Полупроводниковое устройство

Номер патента: 291530

Авторы: Иностранец, Иностранна, Федеративна

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ 29 ВЗОИЗОБРЕТЕНИЯ Сова Советокиа Социалиотичаокиа РаолтблииК ПАТЕНТУ Зависимый от патента .м аявлено 06.Ч.1965 ( 1011054/26-25) МПК Н 01/ 1/О итет Комитат ло делам аобретаииЯ и открытиЯ лри Совета Миииотров СССРно 06.1.1971. Бюллетень М 3 088.8) публик та опубликования описания 22.11.19 ностранецер ГерстнерРеспублика Германии)ранная фирмаатентанвертунг ГмбХРеспублика Германии) вторзобретен ДиЗаявител ОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТ к ан снабже г контактными провода. выполнены напылением чужить направляющая, отсчитывается потенцижду телом полупроводвляющпми. Для этого ее размера, чем другие на. бразом могут быть выдля применения в схеме общим эмпттером. Изме.анесенпя направляюет сторойная менапрашегочкпм осторыглп сорядог о напримерконтактпрося тем, что, рактеристик, полупроводсран.ееся тем, чтонаправляюов, чем друИзвестны полупроводниковые устройства, например транзисторы, со вплавленными р - и- переходами. Направляющие этих устройств позволяют при маленьких поверхностях электродов иметь большие контактные поверхности. Но увеличение контактных поверхностей направляющих, расположенных одна над другой, через изоляционные слои вызывает появление паразитных емкостей, которые снижают рабочие частоты устройства.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что между направляющими и те. лом полупроводника располоткен металлический экран. Экраном может служить направляющая, размеры которой превышают размеры других направляющих.На чертеже изображен транзистор с направляющими и металлическим экраном,Транзистор содержит тело полупроводника 1 с изоляционным слоем 2. На изоляционное пятно 3 нанесен металлический слой 4, являющийся экраном. На участке, защищенном изоляционным слоем 5, расположены направляющая б для контактирования с электродом основания 7 и направляющая 8 для контактироваггия с электродом эмиттера 9. Обе направляющиеиэ р нми 10.Изоляционные слог510 а или %0.5 Экраном мояотносительно коал, расположенника и другимивыполняют боль0 правляющие, Т.полнены транзис общей базой гляется лишь пщих. 15 Предмет изобретен 1. По,чупроводггиковое устройств транзистор, с направляющими для вания с электродами, отяггчаюгггее 20 с целью улучшения частотных ха между направляющими и телом ника расположен металлический э 2. Устройство по и. 1, от,гичающ металлическим экраном является 25 щая, выполненная больших размер гие направляющие.ираж 47ий приб., д. 4/5 Заказ 288 10по делам изобретений и откр Москва, Ж, Раушская Подписное веге Минисгров СССР

Смотреть

Заявка

1011054

Иностранец Дитер Герстнер, Федеративна Республика Германии, Иностранна фирма Телефункен Патентанвертунг ГмбХ, Федеративна Республика Германии

МПК / Метки

МПК: H01L 23/482

Метки: полупроводниковое

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-291530-poluprovodnikovoe-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковое устройство</a>

Похожие патенты