Патенты с меткой «неразрушающий»

Номер патента: 399781

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01N 29/06, G01N 29/08

Метки: акустический, неразрушающий, несплошности

...подводимого к одной из поверхностей контролируемого изделия, и регистрируют результат прохождецц 5 зоцдируюшего импульса ца противсположчой свободцой поверхцости контролируемого изделия.б рудцо производить п ацию рез 5 льтатов Посл дозатель;Ость операций, составляющих предлагаемый с:оссо, следуОшая. Коцтрсл;руемое:зделце цодзер: ается воздействию мошцого ударцого импульса, гецерируемого, 5 например, с помогцью ударцой волны, возбуждеццой в окружающей контролируемое изделие среде. Прп этом, в соответствии с те 1 евым вариацтом контроля, зоцдирующ 11." импульс вводят с одцой из поверхцостсй С изделия, и результат его прохождецця рег:1 стрир.От ца прот:вс;1 Оложсй сзсссдцсц псверхцост; коцтролируемого:здслця. 1 ля этого ца цсверхиссть...

Номер патента: 367377

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Биленко, Дворкин, Шехтер

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, концентрации, материалах, неразрушающий, носителей, подвижности, полупроводниковых

...полупроводниковых материалах.Применение призмы с показателем преломления и близким к показателю преломления пг исследуемого материала, позволяет повысить точность определения электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Например, при исследовании кремния птипа с концентрацией носителей заряда У= 10"см-з точность определения концентрации и подвижности носителей заряда составляет - 4% и 16% соответственно при использовании призмы из высокоомного кремния и 19% и 30/о, если призма выполнена из высокоомного германия. Допустимая относительная погрешность измерения коэффициента отражения составляла 0,0; установки угла падения - 10.Условие близости значений телей показапгпреломления п и аз, и= - :1, может бытьи,легко реализовано...

Номер патента: 590652

Опубликовано: 30.01.1978

Авторы: Крючков, Лепорский

МПК: G01N 23/24

Метки: диэлектрических, неразрушающий, толщины

...отражения от диэлектрического материала, производят два измерения приращения частот - одно через две установлснные на поверхности диэлектрика диэлектрические пластины, другое - через одну из них,приращении частот опред тектрического материала,ння толщины диэлектрическогопредложенному способу обычизмеряют общую толщину дно материала с двумя диэлектриннамн, расположенными на егори этом общая толщина мате1 нами составляетРедактор Н, Суханова Корректор Л, Денискина Заказ 3259/12 Изд.181 Тираж 1,109 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб. д. 4/5Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 иим экстремальным значениям коэффициента отражения.При этом толщина...

Номер патента: 642654

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Бартанов, Волков

МПК: G01R 31/26

Метки: неразрушающий, однородности, силовых, степени, структур, тиристоров

...ППП ффйатентф, г.ужгород, ул.Проектная, 4 вследствие неравномерного тепловогонагрева проводящего элемента, но неучитывает другие факторы, приводящиек локализации максимальной нагрузки.(неоднородность удельного сопротив 1 дения кремния, неоднородность фронтадиффузии .и т,д,),Целью изобретения является обеспечение возможности учета максимальной локальной нагрузки при количественной оценке степени неоднородностиструктуры и повышение точности оценки,Цель Достигается тем, что по предлагаемому способу измеряют напряжение переключения тиристора при фиксированной скорости нарастания анодного напряжения через фиксированныйпромежуток времени после протеканияпрямоугольного импульса тока, измеряют напряжение переключения исследуемой...

Номер патента: 800800

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Бердинских, Запорожец, Кордонский, Пегов

МПК: G01N 3/06

Метки: koh-струкции, неразрушающий, определениястепени, усталости, элементов

...М.Гысогорова Техред Н.Граб Корректор 75 Тираж 918ВНИИГИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий11 1 Г 135, Г 4 оскна, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписно Филиал ППП 11 дтн ",. Ужгород, ул. Проектная, 4 янной скоростью в поверхностном слоеэлемента конструкции и регистрируютчастотный спектр изменения усилияперемещения индентора.Повышение достоверности обеспечивается измерением параметра поверхности, связанного со степенью усталости материалов и элементов конструкции, который в то же время можно регистрировать технически осуществимыми объективными методами,ОСпособ осуществляется следующимобразом,К материалу или элементу конструкции в ходе определенного числа цик.лов нагружения прикладывают нагрузку и затем в...

