Интегральная схема

саюэ сонетснисоциллистичесниРЕСПУБЛИК 1589957 01 Ь 2 Ц ГООУДАРстэеннцй нОмитетГО ИЗОБРетЕииям И ОтнрЫтиямПРИ ГКНТ СССР АН ЕНИ ТЕЛЬС,ИЙЬбретение относится к полупровод- Интегральная схема (Фиг, 1) содерниковой"электронике, а конкретно - кзсит матрицу 1 р- и и-канальных МОП- полупроводниковым интегральным схемам транзисторов, содержащих изолирующие на основе компрементарных МОП-,тран- ф транзисторы, и размещенных в ряц паэисторов. ргллельных столбцов 2, ячейки вводаЦелью изобретения является повыше- . вывода 3, периферийные контактные ние степени интеграции и надежности площадки 4, шины питания 5 и общие работы в условиях внешних воздействий шины 6, размещенные под столбцами 2 интегральной схемы путем уменьшениятранзисторов, Интегральная схема площади, занимаемой шинами питания и (Фиг, 3) выполнена в полупроводнико общими шинами, охранными сбластями, вой подложке и-типа проводимости, и ослабления зависимости изменения интегральнои схеме (фиг, ) пороговых напряжений транзисторов"зисторы формируются вуллт я в иненных об при воздействии внешних факторов :;астях 7 и 8 р и и-типа р д- и и-типа проводимости,. На Фиг. 1 изображена структурнаяразделенных изолирующим диэлектриком схема кристалла интегральной схемы;, 9; чередующихся в направлении ряда и на фиг. 2 - топологическая схема мат- окруженных высоколегированными первд рицы и- и р-канальных ".ранэисторов; ми охранными областлми р на Фиг. 3 - поперечный разрез актив-и+-типа проводимости соответственно. ной структуры интегральной схемы. Область 7,р-типа разделена напервую(57) Изобретение относится к интегральным схемам на К 10 П-транзисторах.Целью изобретения является повышениестепени интеграиии и надежности Функционирования в условиях внешних .воздействий интегральной схемы, выполФ 2ненной в полупроводниковом слое и со-,держащей матрицу р- и и"канальныхМОП-транзисторов путем устранения. утечек исток - сток и-канальных транзисторов и эащелкивачия в условияхвнешних воздействий,. В интегральной .схеме цель в,условиях внешних воздействий достигается разделением областей р- и и-типа на две удлиненныеобласти охранными областями р- и и-.типа, размещением затворов поперекудлиненных областей р- и п-типа, ихперекрытием первой и второй охранныхобластей р- и и-типа и размещениемобщей шины и шины питания над вторы- ми охранными областями и- и р-типа сконтактом с ним, 3 ил, 3 1589957 4 И вторую удлиненные области 12 и 13 рек первой и второй областей 21 и 22 выведенной на планарную поверхность п-типа, перекрывают с одного конца интегральной схемы второй охранной первую охранную область 11 и+-типа, а областью 14 рф-типа проводимости, С другого - вторую охранную область размещенной вдоль удлиненной, области 23 п -типа проводимости и отделены5 ф7 р-типа проводимости и смыкающейсяот них изолирующим диэлектриком 9 е верхней и нижней ее части с первой Меяду электродами затворов 24 сфор-охранной, областью 10 рф-типа проводи- мированы области 25 р+-типа проводи. мости. Электроды затворов 15 и"каналь 10 мости, образующие истоки и стоки рных МОП-транзисторов, отделенные,от канальных МОП-транзисторов, отделен- первой и второй областей 12 и 13 р- .ные от первой и второй охранных об-. типа тонким подзатворным диэлектри- пастей 11 и,23 п"типа проводимости ком.1 б, 1 равномерно размещены в два на расстояние, превьппающее величину столбца 1 оперек первой и второй удли бокового ухода о ранних областей 11 ненных областей 12 и 13 р-типа прово пь"типа и областей 25 истоков и димости и перекрывают с одйого конца стоков р-канальных ИОП-транзисторов. первую охранную область р+-тпа про- Области 25 истоков и стоков и вторая водимости, а с другого -вторую охран- охранная область 23 покрыты пассивину 1 о область 14 р.типа проводимости, рующим диэлектриком 18, на котором Между электродами затворов 15 скорми- вдоль удлиненной области 8 и-типа профровацы области 17 а-типа проводимости водимости размещена металлизированнаяобразующие истоки и стоки и-канальных шина питания 2 б, покрывающая вторую ИОП-транзисторов. Области 17 отделены охранную область 23 и края электродовот первой и второй областей 10 н 14, 25 затворов 24, под которой в пассивиру-.р+-типа проводимости изолирующим ди- ющем диэлектрике 18 над электродамиэлектриком 9 на расстояние, превьппаю- затворов 14 изолирующих,р-канальных щее величину бокового ухода охранных ИОП-транзисторов и второй бхраннойобластей 10 и 14 рф-типа, и областей областью 23 сформированы контактные17 истоков и стоков а изолирующий окна 27, электрод затвора 15 по меньдиэлектрик .9 перекрыт электродом зат- шей мере одного и-канального МОП-тран-вора 15 на величину рассовмещения зис.тора соединен с электродом затвоэлектродов затворов 15 и изолирующего, ра 24 одного р-канального ИОП-трандиэлектрика 9, Вторая охранная область зистора, его исток соединен с общей.14 пф-типа вместе с электродами зат- шиной 19, сток соединен со стокомворов 15 и и-областей 17 истоков и р-канального ИОП-транзистора, исток35стоков покрыта пассивирующим диэлект- которого соединен с шиной питания 26.