Патенты с меткой «полупровод-никовых»

Номер патента: 808831

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Горюнов, Сергеев, Широков

МПК: G01B 5/18

Метки: переход-корпус, полупровод-никовых, постояннойвремени, приборов, тепловой

...в способе измерения тепловой постоян ной времени переход корпус полупроводниковых приборов путем измерения с помощью интегрального ИК - радиометра потока ИК-излучения с поверхности полупровод никового прибора при подаче на него разогревающей мощности, подаваемую разогревающую мощность изменяют пофтгармоническому закону с частотой, близкой к величине обратной тепловой посто янной времени переход-корпус и по от808831 Составитель В. ЗайченкоТехред Ж.Кастелевич Корректор Н. Бакинец Редактор Е, Спиридонова Заказ 391/41 Тираж 653 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ношеюио сигналов с ИК-радиометра, измеренных при...

Номер патента: 723990

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Масагутова, Руд

МПК: H01L 21/324

Метки: ochobe, полупровод-никовых, приборов

...мм проводят в течение 350-400 ч при 850-9000 С и давлении паров мышьяка 2,5-4 атм. После завершения отжигапроводят закалку и получают однородные кристаллы 2 п 5 Аь п-типа провоЯдимости.Недостатком известного способа также является то что он не позволяет получить п-р-переход на кристаллах 2 вбеР р-типа. 35Целью изобретения является получение р-п-переходов.Указанная цель достигается тем, что отжиг проводят при давлении паров фосфора,0,3-0,.6 атм в присутствии 40 порошка 2 пСеР, вес которого в 1,5-3 раза больше веса пластины при температуре 870-900 оС в течение 5-17 ч,На фиг. 1 изображен граФик распределения температуры вдоль ампулы с кристаллом 2 пСеР р-типа 4 иа Фиг. 2 кривая зависимости концентрации носителей заряда в кристаллах 2 пбеРк...