H01L 23/482 — состоящие из слоев, являющихся вводами, неразъемно соединенными с полупроводниковой подложкой
Полупроводниковое устройство
Номер патента: 291530
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Иностранец, Иностранна, Федеративна
МПК: H01L 23/482
Метки: полупроводниковое
...например транзисторы, со вплавленными р - и- переходами. Направляющие этих устройств позволяют при маленьких поверхностях электродов иметь большие контактные поверхности. Но увеличение контактных поверхностей направляющих, расположенных одна над другой, через изоляционные слои вызывает появление паразитных емкостей, которые снижают рабочие частоты устройства.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что между направляющими и те. лом полупроводника располоткен металлический экран. Экраном может служить направляющая, размеры которой превышают размеры других направляющих.На чертеже изображен транзистор с направляющими и металлическим экраном,Транзистор содержит тело полупроводника 1 с изоляционным слоем 2. На изоляционное пятно...
Релаксационный диод
Номер патента: 302770
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Чубов
МПК: H01L 23/482
Метки: диод, релаксационный
...один из электродов выполнен из магния. Активная площадь испытанного образца 0,6 см 2. При напряжении в схеме 30 в и максимальном токе П 1=40 ма, К;=400. Такой элемент обладает индуктивностью, эквивалентной двум миллигенри.При включении релаксода в цепь постоянного тока в проводящем направлении ток медленно нарастает примерно по экспоненциальной кривой, Среднее время релаксации 10 - 30 сек в зависимости от величины и продолжительности тока, пропускаемого в запорном направлении перед включением прибора,Минимальное релаксационное время исчисляется долями секунд.На чертеже представлена схема релаксационного диода, Диод состоит из магниевого электрода 1, медного корпуса 2, разделяющего слоя перекиси свинца 3 и слоя эпоксидной смолы 4. 10...