Устройство для шлифования микрокристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(19) 01 1. 21/30 28 П 7 15 Я,БРЕТ ДЕТЕЛЬСТВУ тем, что, обработки узел возвр мецения де попненный роприводом низма, узе микрокрист оединен ычаг со ненный сцшифованнсодержитчасового же которог жателем ер/ Наиболее бпиявляется устро мик рок рис таллов микрокристалла, закрепленным на струментом, узе 1 сошлиАованного с ропривода.1,пр по ед ет прик прижима узла, ч Кроме тмикрокр ного ин ырабо огреш и ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТПРИ ГКНТ ССОР СПИ САНИ Н АВТОРСКОМУ(7 1) Институт геохимии и аналитической химии им, В,И,Вернадского . (72) Л.Л,Кашкаров и Г,И,Беккер (56) Авторское свидетельство СССР Р 299333, кл, В 24 В 7/00, 1968.Авторское свидетельство СССР ,Р 421476, кл, В 24 В 7/04, 1972. (54)(57)УСТРОЙСТВО ДЛЯ ШЛИФОВАНИЯ цИКРОКРИСТАЛЛОВ содержацее держатель микрокристапла, вертикальный вап с закрепленным на нем шпифовальным инструментом, узел замера величины сошлифованного слоя и элементы электроприводов, о т п и ч а ю щ е е с я Изобретение относится. к техникемеханической обработки твердых хрупких теп и может быть использованои прецизионной обработке плоскихверхностей микрокристаллов,Известно устройство для шлиАования микрокристаплов, содержащее вапс закрепленным на нем шлифовальныминструментом, электропривод, держатель микрокристалла и подвижный упорразмещенный в корпусе и контактирующий с базовой поверхностью планшайбы при подводе шлиАовального инструмента к микрокристалпу,Недостатками этого устройстваявляются невозможность регулирования усилия прижима микрокристалла кшлифовапьному инструменту и невозможность измерения в процессе обработки толщины сошпифовываемого слоя,1116913 А 1 с целью повышения качества оно дополнительно содержит атно-.поступательного перержатепя микрокристалла, вы-, в виде соединенного с элект поворотно-рычажного меха переменной нагрузки на апп, включающий шарнирно й с вертикальной стойкой менными грузами и сое злом замера величины го слоя, причем после микрометрический индик ипа, измерительный ст аходится в контакте с крокристалла,ким к предлагаемому тво для шлиАования содержащее держатель вертикальный вал с нем шлиАовальным инзамера величины лоя и элементы электстатком панного устройства явневозможность регулирования дываемого кмикрокристаллу усилияравного весу шпиндельногото ухудшает качество обработки.ого, фиксированное положениеисталла относительно шлифовальструмента приводит к локальнойке последнего, что вызываетости Аормообразования микро- алла.Пезгь изобретения - повышецие качества обработки микрокристаллов.Поставленная цель достигается тем, что устройство для 53 И(1)овасия мцкрокрцсталлов, содержащее держатель мцкрокристалза, вертикальный валс с закрепзсенным на цем шзсисовальным инструментом, узел замера велцчицы сошли(овацного слоя и элемецты электроприводов, содержит узел возвратнопоступательного перемещения держателямцкрокрсстазсзса, выполненвй в видесоединенного с электроприводом Поворото-рычажного механизма, узел переменной нагрузки на микрокристалл,включающий шарнисно соединенный сВертикальной стойкой рычаг со сме) -ными грузами ц соединенный с узпомзамера величины сошлиОванного слояпричем последний содержит микрометрический индикатор часового типа, измерительный стержень которого находится в контакте с держателем микрокрцстазсзса оУстройство поясняется чертежом.УстроистВО Включает оправкУ. 1, микрокристалл 2, держатель 3 микрскрис" азсзса поворотную обойму с) фиксируюСссй всс 5 рсса6 стойкг сменные грузы 8, ось 9, микрометрический и 5 Дикатос 10. подсиНиик 11, ось 12, поворотно-рычажный мехацизм 13, электродвигатель 14 шлиоваль 11 ый инстр )мссцт 15, дссск 16, Вал 17, )содшипцик 18 стОЙку 19 ссриксзи 05 Ну систему 20, шкив 21 электродвигатель 22, кожух 23, стойку 24 и плц 25Устройство содержит оправку 1,предна.