Патенты с меткой «халькогенидного»

Номер патента: 475094

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Андреева, Коломиец, Лебедев, Таксами, Шпунт

МПК: B01J 17/00

Метки: легирования, стекла, халькогенидного

...чего прикладываются импульсы электрического напряжения, амплитуда которых равна ипи больще напряжения переключения исходного халькогенидного стекла, при этом длитель- ность импульсов напряжения устанавливают меньще времени образования проводящих кристаллических каналов в исходном халькогенидном стекле. В качестве пегистекло,ериапа -гируюг индий. рафитовую подленидного стекла Пример, Наг наносят слой хапьког Легируюшим электродом ро. Между пегирующим халькогенидным стеклом импульсы электрического плитуда которых равна ил ния переключения исход выби ают электродом прикладыва пап ряжетп больще напют я, ам ряжени го хальк долж- вание м легированитрее, чем обрВ местах к и ного стекла но происходить быс проводящих каналов...

Номер патента: 775760

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Кикиниши, Семак, Туряница

МПК: G11C 11/34, H01L 21/00

Метки: основе, регистрирующей, среды, стекла, халькогенидного

...будет быстро падать, практически до нуля.Целью изобре":ения является воэможность получения позитивной записи.Для достижения цели напыление проО изводится при температуре 600-800 С.В предложенном способе инициирующую роль в процессе Фотозаписи играют электронно-дырочные процессы с участием локализованных состояний в запрещенной зоне халькогенидного стекла. В результате определенных изменений связей происходит изменение о. и и стекла. Учитывая приготовление слоя в описываемом случае форсированным режимом напыления при высокой температуре, можно предположить связь начальной конфигурации связей, равновесного состояния электронов и дырок с характером записи и величиной измененийи п60 Формула изобретения Составитель Е,АртамоноваРедактор...

Номер патента: 863521

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Дойников, Шульга

МПК: C03C 3/30

Метки: стекла, халькогенидного

...технологической схеме, принятой для получения полупроводниковых материалов.Температуру синтеза вданном случаеоварьируют в широком интервале 100 С 800 оС, что в основном определяетсясоставом шнхты.П р и м е р 1, Состав: Ав 5 1,5;Вг 1,0.,Для синтеза 10 г навески стекланеобходимо взять, г: ыяшьяк 3,6923,сера 2,3700, бром 3,9377.Тираж 523 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 7687/33 Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Взято по предлагаемой методике,г: мааьяк 2,4615, сера 2,3700, бромид мышьяка 5,1685. Все компоненты помещают в кварцевую ампулу, вакуумируют до 10 в -10 4 тор с последующей отпайкой. Синтез стекла осуществляют при...

Номер патента: 1039908

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Бальчюнас, Балюлис, Мельман, Сидаравичюс, Шелкова

МПК: C03C 23/00

Метки: поверхности, подложек, покрытий, стекла, удаления, халькогенидного

...55йайОЦили в расплаве солей, включающем,вес,3.55йаИО, ЦПри температурах ниже 250 С такжепроисходит снятие покрйтия, но скорость его удаления очень низка - менее 1 мкм/мин. При температуре расплава, превышающей 380 С, происходитнекоторое повреждение поверхностидюралюминиевой подложки и для ее повторного использования необходймадополнительная переполировка.Приудалении покрытий халькогенидных стекол с поверхности подложек ихрастворение не происходит, Это подтверждает химический анализ удаленных покрытий после извлечения их израсплавов солей механическим способом,промывки водой и сушки, Во всех.слу.чаях состав удаленного покрытия в пределах точности анализа соответствовалсоставу исходного материала. Кромеэтого, использование удаленных...

Номер патента: 1100553

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Бычков, Власов, Медведев

МПК: G01N 27/30

Метки: ионов, меди, мембраны, состав, стеклянного, халькогенидного, электрода

...10 г-ион/л.Время отклика электродов на изменение активности ионов меди в 10 раз составляет 10-15 в разбавленных растворах и 2-4 с в концентрированных,Аналогичными электродными характеристиками обладают исследованные параллельно коммерческие медьселективные электроды "Критур" (ЧССР) с моно- кристаллическими, мембранами состава Сц, Яе и поликристаллические медь 1селективные электроды иа основе эквимолярной смеси сульфидов меди и серебра. Коэффициенты селективности электродов представлены в табл.1.Из табл.1 видно, что 100000- 1000000-кратные избытки щелочных и щелочно-земельных катионов, 10000- 100000-кратные избытки ионов марганца (11), кобальта (И), никеля (11), цинка (11), свинца (11) и кадмия (И) не оказывают мешающего влияния на...

