Прохожева

Номер патента: 997581

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Попов, Прохожева, Свердлова

МПК: H01L 29/76, H01L 29/94

Метки: полупроводниковый, прибор

...взаимосвязь конструктивных параметрон использованных материалов,например работы выхода , 1 1На 1 более блиэкик по технической сущности к изобретению являет я ,2.: полупроводниковый прибор на основе МДП в структу, содержащей слои полу - проводника, диэлектрика и еталла В качестве гизлектрического слоя в полупроводниковом приборе используется А 1,О Однако такой прибор облщает недостаточным коэФфициентом ныпрям Внешняя контактная разность потенциалон, распределяясь между контактирующими материалак"г., приводит ж образованию областей пространственного заряда (ОПЗ), искривлению зок в полупроводнике и диэлектрике, Так как удельное сопротивление диэлектрика много бог.ьше удельногс сопротивления металла и больше удель нога согрстквления...