Устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов

Союз Советскид Социапкстическид Республик1) Дополнительное к т. сви 1)Щ ) 3 22) Заявлено 03.05,7 611198/18 01 Ь 21(306 с присоединением заявки Ио(23) Приоритет осударственный СССР по делам изобр н открытнитет ете емь публиковано 23,12,80, бюлл ата опубликования описания 3) УДК 6 21, 319, 4) Эаявител 4) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГРУППОВОЙ ОБРАБОТК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 2и выгрузки каждого полупроводникового элемента в индивидуальные ячейки, неизбежный контакт протравленного полупроводникового элемента с воздушной средой перед операцией промывкн, а также невозможность .обработки полупроводникового элемента газообраз ными составами, что снижает качество полупроводникового элемента.Кроме того, из-за значительного расстояния обрабатываемой поверхности полупроводникового элемента от экрана происходит неэкономичный ра ход обрабатывающего реагента за сч неполного участия в реакции всего объема жидкости, имеющейся в ячей- ке Изобретке и можетпроизводстборов, в чобработкитов,адиотехн длях при- й 5 10 с- ет ль изобрета обработкнтов.Укаэанная цечто в устройствработки полупротов, преимущест5 та, содержащемвод Це честв 2 О реагетем об ен ль достигается е для группово водниковых эле венно в потоке герметичную кама и отвода реа ра выполнена в соединенных с разных полосте размещена касс ен каналами под и кассету, к двух гермети ричных конус между которым ммет устройства явучной загрузки та ние относится к р быть использовано а полупроводниковы стности, для группов олупроводниковых эле Известно устройство для групповойхимической обработки полупроводниковых элементов, содержащее герметичную камеру и кассету 13,Недостатком такого устройстваявляется то, что при обработке вобщем объеме агрессивного травлениябольшого числа арматур нарушение химически стойкого покрытия металлических частей даже одной арматурыприводит к ухудшению качества всех,одновременно обрабатываемых арма-;тур за счет адсорбции ионовт растравленного металла из травйтеля наобрабатываемую поверхность кремния.Наиболее близким по техническойсущности является устройство длягрупповой обработки в потоке реагента, содержащее герметичную камерус каналами подвода и отвода реагентаи кассету И.Недостатками этогосо сквозными отверстиями и фиксаторами полупроводниковых элементов, причем разность диаметров отверстия и полупроводникового элемента находится в пределах 1-3 мм.На Фиг. 1 изображено устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов, разрез на Фиг.2 то же, вид сверху.Кассета 1 с загруженными в ее отверстия полупроводниковыми элементами 2 помещена между двумя герметично соединенными симметричными конусообразными полостями, образуемыми полукорпусами 3, герметично соединенными через прокладку 4 зажимами 5. Таким образом обрабатывающий реагент агрессивный жидкий или газообразный травитель, деионизированная вода, горячий воздух) попадает в полость б, затем через отверстия 7, в которых размещены полупроводниковые элементы 2, в полость 8.Симметричное расположение отверстий относительно центрального входа и одинаковый их диаметр обеспечивает равномерный поток реагента в каждом отверстии.Материал полукорпусов и кассетыФторопласт.Использование сменной кассеты, которая загружается на предыдущей операции технологического процесса групповым методом, сводит процесс загрузки на операции травления элементов к помещению в устройство загруженной кассеты. Закрытое исполнение устройства и наличие индивиду" ального отверстия для каждого полупроводникового элемента позволяет осуществлять последовательно ряд химических обработок в, жидких и газо.образных средах, минуя промежуточные перегрузки и исключая контакт с воздушной средой, индивидуально для каждого загруженного в устройство элемента, что повышает качество полупроводниковых элементов.Такая конструкция устройства позволяет осуществлять групповую илиавтоматическую загрузку полупроводниковых элементов в отверстия кассеты вне устройства, а также проводитьпоследовательно, исключая перегрузкии контакт с воздушной средой, непрерывный цикл операций: травление вагрессивных жидкйх или газообразных о средах, промывку моющими и обезжиривающими реагентами и осушку горячимвоздухом индивидуально каждого загруженного полупроводникового элемента,что повышает качество обрабатываемых 15 элементов, а также обеспечиваетэкономичный расход обрабатывающихреагентовФормула изобретения20Устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов, преимущественно в потоке реагента, содержащее герметичную камеру с каналами подвода и отвода реагента в кассету, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью повышения качества обработки и снижения расхода реагентов,камера выполнена в виде двух герме тично соединенных симметричныхконусообразных полостей, между которыми размещена кассета со сквознымиотверстиями и Фиксаторами полупроводниковых элементов, причем разность 35 диаметров отверстия и полупроводникового элемента находится в пределах1-3 мм.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе4 О 1. Авторское свидетельство СССРМ 503319, кл. Н 01 Ь 21/203 1974.2. Авторское свидетельство СССР9 457125, кл. Н 01 Ь 7/68 1973"Пате г. Ужгород, ул, Проектна филиал П Тир дарст изобр ква,нногоений35, Р Подпимитета СССРткрытийская наб., д. 4