Патенты с меткой «гетеропереходах»
Устройство для измерения параметров поверхностных состояний на границе раздела в полупроводниковых гетеропереходах
Номер патента: 1025291
Опубликовано: 07.01.1984
Авторы: Авдеева, Перов, Поляков
МПК: H01L 21/66
Метки: гетеропереходах, границе, параметров, поверхностных, полупроводниковых, раздела, состояний
...на границе раздела в полупроводниковых гетеропереходах, содержащее источник питания, измеритель стекающего заряда, первый электронный ключ для подсоединения исследуемой структуры к источнику питания, второй электронный ключ для подсоединения исследуемой структуры к измерителю стекающего заряда, регистрирующий прибор и блок управления электронными ключами, обеспечивающий синхронное переключение структуры от источника питания к измерителю стекающего заряда введены отражатель тока,включенный между выходом источникайитания и первым электронным ключом амплитудный детектор, подключаемый вторым электронным ключом между исследуемой структурой и входом регистрирующего прибора, и система им" пульсного освещения гетероперехода.На чертеже...
Способ определения емкости материала с большей шириной запрещенной зоны в гетеропереходах и мдп-структурах
Номер патента: 1389606
Опубликовано: 23.10.1989
Авторы: Ермакова, Перов, Поляков
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: большей, гетеропереходах, емкости, запрещенной, зоны, мдп-структурах, шириной
...при С =С н =и С=С ; ы, - значение чаетотымодуляции, выше которого величины .дч и ЛЧ не изменяют своего значеф,ния, 20П р и м е р. Способ используютдля определения емкости материала сбольшей шириной запрещенной зоныА 1 Са,Ая в гетеропереходе СаАзА 1 СаАя(Е=Е а,Аз=1,8 эВ, Е= 26=Е=1,43 эВ) с толщиной слояА 1 Са,.Аз2 мкм.ИсследуемыГ образец включают в измерительную схему последовательно семкостной нагрузкой С=С (фиг. 1) 301и освещают модулированным по интенсивности светом с энергией квантовР(М (Е)со стороны материала сбольшей шириной запрещенной зоны,При таком освещении свет поглощается только в материале с меньшей шириной запрещенной зоны.Освещение производят со стороныА 1 Са,Ая модулированным по интенсивности светом с энергией...