G11C 11/34 — с применением полупроводниковых приборов

Номер патента: 144643

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Васильев

МПК: G11C 11/34, G11C 11/48, G11C 19/14 ...

Метки: одноходовой, регистр, сдвига, феррит-транзисторный

...обратным всплеском напряжения блокпнг-генератора. В коллекторной цепи триода 4 ячейки проходит короткий, но достаточно мощный импульс тока и сердечник б второй ячейки перемагничивается в состояние 1,Если с сердечника б этим же тактовым импульсом была считана1 и триод 7 второй ячейки тока открыт, то запись1 на сердечник б импульсом тока триода 4 не оказывает влияния нанормальну 10 работу триода 7, так кл( В:я э -д. с., возника 1 сщая В ООмотке 3 второго сердечника, при перемагничивании его в состояние 1фо 4464,3 падает на закрытом диоде о, При следующем тактовом импульсе происходит продвижение 1 в линии еще на одну ячейку и т. д,Достоинством регистра является следующее. В режиме глубокого насыщения за счет рассасывания неосновных...

Номер патента: 168519

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Савченко, Сидоренко

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: диодных, матричных, микроэлектронных, полосовых, структур

...в 10%-ном при плотности тока 1 = 0,2 - пор, пока р-гг-столбики гермаишь на перекрестиях, где имеаемый спо что слой снимают холостые алениПредлагных тем,германияровкой, ают полным уднии,Это позволяет уптовления диодных мизолирующие свойсшин матриц.Сущность способа соб отлича исходнойэлектрохимперекрестием германг ется от известг-р-п-пластины ической полия шин получая при травлеостить технологию изгоатриц (полос) и повысить ва холостых перекрестий О Таким образом, получается ная диодная матрица, предста две взаимно перпендикулярны раллельных шин, в утолщения положены диоды. икроэлектронляющая собойсистемы пакоторых расзаключается в следующем.Исходный матер подвергают двусто в атмосфере водор слоев полученной электрохимической кой...

Номер патента: 189222

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Глебов, Малахов, Московский

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: входом, двухоперационном, статический, счетным, тиристоре, триггер

...2, 3 и 4, б, рассчитаны так,что в указанном состоянии схемы потенциал точки б выше, чем потенциал точки 7. В этом случае конденсатор 8 заряжен до большей разности потенциалов, чем конденсатор 9. В 20 силу этого при поступлении отрицательногоуправляющего импульса открывается только диод 10, пропуская импульс на катод тиристора 1, что вызывает прохождение тока по следующей цепи; сопротивление 11, управляю щий электрод и катод тиристора. Это соответствует положительному току управления и приводит к включению тпристора. Следует отметить, что в течение времени длительности импульса управления протекание тока по со противлению 11 в направлении к управляю189222 Рыки Составитель С. БорисовскаяТехред Т, П. Курилко Корректоры С, Н. Соколоваи...

Номер патента: 207490

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Смол

МПК: G11C 11/34, G11C 5/02

Метки: запоминающее

...шину 1 б и включив тем самым тиристоры 1 б, подают записывающее напряжение со входов 7, 8 на шины 17, 18. Это напряжение, которое следует выбрать равным напряжению на шине б, при включенном тиристоре б включит только соогветствующие переключающие приборы, соединенные с шиной б, Для записи следует подавать обратный код числа. После такта записи следует подать импульс на шину 3, выключится тиристор б,Для считывания, например, с шины б, следует включить тиристор 10 импульсом, поданным на шину 9, и подать на шину 11 импульс напряжения, амплитуда которого значительно ниже напряжения включения тиристоров магрицы и тиристора 5, в результате чего напряжение на шине б, повысится, и ток через шины 19, 20 откроет стабилитроны 21, 22, Сигналы...

