Бывалый

Номер патента: 1688264

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Бывалый, Оглуздин, Швецов

МПК: G06G 7/18

Метки: дифференцирующее

...таккак скорость изменения сигнала помехизначительно превышает скорость изменения входного сигнала, и ныходноенапряжение интегратора 4 не успеваетотрабатывать изменение нходного сигнала. При этом на. входе сумматора 1появляется сигнап, отличный от нулевого значения, В данном случае возможны дна варианта работы устройстваС выхода сумматора 1 снимается от-.рицательное напряжение значительнойвеличины Ч которое поступает на 5 Овход релейного элемента 3 и на входрелейного элемента 2, С выхода последнего снимается положительное напрякение 7 большой величины, котороепоступает на аноды диодов 7 и 5, С 55выхода релейного элемента 3 снимаетсяположительное напряжение большой неличины Ч , так как 11 ) Ч. Напряжение 1 поступает на анатол диода 7...

Номер патента: 1642411

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Бывалый, Машкин, Шевченко

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, параметров

...напряжения и тока полной утечки О и 1- и активную мощность Р, рэссеиваемую в диэлектрике, Определяют реактивную мощность О, активную сквозную мощность Рскв, активную абсорбционнуюмощность Рабс и тангенсы углов диэлектрических и сквозных потерь 19 д, 19 д, а затем определяют диэлектрическиепараметры изоляции коаксиэльного кабеля(Е 1,Е, 1 Е 1,уабс)Справедливость расчетных выраженийдля диэлектрика, схема замещения которого приведена на фиг. 6, следует из анализавекторных диаграмм (фиг. 2 - 5) для этой схемы замещения. На диаграммах принятыследующие обозначения: Ькв- комплекс эквивалентной диэлектрической проницаемости; Б Е 1 - соответственно его мнимая идействительная части; Й- комплексная диэлектрическая проницаемость; г; - ее мниг.....

Номер патента: 1219144

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Берняев, Бывалый

МПК: B03C 7/00

Метки: минеральных, разделения, смесей

...неподвижный электрод 2, соединительные провода 3, микроамперметр 4, блок 5 высокого напряжения, высоковольтный вольтметр 6, источник 7 ионизирующего излучения.Предложенный способ осуществляется следующим образом.Предварительно очищенную смесь помещают в неоднородное электростатическое поле, создаваемое электродами 1 и 2, Внесение сыпучей смеси в электрическое поле производят с помощью вращающегося электрода 1. При этом частицы смеси приобретают заряд, одноименный с зарядом этого электрода. По мере продвижения в межэлектродном пространстве частицы смеси попадают в зоны, имеющие разные значения напряженности электрического поля. Благодаря действию кулоновских сил заряженные частицы подскакивают к верхнему неподвижному электроду 2 и,...

Номер патента: 1175560

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Берняев, Бывалый, Леонов

МПК: B03C 7/02

Метки: разделения, сепаратор, смесей, сыпучих, электростатический

...электроде 1 укреплена шестеря 7. Вся конструкция нижнегоэлектрода 1 при помощи втулки 8 закреплена на центральной оси 9. Нанижнем электроде имеется буртик 10,выступающий над поверхностью нижнего З 0электрода 1. Верхний электрод 2 установлен над нижним при помощи кронштейна 11, укрепленного на шпильке12, ввернутой в стойку 13. Для перемещения верхнего электрода в вертикальной плоскости предназначена гайка 14, Для создания угла наклонаверхнего электрода к нижнему использована шпилька 15. К верхнему электроду прикреплена щетка 16, служащая 40для сбора, оставшейся фракции на нижнем электроде 1 в бункер 17 черезцентральное отверстие нижнего электрода. Над верхним электродом 2 установлен питатель 18. Для улавливания 45вылетающих из...

Номер патента: 790040

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Бывалый, Волков, Гольдберг, Дмитриев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников, фотоэлетрический

...спад фоточувствительности в коротковолновой части спектра0 Формула изобретения 3 7900фХ)может быть аппроксимирована (Рфункцией принюх1 ч Ефпри всех ф5остальных ,чгде Х -координата в направленииградиента ширины запретнойзоны варизонного полупроводника;ф, - постоянная величина;Гу - максимальное значение ширинызапрещенной зоны.Подставляя в общее выражение для фототока лупроводника п - да А А=О,З 7,Варизонные слои изготавливаютсяметодом жидкофаэной эпитаксии на подложках п-баР,На этих слоях вначале создаетсяомический контакт вплавлением Юов подложку, а затем барьерный- химическим осаждением Аи на узкозоннуюповерхность полупроводника.Для освещения полупроводника используется монохроматор ДМРс.лампой СИО -300.Энергия фотонов выбирается...