Номер патента: 1125533

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Бычков, Власов, Легин, Розенков

МПК: G01N 27/30

Метки: железа, ионов, мембраны, состав, стеклянного, халькогенидного, электрода

...слой серебра, к которомупроводящим серебряным клеем (контактолом) приклеивают медный проводник. Место склейки заливают эпоксидным компаундсм и высушивают. Приготовленную мембрану с твердым внутренним токоотводом вклеивают н поливинилхлоридный корпус электрода эпоксидным компаундом. 50Для измерения электродных характеристик применяют следующую электрохимическую ячейку:Ар, АдС 1 1 М КИО М Аянасы дуещенный мыйраст- вор где М - мембрана из халькогенидногостекла.Калибровочные растворы н концен" трационной области от О до 1 О ион железа (Ш) дек, готовят из нитратажелеза (11 Г) в О,1, 1 или 3 М азотной кислоте, Растворы с концентрацией ионов трехвалентного железа-6 -4от 10 до 10 г-ион/л готовят непосредственно перед измерениями в...

Номер патента: 1125534

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Антонов, Бычков, Власов, Милошова, Сафаров

МПК: G01N 27/30

Метки: ионов, кадмия, мембраны, состав, халькогенидного, электрода

...кадмия, Для измерения коэффициентов селективности используют метод смешанных растворов, при кото ром концентрацию мешающего иона поддерживают постоянной (чаще всего 1 г-ион/л), а концентрацию ионов 35 кадмия от 1(Г до 10 г-ион/л) . Для определения коэффициентов селективности к сильномешающим катионам(меди ( ), железа (11) исполь- щ зуют обратную процедуру, Закрепляют концентрацию ионов кадмия, а изменяют концентрацию мешающих ионов. Определение коэффициентов селективности к ионам серебра проводят по методу отдельных растворов. Рабочую область рН кадмийселективных электродов исследуют при постоянной концентрации ионов кадмия в среде с постоянной ионной силой 1=1,0. Кислотность рас творов изменяют добавлением азотной кислоты или...

Номер патента: 1402913

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Авдеев, Антонов, Борисова, Бычков, Власов, Милошова, Недошовенко, Тверьянович

МПК: G01N 27/30

Метки: ионов, мембраны, натрия, состав, стеклянного, халькогенидного, электрода

...АД,Калибровочные растворы готовят40 из:":ИТРЯта натРИЯ,. РастуоРыр сОДеожащ;:е 0 - 10 К, готовят непосредственно в измерительнор;:.чейке добавлениемм к изз е стн Ом"; О бьем у дис тилли " "овр иной во"-; небольших количеств калиброванных растворов витовта натрия. Для измер=."ния коэффициеч".:";-. селективности используют метод смешанных ватво ов, пои котором конр:ентря ию мешающего ион р о",щперживают по оянной, я концер:тря,аппо ионов нят.;,.рмешивания растворов используют ма"нитную мешалку.На чертеже видно, что исследуемыеэлектроды обладают электродной Функцией 45-47 мВ/декаду в концентрационной области От 10 до 1 М и нижним-9пределом обнаружения ионов натрия2 10М. Воспроизводимость потенциала в миллимолярном растворе нитратанатрия...

Номер патента: 1437765

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Аверьянов, Бычков, Власов, Медведев

МПК: G01N 27/30

Метки: ионов, ионоселективного, меди, мембраны, халькогенидного, электрода

...электродных характеристик применяют следующую электрохимическую ячейку:Ая, А 8 С 1 КС 1 н, 10,3 М КИС 1 Сц(ИО) //О,ЗМ КИСМСцгде М - тонкослойный ионоселективныйэлектрод, изготовленный согласно примерам 1-3.Калибровочные растворы в концентрационной области от 10до 10 " Мготовят из нитрата меди (11), Дляподдержания постоянной ионной силы1 = 0,3 в растворы добавляют нитраткалия. Разбавленные растворы с концентрацией меди (1) 10- 10Мготовят непосредственно перед измерениями,Коэффициенты селективности определяют методом смешанных растворов,Измерения ЭДС электрохимическойячейки с ионоселективными электродамиосуществляют при помощи обычных цифровых вольтметров (входное сопротивление 10 Ом), Для геремешиваниярастворов используют магнитную...

