Стучебников

Номер патента: 1783324

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Стучебников, Тюкавин

МПК: G01L 1/22

Метки: мостов, полупроводниковых, тензорезисторных, термокомпенсации

...13 термокомпенсирован, если1+АВ ВФ- СФ=1/Р(й (42)Благодаря тому, что каждый из коэффициентов А, В, С аппроксимирующего пол 30 инома третьей степени может быть какположительным, так и отрицательным числом, условие (42) выполняется с достаточномалой погрешностью при любом характерефункции, связанной с температурной харак 35 теристикой чувствительности тензорезисторного моста р(ф питаемого в режимезаданного тока, обратной пропорциональной зависимостью, то есть при любом характере функции 1/ ср ф в достаточно широком40 температурном диапазоне,Температурная характеристика р(бчувствительности тензсмоста 13, питаемогов режиме заданного тока, является исходной для расчета сопротивлений моста 5 и45 нагрузки 14. Она либо известна заранее...

Номер патента: 1734136

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Лизин, Нардышев, Соколовский, Стучебников

МПК: H01L 21/98

Метки: датчика, держателем, полупроводникового, соединения, стеклянным, чувствительного, элемента

...осуществления процесса спекания (вместо процесса оплавления) и снижение на 50 - 120 С за счет уменьшения размера стеклочастиц, последнее определяют по отношению 4 Ь" М 1+273 - лг - где о- поверхностная энергия, эрг см;г, М - мол, масса, г; т - температура плавления вещества в макрообьеме, ОС; 0 - диаметр частиц, см; с 1 - плотность, г см з;- скрытая теплота плавления, кал мольПринимая, что все параметры, кроме О, сохраняют свои значения, запишем это соотношение для снижения на 50 - 120 ОС и для снижения на 10 С, а затем, разделив второе соотношение на первое, получаем 050-120 = (0-08 0,2) 010. Снижение на 10 С можно получить при дисперсности около 200 нм, Следовательно, дисперсность (16 40) нм обеспечит снижение на 50 - 120 С.Нижняя...

Номер патента: 1434933

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Евдокимов, Стучебников, Шашков, Ялышев

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, сигнал, электрический

...ТРОМ ЦЦ)КИХ ЧЯС.От )Ог )Я ПЕРВ ГВ ход ( с т О р 0 т 0 и 0 ц я е т с я с. г цт;1 сампли ггцногО одрятичителя с, я В то, рой его вхсд годается коррек. 1)у)оийСЬГЦРЛС ПОМОЦтО КОТОРОГО ОС".Цег - ВЛяЕтСя КОМГЕНСЯЦця Яддгтцвцс й С;)С- тявляоцей тсогретост.);". трети: его вход под яе тся п ро мод ули ров я ццый пс,длительности и а ппцтуде зпяког)ЕРРМЕЦгЬгс 1 СИ) На,г.г С ПОМсЬО КО от)О Го ОСУтЕСТВЛЯЕТС; КОМПЕНСаЦИЯ МЭттт ГЦПЛЦКЯТИВНОЙ СОСТЯВСОЯОГЦЕЙ ТРМПЕг)Я ГУР - ЦОИ ПОГРЕГтОС. И.Рег улиров к у чув с тг ительно с ти ,)(03 фПИЕттяС ИЛЕця СХСМЫ)осу)ествлтть с помоцью резисторов делителя б) а температурту)о коррскДт)О ДИЯПЯЗОКЯ -: ТЕгГЕРЯТУПЦУЮ КОррЕКГИЮ 7 Хода цупя СООчВ Етс Вс )гКОЭффг-.т;ИЕЦТЯМИ ПгРЕДаЧИ ПО тРЕтЬЕМУи Второму входам ак...

Номер патента: 1648910

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Лизин, Соколовский, Стучебников

МПК: C03C 27/04

Метки: соединения

...записать в виде О = К 2 Вгнов, где К 2 1(например, К 2=0,2, если средний размер стеклошариков приблизительно равен среднему арифметическому отклонению неровностей Ва), Определим количество стеклошариков (совпадающее с количествомслагаемых зазора): МК 2 Вгстар 0,2 = К 1 Вгстар,К 1откуда М = 5 - . Подставим это значение вКгвыражение для нового зазора К 1 Вгнов = 1,2К 1,5 - К 2 В гстар, откуда Вгнов = 6 В гстар.КЭта часть расчета показывает, что высотанеровностей может быть увеличенной в 6раз,Ф Проверкой можно установить, что, если средний диаметр частиц равен среднему арифметическому отклонению неровностей Ва(О = 0,2 Вг), то при толщине слоя порошка в 10 стеклочастиц суммарный зазор составит такую же величину, как и в известном способе...

