Полупроводниковый прибор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОЮЗ СОВЕТСКИХ ОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 1 А ЕЕ 01 1).Н 01 ОПИСАН АВТОРСКОМ ЕТЕЛЬСТ ффи- купотерис алер, ошетем, чтциенталообразтики, слудовлетни ям: ий инсти-.аратовсго Знамеитете Л,5(1,7Рл междуолуня Фермо стигсЖ ро од я Ферости Ф ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОБРЕТЕН(71) Научно-исследовательсктут механики и физики при Ском ордена Трудового Краснони государственном универсим. Н.Г.Чернышевского(54)(57) ПОЛУПРОВОцНИКОВЫЙ ПРИБОРна основе МДП-структуры, содержащеспой полупроводника, диэлектрикаиметалла,отличающийся с целью повышения ко ыпрямления и получения ой вольт-фарадной хара ои выполнены из матери оряющих следующим соот ф,Е 1 3,2ДЕ/Дгзность работ выхода межд оями диэлектрика и метал разность работ выходслоями диэлектрика ипроводника;разность энергий уми и дна зоны провдиэлектрика;разность энергий уроми и дна зоны проводиполупроводника.-ения гйат ерк алТ Параметры .) А 1 - А 1,;), в Б,..А 1-КпО-р Ы А 1-ЕпО-п Я.622 в ,16=2, 06 6,22 - 416= в 6 79-.д6- в "6 2 - 4,29=1,9 с 6,22-4,. 0 = , 32 4294 06 - . 0 16.2. 10 Изобре.ение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано :.ри созда нии полупронодниконых приборов ьа основе )4 ДП- структур,И 3 не стен МДПди одсостоящий и 3 слоя металла ( 1) . слоя диэлектрика (Д), в каче"гне которсгс н зят слой нелинейного полупроводникового сопротивления,. и слоя полупроводника П.:, В таком диоде промежуточный слой диэлектрика играет активную, однако, не зависимую от полупронодника роль, коэФФициент выпрямления такого диода низок так как не учтена взаимосвязь конструктивных параметрон использованных материалов,например работы выхода , 1 1На 1 более блиэкик по технической сущности к изобретению являет я ,2.: полупроводниковый прибор на основе МДП в структу, содержащей слои полу - проводника, диэлектрика и еталла В качестве гизлектрического слоя в полупроводниковом приборе используется А 1,О Однако такой прибор облщает недостаточным коэФфициентом ныпрям Внешняя контактная разность потенциалон, распределяясь между контактирующими материалак"г., приводит ж образованию областей пространственного заряда (ОПЗ), искривлению зок в полупроводнике и диэлектрике, Так как удельное сопротивление диэлектрика много бог.ьше удельногс сопротивления металла и больше удель нога согрстквления полупроводника, лФ 1;где г 1, - заряд электрона) сосре доточен на диэлектрике тогда как дФд распределяется между голупроЦелью изобретения являетсяповышение коэФФициента выпрямления и получение куполообразнойВоль Г-Фараднсй харак 1. еристики,Поставленная цель достигаетсячто ь г.редложенном полупроводниковом приборе на основе )ЯП-структуры, содержащем слои полупроводника, диалектрика и металла, слои выполнены из материалов, удовлетворяющих следующим соотношениям:с дФ(дф с 324,;сда, с бЗ,где й Ф - разность работ выхода слоев ди электрик а и мет алл а;ЬФ 2 - разность работ выхода слоев диэлектрика и полупронодника;а. - разность энергий уровняФерми и дна зоны проводивмости диэлектсика;й - разность энергий уровняФерми и дна зоны проводимости полупронодника,Изобретение поясняется таблицейи чертежом, где н таблице представлены энергетические параметры (дФ,дФ 2,-Л 2 - ЯНУтРенйяя контактная раз -ность потенциалон,К - коэФФициент выпрямления) водником и диэлектриком, Внут ренняя контактная разность потенциалон для электронов (как и для дырок) дает возможность управлять при приложении напряжения забросом в зоны проводимости и налентностью диэлектрика носителей, которые прини мают участие в токопереносе и Формн -ровании областей пространственногс заряда,Работа полупроводникового прибора65 на основе МДП-структуры (А 1 - ЕпР-р Ы)9975 В 1 итель "ВоронежцеваЛ,Мартядддова 1(орректор Г.Решетни Сост Техр едактор 1.Утехи 1 О 3твеннод о11 ретенийВ, РаУдд Заказ о Паден ли адд 1 ППул . Проек д нан 1 об Зб,7 тираж ННИИ 11 И ГосудаРс по делам изо 113035, Москва, Ж - 3
СмотретьЗаявка
3302433, 18.06.1981
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ МЕХАНИКИ И ФИЗИКИ ПРИ САРАТОВСКОМ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННОМ УНИВЕРСИТЕТЕ ИМ. Н. Г. ЧЕРНЫШЕВСКОГО
СВЕРДЛОВА А. М, ПОПОВ М. А, ПРОХОЖЕВА М. В
МПК / Метки
МПК: H01L 29/76, H01L 29/94
Метки: полупроводниковый, прибор
Опубликовано: 23.12.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-997581-poluprovodnikovyjj-pribor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый прибор</a>
Голографический способ исследования и контроля фотоэлектретных свойств фототермопластических материалов на основе полимерных полупроводников
Номер патента: 1089549
Опубликовано: 30.04.1984
Авторы: Баженов, Барабаш, Гринько, Заболотный, Кувшинский, Находкин, Соколов, Теологов, Чуприн
МПК: G03H 1/18
Метки: голографический, исследования, основе, полимерных, полупроводников, свойств, фототермопластических, фотоэлектретных
...модуляции интенсивности света, экспонирующего фототермопласти"ческий материал, при З 0 перемещении вдоль поверхности пленки; к - пространственная час- тота плоского волнового фронта, экспони" Руюшего голограммуЕо = 885 10 кф/м, . по которым судят о фотоэлектретных свойствах фототермопластических материалов.При осуществлении способа снача ла проводят зарядку поверхности пленки с помощью зарядного. устройства, экспонируют интерфференционной картиной, образованной опорным и предметными пучками. :, 45После разрядки поэерхности пленки .до потенциала подложки на поверхности остается заряд, экранируюший объемный, величина которого .:.определяется величиной и характером распределения объемного заряда по толщине пленки полимерного...