Номер патента: 219624

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Лашевский, Свердлов, Хавкин, Шевцов

МПК: G11C 11/34

Метки: импульсных, коммутации, токов

...металлизированные площадки, на которых установлены коллекто ры полупроводниковых элементов, причем эмиттеры (или коллекторы) каждого элемента присоединены к нанесенной на подложку общей шине, имеющей вывод из корпуса устройства. 2 дмет изобретен Устройство для коммутации импульсных токов, например, адресных токов запоминающих устройств, содержащее группу полупроводниковых элементов типа р - гг - р или и - р - и, отличающееся тем, что, с целью уменьшения габаритов и увеличения допустимой рассеиваемой мощности, на одной плоскости тепло- проводящей изоляционной подложки, выполненной, например, из бериллиевой керамики, нанесено сплошное металлическое покрытие, присоединенное, например, посредством пайки к основанию общего...

Номер патента: 254571

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Зиг, Торотенков

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: запоминающее

...коммутатора объединены по группам на адресные шины 7. Адресные шины б подключены к транзисторам 8 подго товительцых ключей, а адресные шины 7 -к транзисторам 9 разрешающих ключей. Адресный ток задается формирователем 10 импульсов тока едццым для всего запоминающего устройства.10 Для обеспечения селекции адреса адресныешины б имеют потенциальную связь с земляной шиной через сопротивления 11, а шины 7 - с источником питания 12 через сопротивления ;. Последовательно " сопротивлениями 1 Б 11 и 1 включены диоды 14, запертые напря.женцем смещения 15, которое подается через сопротивления 16 в точки соединения диодов 14 с адресшямц шинами 6 ц 7. Величина сопротпвлешш 16 выбирается достаточно боль шой, чтобы подкгцочение источника...

Номер патента: 268492

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Золотухин

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, элемент

...величины, также во много раз меньшей тока включения тиристора. Общий ток, протекающий через тиристор (с учетом тока, отдаваемого в нагрузку, например газоразрядный индикатор), остается во много раз меньшим тока включения и тока выключения тиристора (рабочая точка тиристора всегда расположена ниже точек, соответствующих току включения и выключения на статической вольтамперной характеристике). Это исключает само- удержание тиристора в устойчивом проводящем состоянии.Диод 3 служит для защиты транзистора от высокого анодного напряжения высоковольтного источника и включен встречно высокому потенциалу этого источника при закрытом тиристоре. Эмиттер транзистора подключен к положительной шине низковольтного источника. Коллектор транзистора через...

Номер патента: 317108

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Ольхов

МПК: G11C 11/34

Метки: вентилями, диодноконденсаторными, запоминающая, ячейка

...транзистора 2 остается постоянной в рабочем диа пазоне температур. Изооретение относится к области вычислительнои техники и предназначено для использования в электронных олоках вычислительных машин,известные запоминающие ячейки с диодноконденсаторными вентилями, содержащиетриггер, выполненныи на р - и - р-транзисторах, входные диодно-конденсаторные вентилии эмиттерные повторители, переходы базаэмиттер которых шунтированы диодами, неооеспечивают достаточно высоких эксплуатационных характеристик устроиства при изменении температуры окружающеи среды.Описываемое устроиство отличается от известных тем, что в нем между источникомколлекторного напряжения и эмиттером каждого эмиттерного повторителя включен резистор,дто позволяет повысить...

Номер патента: 355662

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Батанист

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: запоминающее, индикатора, цифрового

...к эмиттерам транзисторов дешифратора и катодом диодов Д 5.10 Последовательно с тиристорами включеныиндикаторные элементы О (лампы накаливания, светодиоды, неоновые лампы и т. д.).Катоды всех тиристоров одного разрядаобъединены и через диод Д 5 и тиристор Де15 подключены к минусовой шине источника напряжения Е 2. Тиристоры Де и Дт, конденсаторС и резисторы йе и Ят служат для гашениявсех разрядов индикатора.Все разряды индикатора имеют иден20 схемы.Устройство работает следующим образом,Разряды числа дешифратором последовательно преобразуются в семиэлементный (илидесятичный) код, Одновременно с прохожде 25 нием разряда через дешифратор подается сиг.нал на базу соответствующего коммутирующего транзистора Тр,. При появлении на выходе...

