Пдтейтно-техшнеска:
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 295289
Авторы: Даниэл, Иностранна, Поль, Соединенные, Эмери
Текст
295289 ОПИСАН И ЕИЗОБРЕТЕНИЯК ПАТЕНТУ боюв Советских Социалистических РеспубликК Н 01/ 7/04 Н 01/ 7/34 аявлено 20,Х 11.1967 ( 1204443/26-25) Приоритет 20,ХП,1966,603214. Соединенные Штаты Америки Комитет по делам зобретеиий и открытий при Совете Министров СССРпублпковано 04.11,1971. Бюллетеньата опубликования описания 6.11.1971 УДК 621.382.002(088.8 Авторыизобретени Иностра иэль Дж. Шейнфилд, Эмери Ву Лайт(Соединенные Шт Иностранная Интернешнл Стандарт Эты Америки)фирмаектрик Корпорты Америки) БСЕССЮ 31 тАЯЛЕЬ 1 НО-НХБЧ.Ш Заявитель материала с относительно высоким сопротивлением характеризуется некристаллической объемной структурой (локально упорядоченной, но макроскопически аморфной или поли кристаллической), в то время как другое состояние с относительно низким сопротивлением характеризуется кристаллической структурой.Эксперименты показали, что стеклообраз ные материалы, состоящие из перечисленныхкомпонентов, нестабильны с изменением температуры и, кроме того, пх срабатывание ухудшается па одни и те же напряжения при последующем приложении контрольного по тенциала. Происходит это из-за того, что путипрохождения тока не всегда одинаковы, и некоторые из них остаются после снятия напряжения.Бистабильные приборы, в которых исполь зуются такие полупроводниковые стекла, описаны и обычно состоят из массивного полупроводникового стеклообразного материала (в некристаллическом или стеклообразном состоянии), находящегося в контакте с парой 5 пространственных электродов, Управляющийэлектрический сигнал, подаваемый на электроды, создает термические или электрические эффекты поля, которые вызывают кристаллизацию части полупроводникового ма териала с образованием одного или нескольЗависимый от патентаОЛУПРОВОДН ИКОВЫй Изобретение относится к области полупроводниковых стеклообразных материалов, и в частности стеклообразных материалов, имеющих два или более физических состояния, избираемых электрическим путем, которые характеризуются разными величинами объемного сопротивления.Стеклообразные полупроводниковые материалы, которые обнаруживают два или несколько стабильных физических состояния, имеющих различные электрические характеристики, известны.Эти состояния являются характеристикой массивного материала; приборы, выполненные из таких материалов, не выпрямляют и способны переключаться электрическими средствами в разные состояния. Поскольку сопротивления материала в одном физическом состоянии существенно отличается от сопротивления в другом состоянии, такие приборы используются в качестве невыпрямляющих переключателей, пригодных для работы как с переменным, так и с постоянным током,Известны стеклообразные составы тройной системы теллур - мышьяк - йод, теллур - мышьяк - германий, теллур - мышьяк - селен, теллур - мышьяк - галлий, взятые в соответствующих пропорциях и подвергнутые термической обработке. Одно физическое состояние рд Карриер и Поль Эллиотт ЛООБРАЗНЫй МАТЕРИАЛ5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 ких путей прохождения тока, за счет чего создается кристаллическая нить с относительно низким сопротивлением между электродами. Установлено, что вследствие образования микротрещин в относительно тонкой кристаллической нити имеется тенденция к повреждению кристаллической нити с низким сопротивлением, которое часто приводит к спонтанному выключению или переходу в состояние высокого сопротивления между электродами прибора.Кроме того, установлено, что стеклообразные материалы тройной системы мышьяк - теллур - йод имеют со временем тенденцию к химической нестабильности вследствие гидролитической реакции между йодом и атмосферной влагой и испарения некоторой части йода при прохождении электрического тока через материал. Поэтому необходимы специальные методы или конструкции для устранения трудностей, связанных с нестабильностью прибора.Установлено, что нестабильность может быть значительно уменьшена за счет выполнения проводящей стеклообразной массы с нитями небольшого поперечного сечешя так, чтобы происходило полное насыщение при приложении коммутационного напряжения. Это удовлетворяет в определенных пределах, однако трудно изготовить различные приборы с одними и теми же рабочими характеристиками для коммутационных печатных схем и т, п.