Номер патента: 1497554

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Белякова, Борисова, Бычков, Власов, Легин

МПК: G01N 27/30

Метки: ионов, мембраны, свинца, состав, стеклянного, халькогенидного, электрода

...0,4-0,210 110 Для свинецселективных электродовкалибровочные растворы в концентрационной области 10- 10 моль/г-7готовят из нитрата свинца, Растворысс концентрацией 10 - 10 моль/лхранят в полиэтиленовой посуде. Растворы с концентрацией 10 7 - 10 моль/г20готовят непосредственно перед измерениями в тефлоновой измерительнойячейке добавлением к известному объему дистиллированной воды или индиффе"рентного электролита калиброванныхколичеств более концентрированныхрастворов нитрата свинца, ИзмеренияЭДС электрохимической ячейки с ис"следуемыми электродами осуществляютпри помощи цифрового вольтметра(входное сопротивление 1 О Ом) или9иономера,Для измерения коэффициента селективности использован метод смешанныхрастворов, при котором концентрация...

Номер патента: 1506343

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Белякова, Бычков, Власов, Селезнев

МПК: G01N 27/30

Метки: ионов, мембраны, серебра, состав, стеклянного, халькогенидного, электрода

...компаундом для создания прочного контакта, Полученную мембрану с токоотводом вклеивают в торец поливинилхлоридной трубки полированной (активной ) стороной наружу. Затем проводят окончательную сушку всей3 10 3 10 5 10 210 4 10 8.0 0,4-0,20,30,20,20,330 0,6-0,3050,60,30,825 конструкции в сушильном шкафу при60-70 С в течение 10 ч,Дл я измерения эле ктродных хар актеристик применяют следующую электро 5химическую ячейку:А 8, А 8 С 1 КС 1 О, 1 М КИО1 ссле-М )А 8дуемыйрастворгде М - мембрана из халькогенидногостекла.Для сереброселективных электродовкалибровочные растворы в концентрационной области 10 - 10 - моль/л готовят из нитрата серебра с постоянной ионной силой О, 1 моль/л нитратакалияРастворы с концентрацией10 - 10 моль/л хранят...

Номер патента: 314460

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Берлин, Коломиец, Лиогонький, Шамраев, Юрлова

МПК: H01L 45/00

Метки: оксидного, основе, переключатель, полупроводникового, стекла, халькогенидного

...выполнении илипереключатели системы металл-халькогенидное или оксидное стекло - металл Однако графитовые оми такты нестойки к ударнымри металлических электр з пленки частично диффу бъем халькогенидной или обретения - создание п 803144 б(54)(57) ПЕРЕКЛ 10 ЧАТЕЛЬ НА ОСНОВГПОЛУЛРОВОДНИКОВОГО ХАЛЪКОГЕНИД 11 ОГОИЛИ ОКСИДНОГО СТЕКЛА с двумя электродами, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью увеличения стабильности параметров прибора, электродывыполнены на основе электропроводящих химических инертных полимеров,например полиазофенилена,ыполнены из химически инертно Каждый матричный переключающий элемент представляет собой два прямоугольных омических контакта из по- Св лимерной пленки с зазором между ними от 2 до 40 мкм в зависимости...

Номер патента: 1718095

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Бычков, Власов, Селезнев

МПК: G01N 27/333

Метки: активности, ионов, мембраны, серебра, состав, стеклянного, халькогенидного, электрода

...мембраны, мас.оь:Серебро 14,25 - 45,00 Мышьяк 17,50 - 33,25 Сера 22,50 - 47,50 Железо или никель 5,00 - 30,00 П р и м е р 1. Для получения 3 г стекла состава, мас.;: А 9 15; Аз 35; Я 50, берут 0,831 г серебра, 1,356 г мышьяка 0,823 г серы и помещают в кварцевую ампулу, откачивают воздух до остаточного давления 10 Па и проводят синтез при 1100 К в течение 8 ч, Охлаждение осуществляют путем закалки расплава со средней скоростью 4-6 град/с. Из полученного образца готовят сошлифовыоанием плоскопараллельную мембрану толщиной 2 мм, затем одну из сторон полируют на пасте ГОИ, В другую шлифооанную внутреннюю поверхность мембраны методом ионной имплантации на ускорителе внедряют ионы железа с энергией 150 кэВ и ионным током 1 мкА/см до2...

Номер патента: 1723509

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Ананичев, Блинов, Демидов

МПК: G01N 25/16

Метки: активного, объема, стеклообразного, халькогенидного, химически

...размягченного стекла накладывается также гетерогенное зародышеобразование, которое индуцируется присутствием примесных частиц и чаще всего происходит на поверхности размягченного стекла.Это приводит к нарушению рельефа поверхности, к нарушению формы материала, неправильному расположению материала в сосуде, образованию пустот и других дефектов, нарушающих условие уравнения (3),При этом уменьшается точность определения доли закристаллизованного объема стекла при заданной скорости нагревания,Цель изобретения - повышение точности определения доли закристаллизованного объема материала.Нагревание сосуда с его дна со скоростью, обеспечивающей градиент по толщине исследуемого вещества не более 1 - 3 К/см, создает условия для точного...