Полупроводниковый переключатель
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН ЯО 77246/02 11 н 01 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ТВУ ВТОРСКОМУ С(57) ПОЛУПРОВОДНИК 1 Ь, представляюций халькогенид медиалл,. отличаючто, с целью увели ключений и повьыени метров, диэлектрик дого раствора закис 9 45 Э.А. Азимов,Каспий" АН АЗССР идетельство СССР 45/00, опубл.. Авторское св аявке .92536475 по 19 Яюк ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(54) ЧАти туру мет тем, пере пара твер ОВЫИ ПЕРЕКЛЮ-, собой струк- диэлектрикщ и й с ячения числа я стабильноСти выполнен из ,и и окиси772462 НИИПИ 3ираж 703 з 10786/ одписное Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и можетбыть использовано в вычислительнойтехнике, телефонии, бортовых системах и т.д.Известны полупроводниковые переключатели с памятью на основе халькогенидов меди,1. Конструктивно онипредставляют собой контакт полупро"водника-халькогенида меди с металломалюминием или магнием.10Основной недостаток этих приборовв том, что они имеют только двастабильных состояния проводимости.Известен также прлупроводниковыйпереключатель, выполненный в виде 15структуры халькогенид меди-диэлектрик-металл 23,Такое устройство является ближайшим к изобретению по техническойсущности и достигаемому результату. 2 ОЕго недостатками являются сравнительно небольшое число переключений"застреванием" ионов меди в дефектах структуры диэлектриков окисиалюминия или кремния.Цель изобретения - увеличение числа переключений и повышение стабильности параметров.Поставленная цель достигается тем,что диэлектрик представляет собойтвердый раствор закиси и окиси меди,На фиг. 1 изображена схема полупроводникового переключателя; нафиг, 2 - вольтамперная характеристика полупроводникового переключателя.Полупроводниковый переключательсостоит из пленок халькогенида меди1 и диэлектрика 2 , заключенных 40между двумя пленками металлическихэлектродов 3 и 4. Переключатель работает следующим образом.Иэ пленки халькогенида меди, которая имеет некоторую долю ионной проводимости 0,1-0,31, инжектируются ионы меди в слой диэлектрика 2, создавая приместные уровни и этим осуществляя модуляцию проводимости в зависимости от амплитуды и длительности импульса записи.Иэготавляется полупроводниковый переключатель следуюцим образом. В пленке кремния, полученной на подложке из кремния, вытравливаются окошки, куда напыляется нижний металлический электрод 2. Затем электрохимическим методом из раствора осаждается халькогенид меди, который служит в данном случае анодом. В последующем, в растворен содержащем, г/л: Сц ЯО, 120; Н 20 5; Н.280+, 120; проводится оксидирование. Затей напыпяется верхний металлический электрод 4.Измерение статистических характеристик переключения в импульсном режиме с применением в предлагаемом устройстве в качестве диэлектрика твердого раствора, содержащего Сц 20 и СцО, показали возможность увеличения числа переключений П-образными импульсами записи и стирания до 10 циклов, а синусоидальными импульсами до 10 циклов, Вольтамперные характеристики доказывают стабильность и воспроизводимость переключающих параметров полупроводникового переключателя. Считывающие короткие импульсы до 100 нс не влияют на проводимость структуры. Предлагаемый переключатель найдетширокое применение в системах связи,вычислительной технике. илиал ППП "Патент",. .Ужгород,ул,Проектна
СмотретьЗаявка
2708597, 05.01.1979
НАУЧНЫЙ ЦЕНТР "КАСПИЙ" АН АЗССР
АБДУЛЛАЕВ А. Г, АЗИМОВ З. А, ГУСЕЙНОВА М. С
МПК / Метки
МПК: H01L 27/02
Метки: переключатель, полупроводниковый
Опубликовано: 07.12.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-772462-poluprovodnikovyjj-pereklyuchatel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый переключатель</a>
Полупроводниковая структура и способ управления проводимостью полупроводниковой структуры
Номер патента: 1739402
Опубликовано: 07.06.1992
Авторы: Бодров, Виноградова, Зотов, Серов
МПК: H01L 29/06
Метки: полупроводниковая, полупроводниковой, проводимостью, структура, структуры
...отрезок ВС). Причем по сечению структуры плотность тока не одинакова: в зоне шнура она значительно больше, чем в других сечениях, При увеличении напряжения питания происходит ростдиффузионного потока дырок к границам шнура,Рекомбинация с носителями тока (электронами) в шнуре увеличивается, ток шнура уменьшается, напряжение на структуре увеличивается, начинается процесс разрушения шнура тока. Однако при этом напряжение на структуре увеличивается и при достижении некоторого значения напряжения О (фиг.2) процесс разрушения шнура тока (у его границ) приостанавливается, рекомбинировавшие электроны вновь активируются полем при напряжении на структуре О 1, начинается новый процесс ударной ионизации и шнур тока расширяется до первоначального...