Номер патента: 1601533

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Кенигсберг, Стучебников, Черницын

МПК: G01L 13/02

Метки: давлений, датчик, разности, тензорезисторный

...к ней, в ее центре, а другой соединен с тягой 5, тензорезисторы 6, размещенные на внешней поверхности гибкой упругой пластины,гибкую упругую трубку 7, один конецкоторой герметично прикреплен к кор ЗОпусу по контуру отверстия в корпусе,а другой - по контуру, например, с1помощью аргоно-дуговой сварки к концугибкого упругого стержня 4.Тензорезисторный датчик разности35давлений работает следующим образом.Противоположные входные давления,действуют на мембранную коробку 1,вызывая смещение ее подвижного участка и связанного с ним с помощью тяги5 конца стержня 1, вызывая изгиб гибкой упругой пластины 2. Зто приводитк деформации тензорезисторов 6, размещенных на поверхности гибкой упругой пластины в зонах сжатия и растяжения и соединенных в...

Номер патента: 1525505

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Белоглазов, Евдокимов, Котляревская, Стучебников, Черницын

МПК: G01L 9/04

Метки: высокого, давления, тензопреобразователь

...и зависимость, оп ределяемая представленным соотношением.В тенэопреобразователе высокогодавления (фиг,1) мембрана 1, выполненная заодно с корпусом тензопреобраэователя образует колпачковую мембрану с утолщенным основанием 2 и утоненной центральной частью с радиусом К итолщиной Ь. Кремниевые тенэореэисторы расположены на утолщенном основа.нии 2 мембраны на расстоянии г отцентров тензореэисторов до центра мембраны,При этом два тензореэистора 3 ори- З 5 ентированы перпендикулярно радиусу мембраны, а два других тензореэистора 4 - вдоль радиуса, Тензореэисторы соединены в мостовую тензосхему,Под действием давления Р мембрана 40 изгибается, деформируя тензореэисторы, Под действием деформации тенэореэисторы изменяют свое сопротивление и на...

Номер патента: 1451566

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Кикнадзе, Лурье, Плещ, Стучебников, Хасиков, Черницын

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...Р При изменении темпео оратуры в интервале от 2 К до 100 Кпроисходит уменьшение жесткости упругого элемента, что при заданной ве личине давления приводит к увеличению. деформации тенэорезисторов.Одновременно происходит соответствующее уменьшение коэффициента чувствительности, в результате чего ве личина выходного сигнала тензопреобразователя оказывается не зависящейот температуры.На фиг.2 показана температурнаязависимость относительного измене ния чувствительности тензопреобразователя давления, изображенногона Фиг.1, при питании тензосхемыот генератора постоянного напряжения (кривая 6), Кроме того, на 20 Фиг,2 показаны температурные зависимости относительного изменения чувствительности такого же тензопреобразователя давления в...

Номер патента: 1441315

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Коловертнов, Стучебников, Суханов, Федоров

МПК: G01B 7/16, G01R 17/10

Метки: давления, мостовыми, преобразователями, тензорезисторными

...буферным давлением и возможность высвобождения двух проводов кабеля для одновременного измерениядругих параметров. 1 ил,ФЗаказ 6282/48 Тираж 772 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 з 14413 зователями, содержащее четырехплечий тензорезисторный мост, к диагонали питания которого подсоединен источник тока, о т л и ч а ю щ е е с я5 тем, что, с целью упрощения устройства, в него введены два блока выборки- запоминания, блок вычисления, блок отображения, блок управления и четыре нелинейных полупроводниковых эле мента с односторонней проводимостью, каждый иэ которых подсоединен парал,...

