H01L 23/482 — состоящие из слоев, являющихся вводами, неразъемно соединенными с полупроводниковой подложкой

Полупроводниковое устройство

Загрузка...

Номер патента: 291530

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранец, Иностранна, Федеративна

МПК: H01L 23/482

Метки: полупроводниковое

...например транзисторы, со вплавленными р - и- переходами. Направляющие этих устройств позволяют при маленьких поверхностях электродов иметь большие контактные поверхности. Но увеличение контактных поверхностей направляющих, расположенных одна над другой, через изоляционные слои вызывает появление паразитных емкостей, которые снижают рабочие частоты устройства.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что между направляющими и те. лом полупроводника располоткен металлический экран. Экраном может служить направляющая, размеры которой превышают размеры других направляющих.На чертеже изображен транзистор с направляющими и металлическим экраном,Транзистор содержит тело полупроводника 1 с изоляционным слоем 2. На изоляционное пятно...

Релаксационный диод

Загрузка...

Номер патента: 302770

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Чубов

МПК: H01L 23/482

Метки: диод, релаксационный

...один из электродов выполнен из магния. Активная площадь испытанного образца 0,6 см 2. При напряжении в схеме 30 в и максимальном токе П 1=40 ма, К;=400. Такой элемент обладает индуктивностью, эквивалентной двум миллигенри.При включении релаксода в цепь постоянного тока в проводящем направлении ток медленно нарастает примерно по экспоненциальной кривой, Среднее время релаксации 10 - 30 сек в зависимости от величины и продолжительности тока, пропускаемого в запорном направлении перед включением прибора,Минимальное релаксационное время исчисляется долями секунд.На чертеже представлена схема релаксационного диода, Диод состоит из магниевого электрода 1, медного корпуса 2, разделяющего слоя перекиси свинца 3 и слоя эпоксидной смолы 4. 10...