из известных методов (диффузия, ионное легирование)создают сильнолегированный слой 2 р+типа с поверхностной концентрациейй =1101...