Номер патента: 1415086

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Стучебников, Суханов, Хасиков

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...оси тенэорезистора (фиг.1), передаются в его объем не полностью. Чем меньше величина Ь/Ь, тем меньше при задан. ной деформации подложки среднее значение поперечной деформации тензорезистора, поэтому такие электрофиэические характеристики гетероэпитаксиальных тенэореэисторов, как ТКС и ТКТ, зависит от величины Ь/Ь, Это позволяет, воздействием на величину Ь/Ь, уменьшить разброс значений температурной погрешности чувствительности тензопреобразователей при их серийном производстве (фиг. 2 и 3). Связь величин Ь/и и р/р (фиг.З) описывается эмпирической формулой Ь/11 =(1 - р/р) , где р - концентрация дырок, обеспечивающая равный нулю температурный коэффициент чувствительности тенэопреобразователей с 1 пирокими (Ь/и40) тензореэисторами...

Номер патента: 1411571

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Лурье, Стучебников, Суханов, Ячук

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральных, источника, настройки, питанием, стабилизированного, тензомостов

...10, йредставляющими собой вершины диагоналей тензомоста.Способ осуществляется следующим образом,45Подключают диагональ питания тензомоста к источнику стабилизированноо напряжения и измеряют начальный ровень сигнала тензомоста при двух различных температурах, Одновременно ри тех же температурах определяют сопротивление диагонали питания теномоста. Полученные данные подставляют в Формулу для расчета требуемо :Го уровня выходного напряжения где 0 - расчетное значение .нанряжения на выходе измерительной диагонали тензомоста, обеспечивающее стабилизацию начального уровня сигнала тензомоста от температуры; ЩТ)и Б(Т) - напряжения на выходе измерительной диагонали тензомоста при температурах Т, и Т,К(Т)и К(Т) - сопротивления диагонали питания...

Номер патента: 1404850

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Евдокимов, Стучебников, Суханов, Хасиков, Черницын

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...2, кремниевые тензорезисторы 3, ориентированные параллельно направлению максимальной деформации чувствительного элемента, кремниевые тензорезисторы 4, ориентированные перпендикулярно направлению максимальной деформации чувствительного элемента, контактные площадки 5, покрытые алюминием.Тензорезисторы 3 и 4 соединены в мостовую тензосхему. Контактные площадки 5 служат для подключения питания к тензосхеме и регистрации выходного сигнала. Плоскость сапфировой подложки имеет кристаллографическую ориентацию (7012), Тензорезисторы расположены в плоскости (001) кремния и ориентированы вдоль кристаллографических направлений (110) кремния. Они изготовлены из гетероэпитаксиального слоя кремния р-типа проводимости толщиной 2,5 мкм известным...

Номер патента: 934258

Опубликовано: 07.06.1982

Автор: Стучебников

МПК: G01L 9/06

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...попарно вдоль и поперек радиуса мембраны в фкристаллографических направлениях (110) и (1 10) и соединенные в мостовую схему 11 с контактными площадками 7, На подложке 3 сформирован также эпитаксиальный терморезистор 8 с контактными площадками 9, изготовленный из пленки кремния, легированного блом с концентрацией дырок 1,510" см , и расположенный на недеформируемой части подложки 3 над боковой стенкой корпуса 2.Мостовая тензосхема 11 (фиг.2) запирается от источника 10 постоянного напряжения постоянным напряжением Ц , мостовая тензосхема 1 - от источника 11 постоянного тока постоянным током 10, причем величина Ц О и 1 О подбираются так, что при температуре й о - в -50 С выходные сигналы обеихотензосхем при определенном давлении Р...

Номер патента: 934257

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Бейден, Белоглазов, Иордан, Карнеев, Папков, Стучебников, Суровиков, Хасиков

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...тензопреобразователь.Сущность изобретения состоит в том, что эпитаксиальные тензорезисторы изготовлены на сапфировой подложке из пленки кремния с концентрацией дырок 3,51 О "9 - 3101 см- ( У = 0,0006-0,0045 Ом -см), при которой ТКС тензорезисторов А 1, изменяется незначительно в широких пределах изменения температуры Т, а также слабо зависит от удельного сопротивления кремниевой эпитаксиальной пленки.При такой концентрации дырок неизбежные технологические разбросы удельного сопротивления в отдельных резисторах мало влияют на их ТКС, поэтому напряжение начального разбаланса моста практически не зависит Дальнейшее расширение температурного диапазона работы тензопреобразователя и повышение точности преобразования достигается...