Номер патента: 360693

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Володин, Золотарев, Мурыгин, Стафеев

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающее

...режиме напрузочыая прямая 30 па фиг. 3) и при включении устанавливает;прибор 11 в состояние О (непроводящее положение), а прибор 13 или при одновременном включении приборы 15, 15 - в состоние(проводящее,положение) .При одновремеином включении приборов 12 и 13 или 12, 15 и 16 они воздействуют на прибор 11 как счетный вход, т. е. переводят его в состояние 1, если он находился в состоянии О, и наоборот.,Прибор 14 служит для усталиновки прибора 11 в положевне О путем вклочения,прибора 12 при совпадении сипналов Ь; и А.Прибор. 15 и 16 предусмотрены для установки прибора 11 в состояние 1 при совпадении сигналов Ь; и а;, для включения прибора 14 при совпадении сипалов Ь; и А 1, для включения прибора 17 при совпадении сигналов Ь; и Ь; и...

Номер патента: 391609

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Афанасьева, Володин, Гусакова, Кандыба, Рычков, Шкуропат

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающего, интегральная, матрица, накопителя, устройства

...8 выполнена и+-область 4, служащая для контакта с р-эмиттером 1 и являющаяся шиной столбца матрицы. Шина строки 5, к,которои подсоединен аэмиттер б, выполнена путем металлизации.Каждый столбец матрицы имеет общий изолирующий кармаи 7, профиль которого включаетотростки 8 и 9, позволяющие изолировать другот друга ячейки внутри какмана и имеющиеокна, служащие для ограничвния областифункционального натрузочного резистора, вы.полненного в виде участка 10 и-базы 2 между10 и+ -областью 4 и шунтом д,Поле матрицы образуется мультилликацией соответствующего числа столбцов с необходимым,количеством запоминающих р-и-р-идиодных ячеек,15 Спецификой раб ого р-и-р-идиода с одним заш эмиттернымпереходом является работа прибора определяется зарядов...

Номер патента: 399011

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Рансов, Слобод

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: памяти12, элемент

...иолярностц. При иостуилешш импульсов адрссцдя шина 5 иолключдстс к минусу источника п)тдцц);. Вкодцые шформдционные 1-, шины ) ц 4 имеют низкий уровень сигцдла,Чс)СТОТУ СЛСЛО)3 сцц)51 ВОССТсИ 1 Д 13 ЛИВс 1 Ю 1 ЦИК Ц)1 пульсов ц)пания выоцрают такой, чтобы пауза МссжДУ ИМИУЛЬСДМЦ бЫЛД МЕНЬШЕ ВРСМСЦИ ВЫ- ключецця з;шоминдющсго тиристора. Блягодстз ) ря цмцульсиому иитдццо средняя мощность,ЦОТРСОГ 15)СМс)51 ЭЛЕ)СИТО) ИДЗ)ЯТЦ ОКс)311 ВДСТС 51 тСЦЬ МДЛОй.(.И)ТЬЦ)с) ЦЦС Ц Нф 01) М ДШЦ 1 ИРОИЗВОДЦТСЯ ВЦс) т За а т)СКЛ 130 ССТДНс 1 В,ЦВсИОЩИ)1 И ЦМИУЛЬСД зз ми иитдция иолдчсй на адресную шину 5 импульсов,;шдлогичиык восстаидвливающим.Если здиомицаюццй тиристор включен в эле)тситс памяти здгшсаид 1), то при подаче длрссюго импульса...

