Всесоюзная пдтекгко-1хшгка1библиотека

Союз Советских Социалистических Реепублик.1969 ( 1363843/26-2 МПК, Н 011 11/ явлено с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 26.71,1971, Бюллетень23Дата опубликования описания 12.Х,1971 Комитет по делам обретений и открыти рн Совете Министров СССР1.382,322(088,8) Авторыизобретения Г. Габсалямов и П. Д. То явитель ЛЕНОЧНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТО уст- оле- ильИзобретение относится к области электронной техники, в частности к пленочным полевым транзисторам с изолированным затвором.Известен пленочный полевой транзистор со структурой металл - диэлектрик - полупроводник, где в качестве диэлектрика используется окись алюминия, а в качестве полупроводника - слои селенида кадмия.В этих приборах имеется релаксация параметров, которая проявляется в искажениях вершины передаваемого прямоугольного импульса или в длительном установлении стационарного значения тока при включении пленочного полевого транзистора в стационарный режим.В известных пленочных полевых транзисторах, использующих А 1,0 З в качестве изолятора затвора, релаксационные процессы различной длительности обусловлены наличием ловушечных состояний в широкозонном и обычно высокоомном полупроводнике, где концентрация ловушек сравнима с концентрацией носителей заряда.Одной из причин затягивания переходных процессов являются ловушки, особенно глубокие, которые имеют большие времена обмена носителями с зоной проводимости.Цель предлагаемого изобретения - в ранении релаксаций тока в пленочных п вых транзисторах с повышенной стаб ностью параметров, что позволит использовать их в импульсных схемах.Для этого в качестве полупроводника ис.пользуют узкозонный, низкоомный материал,5 например термически осажденную пленку теллура, в сочетании с окисью алюминия в качестве диэлектрика с концентрацией свободныхионов не более 10"смпри тангенсе угла потерь не более 0,01.10 Предлагаемое изобретение поясняется чертежом, где 1 - подложка из изолирующегоматериала (ситалл, стекло, органическая пленка и т, д.); 2 - электроды исток - сток, обычно из золота; 8 - затвор из алюминия; 4 -15 слой окиси алюминия, полученный анодированием затвора в плазме тлеющего разряда вкислороде; 5 - слой узкозонного полупровод.ника (в наших образцах - теллура). Толщинао20окиси алюминия составляет 400 - 500 А, тол.щина слоя теллура 200 - 350 А. Относительная нестабильность негерметизированных полевых транзисторов предлагаемой конструкции не превышает 0,02 - 0,04,25 Отсутствие включений гидроокисей ваморфной пленке окиси алюминия, а такжедостаточно низкая концентрация свободныхионов, обладающих, к тому же, чрезвычайномалой подвижностью, предотвращает образоЗ 0 ванне новых ловушечных состояний на граниЗаказ 277 о/4: Изд.1173 Тираж 473 ПодписноеЦКИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская набд. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 це раздела диэлектрик - полупроводник. Об отсутствии включечий свидетельствует малое значение тангенса угла потерь, который не превышает 0,01, а концентрация свободных ионов, вычисленная из изменений порогового напряжения в пленочном полевом транзисторе, имеет значение не более 1016 см .С другой стороны, узкая запрещенная зона теллура обеспечивает почти полную ионизацию мелких ловушечных состояний при температурах значительно меньших комнатной, а почти металлическая проводимость приводит к мгновенному рассасыванию объемного заряда более глубоких ловушек на границе раздела диэлектрик - полупроводник, концентрация которых значительно меньше концентрации носителей. 4Сочетание упомянутых свойств указанныхматериалов в структуре пленочного полевого транзистора обеспечивает качественно новый результат, заключающийся в отсутствии ре 5 лаксаций тока.Предлагаемые транзисторы могут применяться в устройствах вычислительной техники. 10Предмет изобретенияПленочный полевой транзистор МОП структуры на основе полупроводника с узкой запрещенной зоной, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров 15 транзистора, в качестве диэлектрика использована окись алюминия с концентрацией свободных ионов не более 10" см-з.