Способ изготовления полупроводниковых приборов

О П И С А Н И Е 323 ОЬУИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 05 Х 1.1969 ( 1336187/26-25)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 09.11.1972. Бюллетень7Дата опубликованпя описания 7,1 Ч.1972 М. Кл,Комитет по дел изобретений и открытипри Совете МинистровСССР ДК 621.328.001.3 (088.8) Авторыизобретения. С, Галков И. Фейгино аявите ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБО Изобретение относится к электронной те нике.Известны способы изготовления полупроводниковых приборов, при которых последовательно проводят следующие операции (после получения функциональных элементов на полупроводниковой пластине): зондовые измерения параметров приборов с маркировкой негодных, разделение пластины на отдельные кристаллы, разбраковку и сборку прибора в 10 корпусе путем монтажа кристалла на ножке и присоединения внутренних выводов. В некоторых случаях при резке пластин на кристаллы их приклеивают к пластине-спутнику и после разделения отсоединяют. Иногда при 15 сборке приборов применяют беспроволочные методы, не требующие крепления кристаллов к ножке, заключающиеся в присоединении балочных выводов непосредственно к кристаллу.К недостаткам известных способов относят ся необходимость в маркировке негодных прп боров, ручкой разбраковке и для автоматизации процесса - в оптико-электронных устройствах для совмещения кристалла с базовыми элементами корпуса. 25Предлагаемый способ позволяет упростить технологический процесс и сохранить ориентацию кристаллов по отношению к базовым элементам корпуса для автоматизации процесса сборки вплоть до момента выполнения 30 этой операции. Он отличается тем, что полупроводниковую пластину, предварительно закрепленную после пслучения на ней функциональных элементов на пластине-спутнике, сначала разделяют ка кристаллы, а затем производят зондовый контроль параметров, отделяют применением местного подогрева годные кристаллы и прикрепляют их к корпусам приборов или отделяют и удаляют негодные кристаллы, а годные, ориентированные на пластине-спутнике, передают на сборочную операцию, где отделяют крис;аллы от пластины. спутника и прикрепляют ьх к корпусам приборов или, в случае сборки с применением балочных выводов, поочередно прпваривают к кристаллам группы балочных выводов и отделяют кристаллы от пластины-спутника после приварки выводов,На фиг. 1 показана операция разделения полупроводниковой пластины на кристаллы; на фиг. 2 - операция зондового контроля параметров, при которой происходят также отделение годных кристаллов и перенос их для крепления к корпусу пли отделение и удаление негодных кристаллов; на фиг. 3 - операция приварки к годным кристаллам балочных выводов при беспроволочной сборке приборов.Закрепив полупроводниковую пластину 1 с функциональными элементами на держателе. спутнике 2 (фиг. 1) легкоплавким клеем илипримораживанием, разделяют ее ца кристаллы без нарушения ориентации с помощью устройства 3 (резца скрайберцого станка, пилы или диска установки разрезки), Для этой операции может применяться и травление.Далее прц последовательном перемеще 1 ц 1 ц пластины ца шаг расположения кристаллов 4 контролируют их параметры зондами 5 (фцг. 2), Годные кристаллы поочередно, по мере измерения, отделяют от держателя-спутника 2 устройством 6, применяя местный подогрев пх до температуры плавления крепящего состава с помощью устройства 7, которое может представлять собой трубку для подачи горячего газа либо цдгретый стержень (в частцом случае устройства 6 ц 7 могут быть совмещены), устанавливают ца корпусе 8 прибора и прцпанвают илп приклеива 1 от. При неодинаковой производительности зоцдового и сборочного устройств, невысоком проценте выхода годных кристаллов цд плясгипе цли при сборке крцстдллов путем крепления балочных выводов пелесообразцо удалять негодные кристаллы, Прц этом годные кристаллы передают ця держателе-спугццке ца сборочную установку, где держатель-спутцик с кристаллами орце 1 ггируют в соответствии с кинематикой движения устройства 6, после чего последовательно отделяют кристаллы от пластины-спутц 11 кя и прикрепляют к корпусам, а при сборке с балочными выводами - ориентируют по отпошеншо к плате 9 (фиг. 3) и поочередно прцваривают к кристаллам группы балочных выводов, отделяя кристаллы от держателя-спутника после приварки выводов, При сборке дополнительно перемещают пластину па шаг расположения кристаллов, подают корпуса 8 в рабочую зону ц перемещают плату 9 нд шаг расположения групп выводов. Выборочное отделение от пластины-спутци. ка годных или цегодцых кристаллов по мере измерения параметров не требует маркировки негодных кристаллов и разбраковки, а бла 5 годаря тому, что взаимное расположение год цых кристаллов определепо закреплением их ца держателе-спутнике, огпадает цеобходи мость в дополнительных манипуляциях для ориентации каждого кристалла. Кроме того,10 кристаллы, передаваемые на сборку, базцру ют по структурам на цих, я це по граням, прц чем правильность бдзировяцпи коцтролцру 1 от зондами, что создает условия для высокоточ ного расположения кристаллов цо отцошецик 1 15 к базовым элементам корпуса, способствуя явтоматизаццц процесса,Описываемый способ может применяться также в тех случаях, когда необходима клас сцфцкацця кристаллов по параметрам, Прц 20 этом, 1 гзмеряя параметры кристаллов, их от деляют и переносят каждый кристалл, в за. вцспмостц от его характеристик, в соответст вующую емкость.25 П редмет изобретенияСпособ изготовления полупроводниковыхприборов, включд 1 ощпй получение фуцкциоцяльцых элементов ца полупроводниковой 50 пластине, зоцдовый контроль параметров, закрепление полупроводниковой пластины ца держателе-спутнике, разделение на кристаллы, съем кристаллов с держателя-спутпнкд и цх крепление к ножке прибора плп к вывоЗ 5 дам, отлачаюншйся тем, что, с целью упрощеш 1 я процесса изготовленя приборов, зоцдовый контроль параметров функциональных элементов проводят после разделения пластицы ца кристаллы, и съем годцых кристаллов с 40 держателя-спутника осуществляют выборочно.-:ф( ктор Б. федотов ри орректо Типография, пр. Сапунова аказ 868/81,НИИПИ Комптета Ум:. л м/ л ,л;м, (-,оставитель В. Гриши Техред Е. Борисова Изд.351 Тираж 448 Подписно лаги изобретений и открытий при Совете Министров СССР оскал(К-З 5, Раушская наб., д. 4(5