Номер патента: 366497

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Амирханов, Кандыба, Комаровских, Рыбальченко, Фурсин

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: biaцц, й1-л-3, йоксоюзная, ту-л, угг»г

...и других компонентов 1 схем. е мент содержит последовательные кового четырехсл юго резистора по й, объединенные цительный резисто нулевого потенци ды полупроводн иборов зашунти рами.на принципиальна огоустойчивого эл парал- цепочойного 20 числу концы р подала, а иковых 25 рованы я элекемента30 Предлагаемый эл лельно соединенные и из полупроводни прибора и нагрузоч устойчивых состояни которых через допол ключены к шине эмиттерные перехо четырехслойных пр переменными резистоНа чертеже показа трическая схема мн памяти. гых выходное напряжение элемептпамяти;1, - ток четырехслойного приборавыключенном состоянии.м случае вследствие малой величинь0 Величиной Ьных можно пРенебРечь,Заказ 428/17 Изд Мв 122 Тираж 576 Подписное ЦНИИПИ Комитета по...

Номер патента: 373769

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Сапожникова, Тайманов

МПК: G11C 11/34

Метки: нанесенной, него, переключающей, пленкой, электрода

...германий, проводящее стекло, некоторые сплавы и т. д.) размещают в трубе из аморфного полупроводнико вого материала, например, халькогенидного,оксидного и т. д.; трубу устанавливают в камере, которую, в свою очередь, помещают в индукционную печь; из камеры удаляют воздух и пропускают через нее поток инертного 0 газа, например аргона или гелия.Этот поток способствует охлаждению получаемого электрода с нанесенной на него переключающей пленкой; предотвращению образования диэлектрической (окисной) пленки 5 между электродом и переключающей пленкой;предотвращению возникновения экзотермической реакции (например, вещества электрода с кислородом), повышающей температуру аморфного полупроводникового материала и 0 поэтому вызывающей его стекание,...

Номер патента: 374655

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Володин, Стафеев

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: записи, считывания, хранения

...обратной полярностги на управляющий электрод на время выключения,прибора. Эта операция является медленной, так как для рассасьгвания носителей, созданных пряиым токам через прибор, требуется значительное оремя,Информация может считываться импульсом, уменьшающим напряжение,питания до значения, меньшего Е. При этом ток через прибор изменяется от зна 1 чения г, практически до нуля, Это изменение тока и служит считываемым сигналам. Такое считывание сопровождается разрушением информации.Считывание без разрушения информации может производиться импульсом или увеличивающим напряжение источника, или уменьшающим его. Пунктирными линиями 1 и 2 на фиг. 1 показаны ограничения для считывания ниформации без разрушения по этому способу,По...

Номер патента: 377881

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Зинченк, Кимарский, Раисов, Шаламов

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: бсесонэзная, гнд, патетй1мш

...шинам б и 7 соответственно. Аноды обоих тиристоров соединены вместе и подключены к резистору 2 нагрузки, п-база каждого тиристора соединяется с р-базой другого тиристора, образуя перекрестную обра гную связь.Ячейка работает следующим образом.В режиме хранения информацци адресная шина 5 имеет низгсий потенциал (подключена к земле), Коммутирующий транзистор 1 заперт, и ток через ячейку определяется величиной сопротивления резистора 2. Один из тиристоров включен, другой - выключен, причем и-р-и и р-и-р транзисторы, входящие в состав включенного тиристора, шунтируют оба базовых перехода другого тпристора, Это придает схеме более высокую помехоустойчивость по сравнению с транзисторным сим377881 Ссотавитель Р. Яворовская Техред Г. Дворина...

Номер патента: 378954

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Суэтинов

МПК: G11C 11/34

Метки: amp, патентно

...1, После окончания импульса стирания схема устанавливается в состояние О независимо от информации, хранящейся в ней до поступления импульса стирания.Для выборочной записи по словарной шине 5 подается импульс отрицательной полярности, величина которого недостаточна для возбуждения в диоде Ганна домена сильного поля. Положение ВАХ диода Ганна при подаче импульса выборки показано пунктирной линией 10 (см. фиг. 2), При этом диод Шоттки открывается и ток в диоде Ганна увеличивается, приближаясь к пороговому значению. При записи О сигнал ца разрядной шине отсутствует и по окончании импульса выборки ячейка возвращается в состояние О. При записи 1 по разрядной шине поступает сигнал положительной полярности, совпадающий по времени с сигналом...

