Бейден

Дисковая пила

Загрузка...

Номер патента: 1158336

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Бейден, Боровский, Кузнецов, Туев

МПК: B24D 5/12

Метки: дисковая, пила

...время пил 5-7 тыс, об/минпри толщине диска 200-300 мкм и зернистости абразива 50-70 мкм. Последнее лимитируется скоростью резанияпри низких оборотах пилы,Цель изобретения - увеличениепрочности пилы, повышение ее динами 40ческой устойчивости,Поставленная цель достигаетсятем, что корпус пилы изготовлен изпроволоки, витки которой уложены45по спирали в плоскости, перпендикулярной оси вращения инструмента.Технология изготовления проволоки обеспечивает высокую однородность его механических свойств по толе 50щине и длине. Если проволоку навитьв виде плоской спирали, а витки соединить между собой, например, с помощью прочного термостойкого клея,36 2прочность такой основы, на разрывпри вращении и ее динамическаяуравновешенность много выше,...

Полупроводниковый тензопреобразователь

Загрузка...

Номер патента: 934257

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Бейден, Белоглазов, Иордан, Карнеев, Папков, Стучебников, Суровиков, Хасиков

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...тензопреобразователь.Сущность изобретения состоит в том, что эпитаксиальные тензорезисторы изготовлены на сапфировой подложке из пленки кремния с концентрацией дырок 3,51 О "9 - 3101 см- ( У = 0,0006-0,0045 Ом -см), при которой ТКС тензорезисторов А 1, изменяется незначительно в широких пределах изменения температуры Т, а также слабо зависит от удельного сопротивления кремниевой эпитаксиальной пленки.При такой концентрации дырок неизбежные технологические разбросы удельного сопротивления в отдельных резисторах мало влияют на их ТКС, поэтому напряжение начального разбаланса моста практически не зависит Дальнейшее расширение температурного диапазона работы тензопреобразователя и повышение точности преобразования достигается...

Полупроводниковый преобразователь

Загрузка...

Номер патента: 777757

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Бейден, Зайцев, Зимин, Михайлова, Папков, Смирнов, Суровиков

МПК: H01L 41/08

Метки: полупроводниковый

...поверхности подложии, противоположной нолости, выполнены выступы 2, внешние углы котоэых служат ступеньками. На этой поверхнооти нанесен слой кремния 3, повторяющий профиль подложки, и две,пары омических контактов 4. Направлений максимальной тензочувствительности показано на фиг, 4 стрелками. 0 15 20 25 Зо 50 55 60 65 Работает преобразователь балочного ти пз следующим образом,Если к паре контактов, расположенных у основания, приложить электрическое напряжение, то между .контактами,второй пары за счет распределенного в слое:полупроводника электрического поля возникает разность потенциалов. Величина наведенно. го сигнала завиаит от параметров,полупроводника,и от взаимного расположения кон. тактов.Преобразователь мембранного типа расотаег...

Станок для доводки деталей

Загрузка...

Номер патента: 662328

Опубликовано: 15.05.1979

Авторы: Бейден, Логинов, Орлов, Смольянинов, Чамов, Щербаков

МПК: B24B 37/04

Метки: доводки, станок

...детали 10 заклады" ваются в сепаратор 9 и обрабатываются притирами 11 , 12, перемещаясь по сложной траектории, благодаря эксцентричному движению и вращению вокруг эксцентрика 8 за счет сил трения.В процесее эксплуатации величина суммарного эксцентриситета е между2328 4ния и, и и и детали в сепаРатоРебудут перемещаться по поверхностипритиров по круговым траекториям,Варьируя скоростями приводногоэксцентрикового вала 1 п,) и вала7 (и ) и скоростями вращейия притиров, возможно получение различных, траекторий движения деталей по притирам, т .е, обработки деталей с переходам к обработке по всей поверхности притиров, чем обеспечиваетсяинтенсивность кинематическбй правкипритиров самими обрабатываемыми деталями. бб.При .Равенстве...