Номер патента: 1249414

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Дроздова, Евграфов, Назарьян, Полиэктов, Чирков

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллической, неразрушающий, подложке, покрытия, толщины

...РЕПЕ Е ,Ияиулт 011 ис 1СуЩИОств с 1 особ; :,;-" кл ед(7 ОЩе М,ЦРИ ДИЪРаКЦИ 11 РЕт ГГОС :.1 ей от какОЙ - либо се зии 1"кристалличсскоЙ под.ожки в т.ИИ ПОК 1 тт,. 01;( т тяжести диф 1 акцио;н,ИЗМЕ.Е.НИЕ .О, т ОВ 01 ЗВСЛЕДС т В 1 Е .0 О, :, та. - .-: т,.тДИФРаКЦИ ПЛОСтОС "7: РИ( ,:Г1;ОДЛОЖКИМЕЩННЫ . т( т 10(.т 1,т.-,;НОСТИ, тта ИЗМЕЕПИ( ВтИ , - , г .т.брЗГГВСКОГО тГЛНлибо сеоии Г.тогко"-:.Й 11( -1 РЫТИЕМ ОТ ИЗМЕНЕНтот 0Говского угл дт,ит;р,.-.(.;д.11 ЛОСКОСТСЙ "Пт( ТО;"т од( 11,"т,МЕтОдИКа ИЗМЕРЕН,я -.;:.1 - ,т.;,; т; - ; В предлагаемом -, тос;:е 1 ИЮ брЗГОБСК 01 " а т, 111 -цени 5 крист,-;.555,(усирукщей зкрт";10и ГОЛЩИНЕ ПОКРЫТ.Я П: - .(С.РИСтаЛЛИтЕ КУО ;,О-.-:ЧЕТНЫЕ СООТНОЕт 5,-;5ТОЛЩИНЫ ( .;10 КрЫТ;.я На т(0;КОЙ пОДлОжке разлитт"...

Номер патента: 1260790

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Афтандилянц, Бабыскин, Ефимов, Купыро, Тимофеев, Трапицын

МПК: G01N 25/02

Метки: механических, неразрушающий, свойств, стали

...углерод, как элемент, от которого в наибольшей степени зависят, свойства среднеуглеродистой стали.Факторы второй и третьей групп определялись по комплексограммам, показанным на чертеже, Каждая комплексограмма состоит из двух синхронных кривых; Я - температурная кривая охлаждения теплового центра образца; К - кривая электросопротивления, показывающая его изменение для теплового центра образца в процессе охлаждения, При рассмотрении кривой К выявляются характерные точки Н. И, С, У, Ф, К, которые обнаруживаются на каждой комплексограмме. Эти точки находятся визуально.Проецируя их на кривую О, получим одноименные точки на кривой охлаждения, Из шести точек на кривой К, только точка Н имеет надежную физическую интерпретацию.30 Лйис= 9 нЯи -...

Номер патента: 1323940

Опубликовано: 15.07.1987

Автор: Зайдман

МПК: G01N 27/46

Метки: адгезии, диэлектрику, металла, неразрушающий

...4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к способам определения прочности и может быть использовано в кабельной технике, микроэлектронике и полупроводниковой технике,Целью изобретения является упрощение 5 процесса измерения,На чертеже приведена принципиальная схема устройства для осуществления предлагаемого способа.Диэлектрик 1, на который нанесены металлические электроды 2, зажимаются между токоотводящими электродами 3, которые подсоединены к измерительному прибору 4 через переключатель 5 полярности при этом образец помещен в камеру 6 влажности.Способ осуществляют следующим образом.Образец с асимметрией, заложенной в технологии изготовления его или в предварительно созданной...

Номер патента: 1716075

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Кязимова, Хасаев

МПК: E21B 15/00

Метки: буровых, вышек, испытания, неразрушающий, промысловых, условиях

...изобретения - повышение точности и ускорение процесса испытания вышки.Цель достигается тем, что для определения критической нагрузки измеряют частоты собственных колебаний вышки при двух различных нагрузках, строят прямую зависимости этих сжимающйх нагрузок от квадрата частот собственных колебаний, которую продолжают до пересечения с осью ординат при нулевом значении частот колебаний. Эта зависимость является прямолинейной.Результаты экспериментальных исследований подтвердили прямолинейность зависимости сжимающих нагрузок от квадрата собственных колебаний вышки.Точка пересечения прямой с осью ординат при нулевой частоте соответствует критической нагрузке вышки.На фиг. 1 показана измерительная схема устройства, реализующего...