значецную дпя 51 ксацсш микро- кристалла 2, жестко закрепленную в нижнем торце держателя 3, перемещающегося вертикально з поворотной обойме 4. (с)иксирующссйс Винт 5 закрепзсяет держатезсь 3 в верхнем положении прц смене ссзпс установке мцкрокристалла 2. Цавление на кристалл при его )Не)овке осуществляется рычагом 6, свободно вращаюссасссся о гносительцо стойи 7, Ииссимальсая сила давления на образец равна весу держателя 3 и может увеличиваться путем установки сменссых грузов 8, держатель которых может 11 ксироваться на рычаге 6 царазличном расстоянии от точки касания упорного выступа рычага 6 с верхней площадкой держателя 3. Фссксас)сся высоты позсожеция держателя 3 прово 1 О а 5 Ж 3 ) 4 О сд Дцтся с помощью 1 СВскатора 10, жесткозакресслецного ца обойме 4, Измерительный стержець индикатора 10 упираетсяВ верхнюю ссзсощадку держателя 3. Поступательно-Возвратное перемещение в горизонтальной ссзсоскости микрокрссстазсла 2 вместе с обоймой 4, посаженнойс помощью двух подшипников 1 1 наось 12, осуществзсяется с помощью механизма 13, приводимого в движениеэлектродвцгатезсем 14. Угол поворотаОбоЙмы 4 устсысявзпсвяется В п 1)едезсахРазмеРОВ испозсьзУРмого шзсиАОвазсз 00ицструмета 15, находящегося ца диске 16. Циск 16 зак" спец ца Везу 17,Врясся)0 цемсл ня дцу( под 1 ипцис(ах) 8,закреВсецых ц стойке 19,. Фрцкц 51011 цая система 20 и шксв1.П;)иводцмыеВо вращение эзсектродвигателем 22, позволяют изменять скорость вращениядиска с,от 80 до 250 об/ссцц), Кожух23 закреплец ца стойке 19 и сзсу)астд 551 узсавзсцвассця абразива в процессе1131 ИФОВК 51, Осцоваццем к 1)епящцх стоек19 и 24 сзсужзсс массивая ссзсцта 25.Ц 315 с 13 еДВи 51 к мц 11"Гсу Горизонтаз 1 ьсьсх и(1 цй цсстру.еста )5 цовс 1 хностьДиск(1 16 1 Ц)0 сочеса 110031 е Окоцчате 3)ьцой сборки .стройстве с 1 мощью резса, закре 1 сяемого ц оправке 1,стройство рабо 1 ает Гзсе)сую 1(имобразом.8 ц"рхнсм, заАИКСсрованцом винтомгэ) 110310 сессц держаттся 3 В Оправкусас)355 етс 51 ц э;",511:.лет ся сцс рокристсс)сзс 2 запзсцмес)5 зова)сный В эпоксид"нуо таб:сетс(у, 1 сыкуучсвс)я Бинт 5 осВобО(ТаОт Держате 311) 3 и ссзссп 0 Опускают его до соприкосцовеция с поверхностью ца краю диска 16 в контрольнойточке и по соказанию индикатора 10производят замер начаэсьного позсоженияпержателя 3. Последоватепьно включают эзсектродвцгатели 22 ц 14 и в гроцессе цвсиФовки ссабпюдают за измерением )соказа)г)1 индикатора 10, соответствлщцх тозсщице удаляемого при шлифовке 031051 миксокрцстазсзса с Гочный замер со 13151овацОЙ 70 сщи 11 ы 1 ц)осзво дят индикатором 10 при остановленных приводах ц ссрц распозожении держателя нац той же коцтрозсьной точкой диска 16,Испозсьзованце предзсагаемого устройства дуся шзсиования микрокристаллов обеспечивает высокое качество обрабатываемой поверхности (10-12 класс шероховатости) и пзсоскопаразсзсельность микрокристазслов с зсицейцымц размера1119 13 5 едактор О,Филиппова Техред Л,Олийнык Корректор СЛекмар Заказ 2437 Тираж Подписное цИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям 13035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 ри ГКНТ ССС Производственно-издатель кий комбинат "Патент , г.ужго ул, Гагарина,101 ми менее 100 мкм в пределах - 2 мкм Конструкция устройства позволяет варьировать давление на образец в пределах 50-500 г/см,6Точность обработки микрокристаллов не хуже 2 мкм, причем устройство+позволяет осуществлять многократный контроль толщины сошлифованного слояи внешнего вида образца.
СмотретьЗаявка
3612930, 29.06.1983
ИНСТИТУТ ГЕОХИМИИ И АНАЛИТИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. В. И. ВЕРНАДСКОГО
КАШКАРОВ Л. Л, БЕККЕР Г. И
МПК / Метки
МПК: B28D 7/00, H01L 21/304
Метки: микрокристаллов, шлифования
Опубликовано: 15.05.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1116913-ustrojjstvo-dlya-shlifovaniya-mikrokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для шлифования микрокристаллов</a>
Предыдущий патент: Аэростатический зонд для исследования планет
Следующий патент: Способ выделения рутения из облученных и других материалов
Случайный патент: Складное здание