Способ испытания полупроводниковых приборов с мдп структурой
Номер патента: 1114992
Опубликовано: 23.09.1984
Авторы: Гороховатский, Жданок, Осокин, Пономарев, Тулуевский
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: испытания, мдп, полупроводниковых, приборов, структурой
...предела температуры поляризации выбирается максимально допустимая рабочая температура изделия, так как при более низких температурах поляризации некоторые механизмы электрической релаксации, присущие данному прибору в рабочем диапазоне температур, не включаются в поляризационный процесс и соответственно не проявляются в токе депо" ляризации. Последнее приводит к тому,1114 3что предлагаемый способ контролядает заниженную оценку зарядовойнестабильности изделий.Верхняя граница температурнойполяризации обусловлена тем, чтопри температуре, больше температурыэвтектики металл - кремний, происходит деградация свойств ИДП-структурыиэ-за образования растворов с повышенной проводимостью,Верхний предел напряжения поляризации выбирается 0,9 Опой где0...
Переключатель тока на полупроводниковых триодах
Номер патента: 130067
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Главнов
МПК: H03K 19/00, H03K 19/08
Метки: переключатель, полупроводниковых, триодах
...Нанряжсиня. УСтраНСВ(НЕ ЭТОГО НЕдОСтатКа ВЫЗЬ(васс необходимость увеличения габаритов и потоебляемых мощностей и усложняет схему управления,Предлагаемый переключатель тока делает схему управления более простой и позволяет расширить ее логические возможности. Это достигается тем, что управлгпощий триод вкл(очсн параллельно триоду с оно;7- пым напряжением на базе.Работа переключателя показана на чертеже.Пусть триоды 1 и 2 открыты, а триоды 3 и 4 закрыты. Прп подачс на вход 5 отрицательного импульса триод 6 отпирается, отпирасг триод 4, запирает триоды 1 и 2 и переводит схему во второе устойчивое состояние. При подаче управляющего сигнала на вход 7 схема вновь устанавливается в первоначальное состояние. Аналогичным образом может...
Переключатель тока на полупроводниковых триодах
Номер патента: 149621
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Кузьмин
МПК: H03K 17/60
Метки: переключатель, полупроводниковых, триодах
...частоты (десятки килогерц).На чертеже изображена схема предложенного переключателя,В качестве подвесного источника питания в переключателе применен двухканальный однополупериодный выпрямитель.Выпрямитель состоит из трехобмоточного трансформатора 1, ппроводниковых диодов 2 и 3 и конденсаторов 4 и 5, служащих для сживания пульсаций выпрямленного напряжения.Кроме того, переключатель включает в себя сопротивления б, 7, 8, 9и 10 и триоды 11, 12 и 13.Трансформатор 1 служит для электрического разделениявыпрямителя. Диоды 2 и 3 служат для выпрямления переменпряжения, возникаюшего на обмотках а и б.Первичная цепь выпрямителя подключена к источнику переменного напряжения высокой частоты (20 - 100 кгпв).149 б 21 Подвесные выпрямители должны иметь...
Способ испытания на надежность полупроводниковых приборов с мдп-структурой
Номер патента: 1623502
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Климов, Масловский, Минаев, Постников
МПК: H01L 21/66
Метки: испытания, мдп-структурой, надежность, полупроводниковых, приборов
СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ НА НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С МДП-СТРУКТУРОЙ, включающий измерение в одинаковых условиях электрических параметров структур до и после термостатирования и выявление потенциально ненадежных приборов при изменении этих параметров, превышающих заданное значение этого изменения, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности испытаний, до термостатирования или одновременно с ним на структуру воздействуют магнитным полем, увеличивая его от 0 до 2,0 105 А/м, а затем выключая его.
Предыдущий патент: Гибкая тепловая труба
Следующий патент: Способ работы тепловой трубы
Случайный патент: Способ получения производных n-(4-индолилпиперидиноалкил) бензимидазолона или их солей с кислотами