Номер патента: 378955

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Першенков

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: биsjiиov, запоминающая, ячейкапяйгйj

...тиристора 1, подсоединенного через резистор 2 к адресной шине 3, и двухэмиттсрного транзистора 4, база которого соединена 25 с базовой областью и-типа тиристора, а коллектор - с базой областью р-типа. Внешние эмиттеры транзистора и тиристора подсоединены к информационным входам б и 6, а внутренние - к шине 7 стробирующего импульса 30 записи.378955 Составитель Р. Я нскаяРедактор 3. Твердохлебова Техред Т.,/снова Корректор Н. Аук Заказ 2045/3 Изд,507 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 В режиме хранения на входах б и б находится высокий потенциал, а на шине стробирующего импульса записи - низкий потенциал. Если тиристор...

Номер патента: 434481

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Кимарский, Сердюк, Синеокий

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: матричный, накопитель

...являются диод 14 и резистор 15.Матричный накопитель работает следующим образом.В режиме хранения записанной информации на словарных шинах записи и считывания поддерживают напряжение уровня логического О, на разрядных шинах - логической 1.При записи на выбранную шину словарной записи подают напряяение уровня логической 1, чем обеспечивают возможность отпирания тиристора 2 (запись 1) током через согласующий резистор 5 при условии, что переход база - эмиттер транзистора 4 закрыт напряжением уровня логической 1 со стороны разрядной шины,При наличии на разрядной шине напряжения уровня логического О транзистор 4 насыщается и шунтирует переход Р - база - катод тиристора 2, закрывая последний, что соответствует записи О в ячейку памяти...

Номер патента: 443409

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Игнатенко, Кобыляцкая, Кузовлев, Либерман, Чернихов

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: памяти, ячейка

...Фазе С трехфазного источника питания прачляацие электроды тиристора записи 1 итиристора сброса б соединены443409 3ответственно с входной шиной записи ы входной шиной сброса.Такое подключение Фаз А,В,С к схеме обеспечивает приложение к аноду тиристора 1 положительного напряжения в течение всего периода одной фазы питающего напряжения, в то время как к аноду тиристора ь напряжение питания приклапывается в течение времея, равного 1/2 периода Фазы С. В этом состоянии ячейки памяти тиристоры 1 и 5 выключены и на выходе 10 ячейки имеется положительное напряжение.При подаче положительного напряжения на управляющий электрод 11 тиристора 1 он включается и остается в этом состоянии после снятия информационного сигнала. Для возврата ячейки...

Номер патента: 446111

Опубликовано: 05.10.1974

Автор: Чубарев

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: памяти, ячейка

...известные ячейки памяти со на тиристорах имеют низкую помехоустоИчиность из-за большого выброса входных параметров тиристоров.Целью изобретения является повышение помехоустойчивости ячейки па ржит резисторы 1-5;бе стабилитрон 7,дйоди стабистор 10.обеспечивает миниеобходимый для поддвра во включенном состоя3нии. Резистор 5 и диод 8 предохраняют управляющий электрод тиристора отимпульсов отрицательной полярности.Резисторы 2 и 5 обеспечивают неооходимые режимы работы стабистора 510 и стабилитрона 7.Резистор Ф уменьшает входное сопротивление ячейки для малых сигналов и помех.Через сердечник трансформатора 6 10проводятся шины ПЗУ, построенногона ячейках. размер трансформатораопределяется проходящих через негошин и зависит от числа слов...

