Способ получения эпитаксиальных слоев
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
С;т,7пав:сб" о Ю,А СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК пи 8 3(50 Н 01 Ь 21 205 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ о т и ольаольГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ путем осуществленияхимической реакции в газовой фазе с легированием соединениями бора л и ч а ю щ и и с я тем, что целью улучшения воспроизводимо процесса легирования, в качест легирующего соединения бора ис зуют карборановые соединения Р2. Способ по п. 1, о т л и ю щ и й с я тем, что в качест карборановых соединений бора и зуют изопропилкарборан.322115 Редактор З.Бородкина Техред А.Бабинец Корректор А,Зимокомов Заказ 1062/3 Тираж 683 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, У(-35, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковыхприборов, в частности к способу получения иэ газовой фазы легированых бором полупроводниковых материалов, в особенности кремниевых эпитаксиальных слоев.Известны способы получения эпитаксиальных слоев, выращенных намонокристаллических или изолирующих подложках. Осаждение полупровод- Ониковаго материала, в особенностикремния, происходит в результатехимической реакции восстановленияили разложения паров соединений,содержащих полупроводниковый материал, на горячей поверхности.Эти способы имеют ряд существенных недостатков. Метод жидкостноголегирования связан с использованиемвзрывоопасного трибромида бора иочень летучего трихлорида бораКроме того, получение заранее заданного номинала удельного сопротивления затруднено обменной реакциейтрибромида бора и тетрахлорида 25кремния.Цель изобретения - создание способа получения из газовой фазы легированных бором полупроводниковыхматериалов, обладающего высокой воспроизводимостью, щироким диапазономлегирования, простотой техническогооформления, надежностью и стабильностью при эксплутации.Предлагаемый способ отличаетсяот известных тем, что в качестве35легирующего соединения бора используют карборановые соединения, в частности изопропилкарборан,Низкая упругость насыщенного паракарборана обеспечивает воэможность 40 весьма тонкого легирования полупроводниковых материалов, в особенностикремниевых эпитаксиальных слоев.При этом не требуется сложных системгазораспределения с измерителямималых расходов легирующих газов, количество элементов системы уменьшается, возрастает ее герметичностьи надежность,ФфПропускание через отдельный термостатированный испаритель с изопропилкарбораном транспортирующего газа позволяет получить парс-газовуюсмесь, содержащую заданные количества бора, регулируемые изменением температуры термостата. Стабильностьсодержания бора в парс-газовой смеси обусловливается при этом исключительно качеством термостатированияи стабильностью расхода газа,Использование карборана в качестве легирующего соединения бора позволяет повысить воспроизводимостьпроцесса легирования. Например, дляполучения эпитаксиальных кремниевыхслоев дырочного типа проводимостис удельным сопротивлением 0,1-5 Ом/смв качестве источника бора используютизолропилкарборан СНВ - жидкостьс температурой кипения (при 760 мм.рт.ст. 287 С, упругостью насыщенного пара при 25 и -20 С соответственно 10 и 10 мм ртст. Изопропилкарборан помещают в отдельный термостатированный испаритель, через которыйпропускают водород, Полученную ларогазовую смесь вместе с парами четыреххлористого кремния и водородомнаправляют в реактор, в котором выращиваются эпитаксиальные кремниевыеслои дырочного типа проводимости судельным сопротивлением 0,1-5 Ом/см.
СмотретьЗаявка
1442900, 25.05.1970
СКВОРЦОВ И. М, ЛАПИДУС И. И, ЖИГАЧ А. Ф, СИРЯТСКАЯ В. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 21/205
Метки: слоев, эпитаксиальных
Опубликовано: 30.01.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-322115-sposob-polucheniya-ehpitaksialnykh-sloev.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения эпитаксиальных слоев</a>
Устройство для соединения слоев упаковки из картона, покрытого термопластичным уплотняющим материалом
Номер патента: 1012794
Опубликовано: 15.04.1983
МПК: B65B 7/16
Метки: картона, материалом, покрытого, слоев, соединения, термопластичным, упаковки, уплотняющим
...выполняют предварительное надламывание, при котором боковые стен-ки 9 и., 10 крышки слегка наклоняютвнутрь, чтобы согнуть треугольникивдоль насечек 11, 12, 13 и 19,так, зчто боковые стенки 9 и 1 О наклоняются. внутрь, а передняя 8 и задняя 7 сдвигаются в направлении друг к другу.После предварительного надламнвания передняя 8 и,задняя 7 стенки на- Мклоняются друг к другу (Зиг. 9), а боковые стенки 9 и 10 складываются,внутрь под передней 8 и задней 7 стенками. Операция закрывания продолжается до тех пор, пока нижние кромки с искрепляющих полосок 17, 22 и 25 не со":единяются вдоль насечек 18, 23 и 31так, что передняя 8 и задняя 7 стенкиложатся поперек торца коробки ( фиг.10),,Затеи при помощи звуковой сварки В,соединяют между собой...