Номер патента: 612764

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Антонов, Казаков, Карабанов, Лакин, Матвеев, Рассказов, Стучебников, Чергештов

МПК: B23K 19/00

Метки: диффузионной, сварки

...расположецных в разлцчцых плоскостях.Поставленная цель достигается тем, что павсрхцих коццах патрубков устаповлс цы герметизирующие мембраны, нижние коццы патрубков размещены в вакуумной камере, рабочпс 25 иаисоцы расположець 1 в этих копах, а мсж.ду пуацсоцамп ц мембранахи размсщсны шарики, а также тл 1, что патрубкпыполпспы крцолппейцымц.На фцг. 1 изображена сварочная устапока 30 с прямолинейными патрубкамц; ца фцг. 2 -то жс, с криволинейными патрубкамп,Зо 3Установка содержит вакуумную камеру 1 с водяной рубашкой 2, нагревательное устройство, состоящее из нагревательного экрана 3, закрепленного на охлаждаемых токоподводах 4, многопозиционное приспособление 5, расположенное на регулируемом с помощью винтов 6 столе 7, гидроцилиндр 8,...

Номер патента: 602796

Опубликовано: 15.04.1978

Авторы: Белоглазов, Карнеев, Папков, Семенов, Соколова, Стучебников, Суханова, Терехов, Школьников

МПК: G01K 7/16

Метки: сопротивления, термометр

...1, чувствительнвиде монокрив бе+5,днако такой терм является нелинеинос ство ометр отличается непазоном измеряемых те Величина номинального сопротпв метра может изменяться в тшроких и 100 Ом до 10 кОм и определяется за ствительностью, необходимой точность условиями теплоотвода. Например, при нии термометра, равном 5 кОм и нанр тания 5 В его чувствительность составля дус при точности измерения 0,5 С, статочно широким ди мрение сопротивлеяжении питер- ной гаем ксиал т 2,5 мВ/гра. иератур,Целью изобретения является расшипературного диапазона измерений.Цель достигается тем, что в предлмометре элемент выполнен из гетероэпструктуры "кремний на сапфире". ия, чувстви- кокоом. Они их недосопротив структуры лПри изготовтериала с0,007 Ом...

Номер патента: 539239

Опубликовано: 15.12.1976

Авторы: Белоглазов, Папков, Стучебников, Суровиков

МПК: G01L 11/00

Метки: давления

...так и тангенциальные 15 напряжения. Поскольку изменение сопротивления тензорезистора под действием продольных и поперечных напряжений имеет разный знак, то результирующая чувствительность тензорезистора уменьшается по сравнению со 20 случаем воздействия напряжения только водном направлении (вдоль или поперек тензорезистора). Для повышения чувствительности предлага емого преобразователя давления при заданной его прочности в нем рабочая часть мембраны выполнена в виде прямоугольника с сопряженными с меньшими его сторонами полукругами, ориентированного в направле нии максимальной тензочувствительности,539239 г Подписно. 1 зд. Ла 1837 1 ираак 102 каз 2758 ЦНИИПИ ипографпгп пр. (.апупопа, 2 причем па одной стороне полупроводниковой мембраны...

Номер патента: 489970

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Соколов, Стучебников, Харивуло, Хасиков

МПК: G01L 1/22

Метки: механических, параметров, преобразования, сигнал, электрический

...интегральные схемы размещены на внутренних поверхностях мембран.На чертеже представлено устройство для преобразования механических параметров в электрический сигнал.Устройство состоит из полупроводниковьх мембран 1 с утолщенными буртиками, размещенных в корпусе 2 и снабженных измерителями деформаций мембран, выполненными за одно целое с мембранами в виде тензочувствительных интегральных схем, опорного кольца 3, изготовленного из непроводящего твердого материала, например корунда, и флан 4 Кольцо 3 герметично соединено с буртиками меморан 1, а тензочувствительные интег ральные схемы размещены на внутренниверхностях мембран.Воздействие механических пара(усилий, давлений) вызывает дефо5 мембран, которые преобразуются...