Способ сборки мощного полупроводникового прибора

Номер патента: 1737567

Авторы: Альтман, Горлова, Кандов, Каплан, Лившиц, Митин

ZIP архив

Текст

1)З " 01 1. 21 Л 6 БРЕТЕНИ Техн ико 19И вод быт широ приб ется повышедникового я в металческойрмичесмолый 4-6 МэВанавлиторце ос"до верхс толщ 3,0 мм стакан ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ВТОРСНОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТ(71) Особое конструкторское бюропри Ташкентском заводе электроннойтехники им.В.И,Ленина(56) Курносов А.И., Юлин В.В. ология производства полупроводнвых приборов. М.: Высшая школа 7с,298,Там же, с.297.(54) СПОСОБ СБОРКИ МОЩНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА(57) Изобретение относится к полупр обретение относится к полупро ковому приборостроению и може использовано при изготбвлении ого класса полупроводниковых ров. Целью изобретения явля ние надежности полупрово прибора.Сущность способа заклюца том, что кристалл, солержащ переход, соединяют пайкой с лическим основанием цилиндр формы, облучают кольцо из т ски отвержденной эпоксидной потоком электронов с энерги и дозой (2-20)104 см , ус вают и закрепляют кольца на нования, заливают в цилиндр 2водникову приборостроению и можетбыть использовано при изготовленииширокого класса полупроводниковыхприборов., Цель изобретения - повышение надежности. Сущность способазаключается в том, цто кристалл ср-и-перходом соединяют пайкой сметаллицеским основанием, облучаюткольцо из термически отвержденнойэпоксидной смолы потоком электроновМэВ и дозой (2-20),10 ф 4 см ,устанавливают и закрепляют кольцо нторце основания, заливают в цилиндрдо верхнего торца кольца эпоксидныйкомпаунд и осуществляют термообработку, Использование способа позволяет изготавливать приборы без аномальных характеристик,него торца кольца эпоксидныи компаунд и осуществляют термообработку.Экспериментально установлено, цто при облучении кольца потоком электронов с энергией 4-6 МэВ и дозой (2-20)10 ф см снимается или значительно уменьшается электрострикционный эФФект.П р и м е рСпособ опробовали при сборке полупроводникового диода КД 213, представляющего собой мощную сковородку толщиной 1,0 мм и диаметром 14 мм, стенка которой имела толщину 1,8 мм и высоту 2,0 мм. В нее вставляли и приклеивали кольцо из эпоксидного компаунда И ной стенки 2,0 мм и высотойВ полученный цилиндрическийСоставитель Е.Панов Техред Л,Олийнык Корректор И. Эрдейи Редактор А.Лежнина Заказ 1898 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 3 173756заливали экпосидный герметик следую,Ящего состава, вес.ч,;Эпоксидная смолаЭД190Ангидрид малеиновый ЦуКарбинол 20Свинцовый сурик 35Тальк 23Аэросил 1,5Диметиланилин 1,3Облучение проводили на ускорителеУ, По 1100 щт колец облучали приоднорядном их расположении дозами4.1014 см и 2 10 см .15 При испытаниях не обнаружено при-боров с аномальной характеристикой. Формула изобретенияСпособ сборкимощного полупровод никового прибора, включающий соединение пайкой кристалла, содержащего р-п-переход с металлическим основанием, выполненным в форме стакана, установку и крепление на торце основания кольца из термически отвержденной эпоксидной смолы, заливку в цилиндрическую полость, образованную стаканом и кольцом эпоксидного компа унда, и термообработку, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности, кольцо перед установкой облучают потоком электронов с энергией 4-6 ИэВ и дозой (2-20)х 10 "4 см- .

Смотреть

Заявка

4757466, 11.09.1989

ОСОБОЕ КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО ПРИ ТАШКЕНТСКОМ ЗАВОДЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ИМ. В. И. ЛЕНИНА

АЛЬТМАН ИГОРЬ РАФАИЛОВИЧ, МИТИН ВИКТОР ИВАНОВИЧ, КАНДОВ АЛИК МАЛКИЛОВИЧ, ЛИВШИЦ ДМИТРИЙ ЛЬВОВИЧ, КАПЛАН АЛЕКСАНДР АНАТОЛЬЕВИЧ, ГОРЛОВА ЛЮДМИЛА АЛЕКСАНДРОВНА

МПК / Метки

МПК: H01L 21/26

Метки: мощного, полупроводникового, прибора, сборки

Опубликовано: 30.05.1992

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1737567-sposob-sborki-moshhnogo-poluprovodnikovogo-pribora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ сборки мощного полупроводникового прибора</a>

Похожие патенты