Номер патента: 459802

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Лаврищев, Полторацкий, Поспелов, Трутнев

МПК: G11C 11/34, G11C 11/42

Метки: запоминающий, элемент

...Если к структуре, представленной на чертеже, приложить переменное напряжение, то оно распределится обратно пропорционально емкостям участков слоев 3 и 2. В тех местах, где емкость слоя 2 больше (информация записана), напряжение на слое электролюминофора больше и может наблюдаться электролюминесцепция,Таким образом, вся записанная информ ция одновременно воспроизводится в виде св товой картины.Для нормального функцион элемента необходимо, чтобы емк в с записанной информацией отл 5 - 10 раз от емкости соседних у записи. При этом необходимо, сти слоев 2 и 3 были одного пор ий контраст изображения обеспе агодаря большой крутизне вольт-яркостных характеристик электролюминофоров - Уф, где а изменяется от 3 до 30 для разных материалов.,Эти...

Номер патента: 467405

Опубликовано: 15.04.1975

Автор: Багдасарьянц

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39, G11C 19/34 ...

Метки: многостабильная, памяти, ячейка

...диода 9, шунтируя последний, а эмиттером - с шиной нулевого по тенциала. Позицией 11 обозначен базовый вывод транзистора 6, поз. 12 - базовый вывод транзистора 10.Схема многостабильной ячейки памяти работает следующим образом (рассмотрение 15 проводится для случая трех стабильных состояний). Включение тетристора во второе состояние(основное открытое состояние) осуществляет ся подачей положительного сигнала на первыйуправляющий электрод. Дальнейшее увеличение тока 1 через открытый тетристор 1 не изменяет его состояния, пока величина 1 остается меньше значения тока переключения 1 р.25 Когда ток через открытый тетристор 1 достигает значения 1 п,р, происходит выключение туннельного диода 9 и переход тетристора 1 во второе открытое...

Номер патента: 470860

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Виталиев, Смирнов

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающее, интегральных, схемах

...подключены к соответствующим шинам 10, Один из выходов триггера 11 подсоединен ко входу источника 6 соответствующего модуля 1. С целью уменьшения количества внешних выводов одноименные шины 3 всех модулей 1 могут быть объединены.Работа устройства осуществляется следующим образом.Первоначально выявляются все дефектные модули 1, в регистры 7 которых записывается нулевой код 000, т. е. признак дефектности соответствующего модуля 1. В регистрах 7 исправных модулей 1 записываются номера этих модулей в двоичном коде (дополнительный код адреса). Для этого регистры 7 устанавливаются в исходное состояние 000 с помощью шины установки нуля (на чертежах не показана). При подаче управляющих сигналов на соответствующие шины 12 открываются вентили...

Номер патента: 477462

Опубликовано: 15.07.1975

Авторы: Оныкий, Шаповалов

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающее, интегральных, схемах

...извес емкость при фиксиЦелью изобрете общей емкости,нак ном числе входов. г - ,О 2Изобретение относится к области вычислительной техники.Известны запоминающие устройства (ЗУ) на интегральных схемах, содержащие адресный регистр и накопитель.Максимальное число входных и выходных выводов в интегральной схеме определяется технологией производства кристаллов и является величиной строго ограничиваемой. Количество запоминающих ячеек в кристалле зависит от числа адресных входов в ием и от системы выборки адресуемых ячеек. Обычно адресация осуществляется при помощи дешифратора, преобразующего код адреса, поступающий с адресного регистра, в унитарный код, выбирающий определенную запоминающую ячейку. Если дешифратор расположен в одном кристалле...

Номер патента: 481940

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Глориозов, Рыбкин, Сыпчук, Трубочкина

МПК: G11C 11/34, G11C 5/02

Метки: запоминающего, интегральная, матрица, устройства

...в логических вентилях, например, типа ТТЛ - элементах,имеюших два логических состояния: логический ноль и логическую единицу.На фиг. 1 изображена матрица логических вентилей; на фиг. 2 дан пример интегральной схемы логического вентилятипа ТТЛ,Интегральная схема 1 вентиля (изоб-.ражена условно), имеет выход-металлизнрованная плошадка 2 межслойного перехода, и вход - металлизированные плошадки 3 межслойных переходов. К интегральной схеме 1 вентиля через область 4подсоединена шина 5 нулевого потенциала, через область 6 - шина 7 питания,Кроме логических вентилей, хрдняшихинформацию, в матрице имеются шинынулевого потенциала и питания. Дляуменьшения количества слоев ИС запоминающего устройства шины нулевого потенциала и питания...