риком 18, на котором вдоль удлиненной . Разделение вторыми охранными облаобласти 7 р-типа размещена общая шина стями 14 и 23 р+- и и+-типов позволя"19 покрывающая вторую охранную об-ет использовать по одной шине питания940пасть 14 р-типа и края электродов зат- .26 и общей шине 19 для каждой парыворов 15 Под шиной 19 в пассивирую- ИОП-транзисторов, размещенных в облащем диэлектрике 18 сФормированы кон- стях 12 и 21, и тем самым уменьшитьтактные окна 20 к второй областп 14их количество в 2 раза, при этом шиныр-типа электродом затворов 15 изоли размещены под вторыми охранными обла-.45рующих ИОП-транзисторов, стями и не требуют для их размещенияОбласть п-типа проводимости разде- дополнительной площади, что позволяетлена на первую и вторую удлиненные . уменьшить площадь кристалла интегральобласти 21 и 22 выведенной на планар- ной схемы, Размещение затворов ИОПну 1 о поверхность интегральной схемы транзисторов поперек, удлиненных облавторой охранной областью 23 и -типа стей 1.2, 21 и перекрытие электродами5 О.и смыкающейся в верхней и нижней ее затворов 15 ИОП-транзисторов первыхчасти с первой охранной областью 1 1 охранных областей 10, 11 и вторыхпф-типа проводимости, Электроды зат- , охранных областей 14, 23, под которы;воров 24 р-канальных ИОП-транэисторов, ми размещены шины питания 2 б и общиеотделенные ат первой и второй облас шины 19, позволяют одновременно обестей 21 и 22 и-тина проводимости тон- лечить изоляцию ИОП-транзисторов эаким подэатворным диэлектриком 16, рав= крытыми изолируйщими транзистораминомерно размещены в дна столбца попе- подключением их электродов. затворовс соответственно к общей шигге питания 26 простым вскрытием контактных окон 20, 27 в диэлектрике 18 под электродами затворов 15, При этом охранныефобласти р -, п -типов между каждым из МОП-трацзисторов, занимающие большую площадь, отсутствуют, что позволяет увеличить количество МОЯ-транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы. Одновременно вьг ход электродов затворов 15 и-канальных ИОП-транзисторов нар+-охранные области 10, 1 ч, на которых расположены области тонкого подэатворного диэлектрика 16 позволяет улучшить устойчивость к внешним воздействиям эа счет устранения канала утечек между электродами сток-исток и-канальных транзисторов и уменьшения зависимости величины порогового напряжения от уровня внешних воздействий,Таким образом, применение изобретения позволяет повысить степень ин теграции интегральной схемы при одновременном улучшении устойчивости к внешним воздействиям. 8.19 17 6 Интегральная схема, включающая матрицу р- и и-канальных ИОП-транзисторов, размещенных рядами параллельных столбцов, диэлектрические изолирующие областии изолированные области и- и р-типа проводимости, охранные области п- и р+-типа проводимости шины питания и общую шину, расположенные над столбцами транзисторовизолирующие ИОП-транзисторы, о т Ж и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения степени интеграции и надежности работы в условиях внешних воздействий, изолированные области выполнены чередующимися в направлении ряда, при этом изолированные области р .типа проводимости разделены на.первую и вторую удлиненную области вь 1- веденной на планарную поверхность дополйительной второй р+-охранной областью, смыкающейся с первой охранной облаг гью р+-типа процоццмостц, лектроды затворов и-каггальцих ИОП-транзи-сторов равномерно размещ ць в дг 1 дстолбца поперек упомянутых первой и5второй удлинлггцых областей р-тица нперекрывают с одного конца первуюохранную область рф-типа, а с пругаговторую охранную область рф-типа, межд электродами затворов сФормцравацыобласти пф-типа, образующие цх истокии стоки, отделенные от охранных ровобластей изолирующим диэлектриком столщиной превышающей величину бокового ухода охранных р"-областей и областей истоков и стоков 11 ф-типа, приэтом изолирующий диэлектрик перекрытзлектродом затвора ца величину рассовмещения электродов затвора и изоли 20 рующего диэлектрика, вторая охраннаяр-область, электроды затворов, истоков и стоков и-канальньгх МОП-транзисторов покрыты пассМвнрующим диэлектриком, на котором вдоль областей р-,25 типа расположена общая шина, соединен-,ная с второй охранной .рг.-областью ис затворами изолирующих и-канальныхИОП-транзисторов, изолированные облаф о р и у л а и з о б р е т е н и ясти и-типа разделены на первую и втоЗО рую удлиненные области выведенной цапленарную поверхность второй охранной областью и -типа, смыкающейся спервой охранной областью пф-типа,электроды затворов р-кацальных МОП 35"транзисторов равномерно размещены вдва столбца поперек упомянутых удли- ненных областей и-типа и перекрываютпервую и вторую охранные области ггфтипа, между электродами затворов сФор-,1 б мированы области р+-типа, образующиеистоки р.-канальных ИОП-транзисторов,отделенные от охранных областей изо.- лирующим диэлектриком на расстояние,превышающее величину бокового ухоДа45 охранных областей и+-типа и областейстоков и истоков, шина питания расположена .над второй охранной пф-областью, перекрывает края электродовзатворов и соединена с второй охран-5 р ной пг-областью и затворами изолирующих р-канальных ИОП-транзисторов.,2 Тираж НИИПИ Государственного комитета по 113035 р Иосквау Ж"35 еПодписное,обретениям и открытиям при ГКНТ СЧСРРаушская наб., д. 45ю аае