Другая попытка устранения недостатков прибора предыдущего типа заключается в создании активационной схемь, которая подает импульсную энергию для срабатывания приборов. После приложения актива 1 понного импульса чувствительный прибор обеспечивает условие чувствительности прибора. Такой чу вствительный прибор служит для управления импульсной схемой так, что следующий коммутационньй импульс компенсирует остаточный режим прибора.Недостатки известных полупроводниковых стеклообразпых материалов устраняются за счет использования предлагаемой смеси тройной системы таллий - теллур - германий в следующих пропорциях (вес. Оо): таллий 4 - 21, теллур 71 - 90 и германий 4 - 1 б. Такие стеклообразные материалы стабильны и однородно срабатывают на контрольный потенциал без специальных конструкций или схем управления, указанных выше.На чертеже представлена тройная диаграмма с указанием составов, которые дают преимущество по сравнению с известными материалами в случае их использования в качестве бистабильных певыпрямляющих полупроводниковых элементов, Данные смеси, согласно изобретению (по весовому составу), указаны в заштрихованной зоне А. Образцы смесей, приготовленных с цельо получения настоящей диаграммы, были полу ены по следующей технологии. В качестве исходных материалов для приготовления стекол взяты таллий, теллур и германий в:сокой чистоты. Образцы изготовлялпсь в чистых проплавленных кварцевых ампулах с размером: 5/ дюйма внутрешпм диаметром и б дюймов длиной, Навески элементов, необходимые для получения продукта заданного состава, были рассчиташя таким образом, чтобы после реакции продукт почти заполнил колбу на дне ампулы. Необходимое количество таллия, теллура и германия взведивалось в сухом азоте и переносилось в кварцевую трубку, которая откачивалась и запаивалась водородной горелкой. После этого запаянная кварцевая трубка помещалась в стальной баллон с колпачками на концах, установленными с зазором и неподвижно закрепленными. Затем баллон нагревался при температуре 90 С в течение 12 час в горизонтальной печке с камерой сгорания, вращсиоцейся вокруг собственной оси во время работы. После реакции баллон и его содержимое оставались в вертикальном положении для охлаждени так, чтобы большая часть продукта затвердевала в колбе внизу ампулы. После охлаждения ампула вынималась из стального баллона, а небольшое количество материала, сконденсированное в верхней части ампулы, отгонялось путем нагрева ампулы водородной горелкой. Лмпула нагревалась небольшим водородным пламенем в точке непосредственно пад колбой до тсх пор, пока она ие отделялась и не была запаяна. Трубка над отделяемой частью вынималась, а часть трубки с продуктом снова нагревалась в стальном баллоне в течение 2 час при 900 С во вращающейся трубчатой печке, После отжига баллон и его содержимое оставлялись для охлаждения на воздухе при комнатной температуре. Полученный материал использовался затем для изготовления бистабильной схемы памяти путем прикрепления и нему электродов известным методом.Было установлено, что в качестве материалов для электродов целесообразно использовать железо, никель или вольфрам. Эти металлы сводят к минимуму взаимодействие с активным полупроводниковым материалом, причем установлено, что другие материалы для электродов (особенно медь) способствуют поникению стабильности изготовленных приборов,Предмет изобретения 1. Полупроводниковьй стеклообразный материал, содержащий теллур и германий, отличающийся тем, что, с целью улучшения стабильности его свойств, в его состав введен таллий.295289 Составитель М. П. СорокинаТсхрсд Е. Борисова Корректор Н. Л, Бронская Редактор Л. Ралдугина Заказ 788/16 Изд.356 Тирани 473 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР МоскваУК, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 2. Материал по п. 1, отличаощтшся тем, что его компоненты взяты в следув 1 ием соотношении (вес.%): ПЮ га ЗО 4 О Т ллрГерманийТаллий 71 - 90 4 - 16 4 - 21
СмотретьЗаявка
1204443
Р. ИР ПИОТРИА
Даниэль Шейнфилд, Эмери Вудвард Карриер, Поль Эллиотт, Соединенные Штаты Америки, Иностранна фирма Интернешнл Стандарт Электрик Корпорейшн, Соединенные Штаты Америки
МПК / Метки
МПК: H01L 21/02
Метки: пдтейтно-техшнеска
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-295289-pdtejjtno-tekhshneska.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Пдтейтно-техшнеска:</a>
Предыдущий патент: Двухполупериодный выпрямитель
Следующий патент: Способ соединения токоведущих пластин угольных коллекторов с выводами якорнойобмотки
Случайный патент: Измеритель пассивных комплексных электрических параметров