Устройство для соединения слоев изделий прошивкой
Номер патента: 1511302
Опубликовано: 30.09.1989
Авторы: Норкин, Окунева, Осипов, Соловьев, Хабаров
МПК: D04H 1/46
Метки: прошивкой, слоев, соединения
...кожух 26 и закрепляетсяболтом 27,Соединение слоев прошиваемого материала осуществляется сочетанием движения петлителя 7 и иглы 5 в направлении прокладывания шва и движения иглы в направлении прокалывания материала, при котором происходит захват нити и протягивание ее через прошиваемый материал. Последовательное чередование этих движений позволя. ет получить на проливаемой заготовке шов.Работа устройства начинается включением привода 11 каретки 10, которая,продвигаясь по пазу 2 оправки 1, перемещает на своих консолях 8 и 9 петлитель 7 и иглу 5 относительно прошиваемой заготовки 4. Одновременно с включением привода 11 каретки 10 начинает работать привод 6 иглы 5, перемещающий иглу для прокалывания заготовки. Его работа...
Устройство для соединения слоев прошивкой
Номер патента: 1594227
Опубликовано: 23.09.1990
Авторы: Норкин, Окунева, Осипов, Соловьев, Хабаров
МПК: D04H 1/46
Метки: прошивкой, слоев, соединения
...закрепляется болтом 28.Соединение слоев прошиваемого материала осуществляется сочетанием движения петлителя 10 и иглы 7 в направлении прокладывания шва и движения иглы в направлении прокалывания материала, при котором происходит захват нити и протягивание ее через прошиваемый материал, Последовательное чередование этих движений позволяет получать на прошиваемой заготовке шов,Работа устройства начинается включением привода 12 каретки 6, которая, продвигаясь по пазу 2 оправки 1, перемещает на своих консолях 9 и 11 иглу 7 и петлитель 10 относительно прошиваемой заготовки 4. Одновременно с включением привода 12 каретки 6 начинает работать привод иглы 7, перемещающий иглу для прокалывания заготовки. Синхронно с перемещением иглы начинают...
Способ получения эпитаксиальных полуизолирующих слоев арсенида галлия
Номер патента: 475917
Опубликовано: 07.07.1984
Авторы: Александрова, Вязанкина, Лымарь, Сарнацкий, Скворцов, Уэльский
МПК: H01L 21/02
Метки: арсенида, галлия, полуизолирующих, слоев, эпитаксиальных
...соединение, разлагаетсяца свету и сильно гидролизуется., Кроме того, для получения эффекталегирования требуется введение очень больших количеств хлористого хромила, что приводит к заметному снижению скорости роста и эррозии поверхности.Целью изобретения является создание простого технологичного способа .изготовления полуизолирующих эпитаксиальных слоев арсецида галлия судельным сопротивлением в зависимости от типа легирующей примеси 10о"30-40 л/ч Сущность предлагаемого способа заключается в легировании эпитаксиальных слоев арсенида галлия из карбоцилов соответствующих металлов, Карбонилы Сг, У, Мо, Ге, Со, И 1 известны, получены и очищены, имеют достаточно высокие упругости паров и распадаются с выделением металла 5917 2прц...
Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия
Номер патента: 830961
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Крыжановский, Марончук
МПК: H01L 21/208
Метки: галлия, наращивания, слоев, фосфида, эпитаксиального
Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия из жидкой фазы, включающий принудительное охлаждение насыщенного раствора-расплава, содержащего нейтральный изовалентный компонент с атомным весом, большим атомного веса компонента соединения, при одновременном легировании азотом из газовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации легирующей примеси в слоях, в качестве изовалентного компонента используется индий в количестве 30 - 70 ат.%.
Предыдущий патент: Способ приготовления корундового носителя
Следующий патент: Программное реле времени
Случайный патент: Закалочная среда