Способ высокочастотного нагрева проводящих тел, полупроводников и диэлектриков
Номер патента: 85196
Опубликовано: 01.01.1950
Метки: высокочастотного, диэлектриков, нагрева, полупроводников, проводящих, тел
...применяют следующие средства:а) установка за нагреваемым изделием металлических или иных проводящих отражателеи;б) пропптка нагреваемой 30 ны изделия веществами, уменьша 10- щими глубину проникновения электромагнитной энергии до величины одного порядка с толщиной нагреваемой зоны;в) в случае нагрева при сушке склеенных предметов, введение в клей веществ, уменьшающих глубину проникновения электромагнитной энергии до величины, одного порядка с толщиной нагреваемой зоны, или нанесение металлической краски на оборотную сторону склеенного изделия,Для повышения к. п,д, электромагнитного излучения при нагреве металлических изделий на нх поверхность наносят покрытия в виде полупроводников со стороны нагрева и толщину этого покрытия подбирают...
Способ определения работы выхода коллектора плазменного прибора
Номер патента: 900750
Опубликовано: 23.08.1982
МПК: H01J 9/42
Метки: выхода, коллектора, плазменного, прибора, работы
...равиои температуре эсмнттера, ом см-.Процесс определения работы выхода коллектора плазменного прибора, например, инедокомпенсированном режиме состоит и;1 пследующем: в прибор при установленныхтемпературе эмиттера и давлении газонаполнителя подается ионизирующий импульс с длительностью зад 1 с 1 его фронта существенно меньше времени распада плаз- .11)мы в приборе. 11 о окончании ионизирующего импульса на коллектор подают напряжение Уи измеряют зависимость тока наколлектор от времени. Эти зависимостиснимают при различных значениях Удо .1 зтех пор, пока на зависимости тока от времени не образуется плато, причем ток через прибор должен быть значительно меньше тока эмиссии с эмиттера. По измеренному значению тока в точке перехода с э...
Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника (его варианты)
Номер патента: 1086999
Опубликовано: 30.01.1985
Авторы: Коротков, Маликова, Симашкевич
МПК: H01L 21/66
Метки: варианты, его, запрещенной, зоне, зоны, локальных, положения, полупроводника, уровней, ширины, энергетических
...кривая , . 35 Фотопроводимости полупроводника; на фиг. 2 - кривые спектральной зависимости фотопроводймости: кривая спектральная зависимость продольной фотопроводимости, кривая 2 - зависи мость амплитуды всплеска Д Э при. Л = . = 0,875 мкм от длины волны предварительного освещения, кривая 3 - зависимость В Э на фиксированной длине волны последующего облученич от дли ны волны предварительного возбуждения.Описываемый способ использует явление вспьшечной релаксации фотопроводимости полупроводника электромг- З 0 нитным излучением в области собстч венного и примесного поглощения (фиг. 1). В основе существования вспьппки фотопроводимости независимо от физических механизмов, ее вызывающих, лежит необходимость создания неравновесного состояния...
Способ выделения признаков изображения в многослойном преобразователе на основе полупроводника и устройство для его осуществления
Номер патента: 1095811
Опубликовано: 30.03.1986
Авторы: Беломестнов, Зотов
МПК: G06K 9/00
Метки: выделения, изображения, многослойном, основе, полупроводника, преобразователе, признаков
...11 енных Осов ты и НО" 1 ГЕЛНМИ Задд, ПрОСТрднстт.:. с т;г пределение неосновньхнос ,.л=.й заряда Я в ОбъедненнойОбдо, д позер.,Ос.и слоя полупрото,.ИКД в : . ТОМ СЛУЧДЕ ГООтВЕТСТВУЕТРотс" 1 гтСЯ ВЕНО -ДИСКРЕтИЗИРОВаННЫМ ьыб ркд : оптического изобрдже"НтЯ тт:ОТОРЫСОХРННЯЮТСЯ 11 Б СЛУ 1 де т ко Дд это и:.1 обРажение УтбТРдют,После этого проецируют нд тот же СЛОЙ .:10 ТО:тОВОДНИКа МНОГОСЛОЙНОГО преобрдзоьателя еще два вспомогат.Н,тьх о-,тиеских изображения 17. (Ом фиг,2) в одно.; иэ кото- ОЫХ:1.;МЕНЯЮТ НЕСУЩУС ЧДСТОТУ ИЗЛУ тения, а также поворачивают на плоскость поляризации излучения, которым сформировано в помогательное Оптическое изобрдяение 1,.Так как все три иэображения сфор- МИРОВДНт 1 ПРОСтРаНСтВЕННОй МОДУЛЯЦИЕЙ пучков когерентного...
Предыдущий патент: Гидравлический шаговый привод
Следующий патент: Смесь для изготовления литейных форм и стержней
Случайный патент: Преобразователь двоичного кода вдополнительный