Молодян

Номер патента: 922666

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян, Чумак

МПК: G01R 33/06

Метки: датчик, холла

...Холла,Датчик представляет собои полупроводниковую пластину 1 и-или р-типа проводимости, имющую токовые электроды 2 и 3. На выступах4 и 5 этой пластины выполнены холловскиеэлектроды 6 и 7, с которых снимается выходное напряжение. На выступах 4 и 5 также расположены потенциальные барьеры 8 - 11, расположенные симметрично относительно осей симметрии пластины 1, Источник 12 питания под.ключен одним полюсом непосредственно к по 3,5лупроводниковой пластине 1, а другим полюсом через переключатель - к потенциальнымбарьерам 8 и 9 или 10, 11 в зависимости отполярности остаточного напряжения. Первыйпотенциальный барьер 8 первой пары соединенгосо вторым потенциальным барьером 9второй пары, а первый потенциальный барьер11 второй пары подключен ко...

Номер патента: 898356

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Бешлиу, Коротченков, Ляху, Молодян

МПК: G01R 33/07

Метки: силы, холла, электродвижущей

...соединен с токовыми электродами 2 и 3 датчика 4 Холла или полупроводникового образца), детектор 5, настроенный на частоту генератора и дчный до к холловским электродам 6 и 7, сумматор 8, первым в;:одом подключенный к выходу детектора 5, а выходом - к индикатору 9, выпрямительный блок 10, вход которого соединен с выходом генератора 1, а выход - с симметричным делителем на45 резисторах 11 и 12 через катушки 13 и 14 индуктивности с токовыми электродами 2 и 3. Средняя точка 15 делителя и холловский электрод 7 соединены со вторым входом сумматора 8.50Устройство работает следующим образом,От генератора 1 датчик 4 Холла через электроды 2 и 3 питается переменным током величины 1. На холловскихэлектродах 6 и 7 датчика, помещенногов магнитное...

Номер патента: 788053

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: зависимости, заряда, материалах, носителей, подвижности, полупроводниковых, температурной, холловской

...электромагнитом 10.Устройство работает следующим образом.Образец 4 подключается к источнику1 напряжения и между потенциальнымиконтактами 6 и 7 устанавливается заданное напряжение, С изменением температуры образца 4 изменяется электропроводность объема полупроводника итоковых контактов 2 и 3, в результатепроисходит перераспределение паденийнапряжения на токовых контактах и наобъеме полупроводника, расположенноммежду потенциальными контактами 6 и 7.При этом блок 5 обратной связи,снабженный схемой управления источником 1 напряжения, позволяет изменятьнапряжение между токовыми контактами2 и 3 так, чтобы падение напряжениямежду потенциальными контактами б и 7оставалось постоянным, Таким образом,каждому значению температуры...

Номер патента: 712785

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян

МПК: G01R 31/26

Метки: зависимости, пластин, полупроводниковых, сопротивления, температурной, удельного

...Предлагаемое устройство позволяет автоматизировать проводпмыс в динамическом режимс измерения температурной зависимости удельного сопротивления образцов полупроводниковых материалов произвольной формы, что дает возможность исключить ряд технологических и измерительных операций по приданию образцам правильной формы н измерению геометрических размеров; все это, в конечном счете, приводит к повышению точности измерений, сокращению времени на подготовку образца, сокращению расходов материальных средств. Устройство для измерения температурной зависимости удельного сопротивления полупроводниковых пластин, содержащее источник переменного тока постоянной частотысоединенный с первым и вторым зондами, усилитель, вход которого соединен с...