Номер патента: 483709

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Андреева, Коломиец, Лебедев, Таксами, Шпунт

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, элемент

...примесью металла, в частности, оксидных стекол и халькогенидных стекол системы бе - % - Аз - Те - Яе. Электроды 2, 4 могут быть выполнены из графита, молибдена, вольфрама и т. д.Элемент работает следующим образом.При подаче синусоидального напряжения при отрицательной полярности на электроде 4, со стороны которого введена примесь, ВАХ имеет участок отрицательного сопротивления У-типа; при положительной полярности на электроде 4 - на ВАХ - участок отрицательного сопротивления 5-типа (полярность напряжения соответствует знаку напряжения на электроде 4). ВАХ описываемого устройства, как видно из фиг. 2, имеет явно выраженную несимметричную форму. Статическая ВАХ устройства также несимметрична и имеет вид, представленный на фиг. 3....

Номер патента: 498330

Опубликовано: 05.01.1976

Авторы: Глебов, Орешкин, Петров

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающее, матричное

...параметры матричного ЗУ определяются условиями электрической формовки и параметрами записывающих и стирающих импульсов,20 Уст 1) ой ство ного полупро лов 2 выпол На торцы ка пленки 3, п епосредстве содержводникиены дналововерх кнно, а ит пластину , в которой иодные элем нанесены моторых с од с другой на 1 из аморфв виде канаенты памяти, еталлические юй стороны пленке 4 из 1) Зависимое от авт, св 2) Заявлено 22.01.73 (21) ата опубликования описани 54) МАТРИЧНОЕ ЗАПОМИ Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано в ЦВМ, в разного рода логических устройствах,Известно матричное ПЗУ с электрической перезаписью, сохраняющее информацию при отключении питания, и представляющее собой двойную...

Номер патента: 498648

Опубликовано: 05.01.1976

Автор: Авдеев

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающее, устойство

...8 и 9 и один из входов вентиля считывания 10 каждого нечетного триггера регистра 1 соответственно подключены к одному из выходов 11 - 11 дешифратора адреса. Другие входы вентилей считывания 10 соответственно соединены с единичными выходами нечетных триггеров регистров 1, а выходы вентилей считывания 10 каждого нечетного триггера этих регистров подключены через собирательную схему 12 к единичному входу соответствующего триггера регистра 2. Выходы вентилей записи нуля 4 и 8 и вентилей единицы 5 и 9 подключены через собирательные схемы 13 соответственно к нулевым и единичным входам триггеров регистров 1. Входы 14 - 14, используются для занесения числа из ЦВМ, а входы 15 - 15 - для подключения соответствующих выходов интеграторов цифровой...

Номер патента: 504246

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Гриц, Масленников, Светников, Хамко

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающего, накопитель, устроства

...и выходные контакты,5 На чертеже показана структурная схемазапоминающего устройства с предлагаемымнакопителем.Оно содержит накопитель 1, содержашийаморфный полупроводник с электропроводяО шими каналами 2, выполненный и виде монолита, на поверхности которого расположены адресные 3 и выходные 4 контакты.Адресные контакты соединены с адреснымиформирователями 5, а выходные контактыс формирователями 6 токов записи и стирания и со входами шифратора 7 кода считываемого числа, Управление формирователя 5:осушествляется адресным блоком 8,а управление формирователями 6 -дешифраО тором 9 кода записываемого или стираемого числа. Синхронизацию и управление режимами работы устройства осуществляет блок10 управленияУстройство работает следуюшим...